[논문]엑시머 레이저 어닐링을 이용하여 플라스틱 기판에 형성한 다결정 실리콘 박막의 특성

조세현; 이인규; 김영훈; 문대규; 한정인

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엑시머 레이저 어닐링을 이용하여 플라스틱 기판에 형성한 다결정 실리콘 박막의 특성
Polycrystalline silicon thin film fabricated on plastic substrates by excimer laser annealing 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.13 no.1, 2004년, pp.29 - 33

조세현 (한국항공대학교 항공재료공학과) , 이인규 (한국항공대학교 항공재료공학과) , 김영훈 (전자부품연구원 디스플레이센터) , 문대규 (전자부품연구원 디스플레이센터) , 한정인 (전자부품연구원 디스플레이센터)

초록
AI-Helper

본 논문에서는 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 비정질 실리콘을 증착하여 진공분위기에서 엑시머 레이저 어닐링을 이용하여 플라스틱 기판위에 극저온 다결정 실리콘 박막(＜$150^{\circ}C$)을 형성하였다. 비정질 실리콘 박막은 $120^{\circ}C$에서 Ar/He 혼합가스로 증착하였으며, Rutherford Backscattering Spectrometry로 측정한 박막내 아르곤 함량은 2% 이하였다. 에너지 밀도 320mJ/$\textrm{cm}^2$일 때 다결정 실리콘의 결정화도는 62%, Root-Mean-Square roughness는 267$\AA$를 나타내었다. 엑시머 레이저 결정화 후 결정립의 크기는 50nm에서 100nm 정도를 나타내었다.

Abstract ▼ AI-Helper

In this paper, we investigated the ultra-low temperature(<$150^{\circ}C$) polycrystalline silicon film on plastic substrate application using RF-magnetron sputtering and excimer laser annealing. Amorphous silicon films were deposited using Ar/He mixture gas at $120^{\circ}C$ and in-film argon concentration was less than 2%, which was measured to Rutherford Backscattering Spectrometry. At energy density 320mJ/$\textrm{cm}^2$, RMS roughness was 267$\AA$ and UV crystallinity was 62%. The grain size varies from 50nm to 100nm after excimer laser irradiation.

주제어

참고문헌 (8)

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H. Watanabe, H. Miki, S. Sugai, K. Kawasaki, and T. Kioka, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 4491 (1994)

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