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FTO 필름 식각액에 관한 융합연구
Convergence Study on FTO Film Etchant 원문보기

융합정보논문지 = Journal of Convergence for Information Technology, v.8 no.6, 2018년, pp.43 - 48  

한두희 (청운대학교 중소기업기술융합연구소) ,  양의동 (청운대학교 글로벌경영학과)

초록
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완전 수입에 의존하는 ITO를 대체할 수 있는 FTO 필름에 회로를 형성시킬 수 있는 식각액을 제조하였다. 이 식각액은 불화물 1 ~ 30량%, 산 1 ~ 20량%, 계면활성제 0.5 ~ 5 중량%, 용매제 5 ~ 20 량%, 부식억제제 0.5 ~ 10중량%, 나머지는 물로 이루어진다. 이 식각액은 드라이필름을 이용한 식각공정이 가능하여 비용을 절감할 수 있으며, 식각액의 거품발생 및 찌꺼기가 발생하지 않는 특징이 있다. 식각액의 특성은 100nm 두께의 FTO를 2분 만에 식각할 수 있었고 이때 $50^{\circ}C$의 식각액 온도를 유지하였다. 2분 식각액에 넣었을 때 -0.00364%의 언더컷을 얻었다. Cd, Pb, Hg, Cr 성분 등의 환경유해물질은 측정되지 않았다. 희토류가 나지 않는 우리나라에서 FTO를 활용하면 국산화 및 수입대체효과를 이룩할 수 있다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

An etchant capable of forming a circuit in an FTO film that can replace ITO, which depends on full imports, was prepared. The etching solution is composed of 1 to 30% by weight of fluoride, 1 to 20% by weight of acid, 0.5 to 5% by weight of surfactant, 5 to 20% by weight of solvent, 0.5 to 10% by we...

주제어

#식각액   #불소첨가산화주석   #박막   #디스플레이   #도전체  

표/그림 (19)

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문은 제작된 FTO필름을 효과적으로 식각할 수 있는 조성물을 만들고 이를 적용한 결과를 제시하여 전량 수입에 의존하는 ITO를 대체할 수 있고 비용절감 및 국산화를 이룰할 수 있으며 디스플레이 산업에 확산시킬 수 있도록 하기 위함에 목적이 있다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
FTO가 ITO에 비해 만족하는 조건은 무엇인가? 그러나 ITO는 150℃이상의 온도에서 가열하여 성형할 경우 ITO의 전기적 물성이 바뀌고, 내열성, 내화학성 및 내마모성이 약한 문제점을 가지고 있다. 따라서 투명 전도막들과 차별화 되는 고온 내열성 (약 500℃), 내화학성과 내부식성이 요구된다. FTO는 이 조건을 만족하며 제조 공정 기술의 대표적 코팅방법으로는 스프레이 파이로졸 코팅법(Spray Pyrolysis Deposition)과 상압 화학 기상 증착법(Atmospheric Chemical Vapor Deposition)이 있다.
불소가 첨가된 산화 주석은 무엇으로 알려져있는가? 불소가 첨가된 산화 주석(FTO: Florude-doped Tin Oxide)은 액정표시소자, 플라스마 발광표시소자, 일렉트로루미네센스 표시소자 등의 디스플레이용 투명전도막, 친환경을 위한 에너지절약 유리인 로이(Low-e), 태양전지용 투명전도막, 자동차용 솔라(Solar) 유리, 자동차, 항공기, 건축물 등의 유리창의 결로방지 또는 빙결방지를 위한 발열저항체나 가시광선에 대하여 투과성이 높은 중요한 전극소재로 알려져 있다[1-10]. FTO 박막 소재와 같은 용도로 쓰이는 전극재료로는 안티몬을 함유하는 산화 주석(ATO), 주석을 함유하는 산화인듐(ITO), 아연을 함유하는 산화 아연(ZnO) 등이 알려져 있다[11-15].
ITO를 150℃이상의 온도에서 가열하면 어떤 현상이 생기며 문제점은 무엇인가? FTO 박막 소재와 같은 용도로 쓰이는 전극재료로는 안티몬을 함유하는 산화 주석(ATO), 주석을 함유하는 산화인듐(ITO), 아연을 함유하는 산화 아연(ZnO) 등이 알려져 있다[11-15]. 그러나 ITO는 150℃이상의 온도에서 가열하여 성형할 경우 ITO의 전기적 물성이 바뀌고, 내열성, 내화학성 및 내마모성이 약한 문제점을 가지고 있다. 따라서 투명 전도막들과 차별화 되는 고온 내열성 (약 500℃), 내화학성과 내부식성이 요구된다.
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참고문헌 (16)

  1. C. Hudaya1, J. H. Park & J. K. Lee. (2012). Effects of process parameters on sheet resistance uniformity of fluorine-doped tin oxide thin films. Nanoscale Research Letters, 7, 17 http://www.nanoscalereslett.com/content/7/1/17 

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  2. Z. Y. Banyamin, P. J. Kelly, G. West & J. Boardman. (2014). Electrical and Optical Properties of Fluorine Doped Tin Oxide Thin Films Prepared by Magnetron Sputtering. Coatings, 4, 732-746. DOI : 10.3390/coatings4040732 

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  3. M. L. M. Napi1, M. F. Maarof1, C. F. Soon1, N. Nayan1, F. I. M, Fazli1, N. K. A. Hamed1, S. M. Mokhtar1, N. K. Seng1, M. K. Ahmad1, A. B. Suriani2 and A. Mohamed. (2016). Fabrication of Fluorine doped tin oxide(FTO) thin filmsusing spray pyrolysis deposition method for transparent conducting oxide, ARPN Journal of Engineering and Applied Sciences, 11, 14, 8800-8804 

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  15. J. T. Kim, C. Kim, S. J. Jung & Y. S. Hon. (2009). Study of efficiency in dye-sensitized solar cells on FTO substrate and $Ti0_2$ layer thickness., Applied Chemistry, 13(l), 121-124. 

  16. K. C. Kim. (2018). A Study on the Effect of Graphene Substrate for Growth of Vanadium Dioxide Nanostructures. Journal of Convergence for Information Technology, 8(5), 95-100. 

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