결정성 이산화티탄 나노졸 블록킹층 도입을 통한 거친 표면을 가지는 FTO 투명전극기판 위 수직 배향된 산화아연 나노막대 형성에 관한 연구 A Study on Formation of Vertically Aligned ZnO Nanorods Arrays on a Rough FTO Transparent Electrode by the Introduction of TiO2 Crystalline Nano-sol Blocking Interlayer원문보기
용액공정이 가능한 5 nm 정도의 입경을 가지는 이산화티탄 단분산 나노졸을 솔-젤법을 통하여 합성하였다. 결정성 이산화티탄 나노졸의 저온 스핀코팅 공정을 통하여, 거친 표면을 가지는 FTO 투명전극 기판에 블록킹층을 형성하였다. 이산화티탄 나노졸을 블록킹층에 코팅을 함으로써 거친 FTO 표면을 점진적으로 완만하게 할 수 있었다. 1, 2.5, 5, 및 10 중량%의 결정성 이산화티탄 나노 졸을 FTO 투명전극 기판에 스핀코팅하여 29, 38, 62 및 226 nm 두께의 이산화티탄 블록킹층을 형성할 수 있었다. 5 및 10 중량%의 결정성 이산화티탄 나노 졸의 경우 제곱평균 48.7 nm의 표면조도를 가지는 FTO의 투명전극 표면을 효과적으로 평탄화할 수 있었으며 이로 인해 1차원 형태의 산화아연 나노막대를 효과적으로 기판에 수직으로 배향할 수 있었다.
용액공정이 가능한 5 nm 정도의 입경을 가지는 이산화티탄 단분산 나노졸을 솔-젤법을 통하여 합성하였다. 결정성 이산화티탄 나노졸의 저온 스핀코팅 공정을 통하여, 거친 표면을 가지는 FTO 투명전극 기판에 블록킹층을 형성하였다. 이산화티탄 나노졸을 블록킹층에 코팅을 함으로써 거친 FTO 표면을 점진적으로 완만하게 할 수 있었다. 1, 2.5, 5, 및 10 중량%의 결정성 이산화티탄 나노 졸을 FTO 투명전극 기판에 스핀코팅하여 29, 38, 62 및 226 nm 두께의 이산화티탄 블록킹층을 형성할 수 있었다. 5 및 10 중량%의 결정성 이산화티탄 나노 졸의 경우 제곱평균 48.7 nm의 표면조도를 가지는 FTO의 투명전극 표면을 효과적으로 평탄화할 수 있었으며 이로 인해 1차원 형태의 산화아연 나노막대를 효과적으로 기판에 수직으로 배향할 수 있었다.
We synthesized the solution processible monodispersed $TiO_2$ crystalline nano-sol with ~ 5 nm in size by sol-gel method. Through the spin-coating of crystalline $TiO_2$ nano-sol at low processing temperature, we could make even blocking interlayer on the rough FTO transparent ...
We synthesized the solution processible monodispersed $TiO_2$ crystalline nano-sol with ~ 5 nm in size by sol-gel method. Through the spin-coating of crystalline $TiO_2$ nano-sol at low processing temperature, we could make even blocking interlayer on the rough FTO transparent electrode substrate. The rough FTO surface could be gradually smoothed by the spin-coating of nano-crystalline $TiO_2$ sol based blocking interlayer. The 1, 2.5, 5, and 10 wt% of nanocrystalline $TiO_2$ sol formed 29, 38, 62, and 226 nm-thick of blocking interlayer in present experimental condition, respectively. The 5 and 10 wt% of $TiO_2$ nano-sol could effectively fill up the valley part of bare FTO with 48.7 nm of rms (root mean square) roughness and consequently enabled the ZnO to be grown to vertically aligned one dimensional nanorods on the flattened blocking interlayer/FTO substrate.
We synthesized the solution processible monodispersed $TiO_2$ crystalline nano-sol with ~ 5 nm in size by sol-gel method. Through the spin-coating of crystalline $TiO_2$ nano-sol at low processing temperature, we could make even blocking interlayer on the rough FTO transparent electrode substrate. The rough FTO surface could be gradually smoothed by the spin-coating of nano-crystalline $TiO_2$ sol based blocking interlayer. The 1, 2.5, 5, and 10 wt% of nanocrystalline $TiO_2$ sol formed 29, 38, 62, and 226 nm-thick of blocking interlayer in present experimental condition, respectively. The 5 and 10 wt% of $TiO_2$ nano-sol could effectively fill up the valley part of bare FTO with 48.7 nm of rms (root mean square) roughness and consequently enabled the ZnO to be grown to vertically aligned one dimensional nanorods on the flattened blocking interlayer/FTO substrate.
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문제 정의
따라서, 무기반도체 감응형 태양전지에서 1차원 형태의 산화아연 나노막대를 FTO 기판 위에 서로 엉키지 않고 수직으로 잘 정렬된 형태로 성장시키는 것이 가장 선행되어야 할 과제이다. 본 논문은 FTO 기판 위에 결정성 나노 이산화티탄 졸을 이용하여 블록킹층(blocking layer)을 스핀코팅 공정을 이용하여 형성하고, 그 위에 서로 엉키지 않고 수직으로 잘 정렬된 형태의 1차원 산화아연 나노막대를 성장시키는 방법에 관한 것이다.
제안 방법
결정성 이산화티탄 나노졸을 이용하여 형성한 블록킹층 위에 성장하는 산화아연 나노막대의 형태를 관찰하기 위해서, 문헌에 보고된 방식대로 시드 매개 용액공정을 이용하여 산화아연 나노막대를 성장시켰다[6,11]. 스핀 코팅 공정을 통하여 형성된 결정성 이산화티탄 나노졸 블록킹층/FTO 기판 위에 형성된 산화아연 나노막대의 주사전자현미경 단면 사진은 Fig.
4. 결론
결정성 이산화티탄 나노졸을 저온 공정을 통하여 거친 표면조도를 가지는 FTO 투명전극 기판 위에 스핀코팅함으로써 평탄한 표면을 가지는 이산화티탄 블록킹층/FTO 기판을 제작할 수 있었다. 결정성이산화티탄 나노졸의 농도가 1, 2.
그 후, 80oC로 셋팅이 된 oil bath를 이용하여 반응물을 가열하였고 질산을 이용하여 pH 1 이하로 적정한 후, 8시간 동안 반응을 진행하였다. 반응이 끝난 후, 반응물을 상온으로 냉각하고, rotary evaporator를 이용하여 1, 2.5, 5, 및 10 중량%수용액으로 농축하였다.
아연 전구체를 산화아연으로 변환시키기 위해, 공기 분위기 하에서 450oC에서 30분간 열처리하였다. 산화아연 나노막대를성장시키기위해, 산화아연시드층이형성된기판을 95oC의0.015 M zinc hexahydrate(ACS reagent, 98%)와 0.015 M hexaethylenetetramine(ACS reagent, 99+%)의 혼합 수용액에 12시간 동안 침적 하였다.
스핀코팅용결정성이산화티탄나노졸은본연구팀에서문헌에보고한 것을 참조로 하여 제조하였다[20]. 콘덴서(condenser)가 설치된1 L의 둥근바닥 플라스크에 2차 증류수 525 g을 넣은후, 티타늄이소 프로폭사이드(titanium(IV) isopropoxide, Aldrich) 84 g을 강하게 교반 하면서 천천히 적가하였다.
1 M의 Zn(NO3)2·6H2O(ACS reagent, P98%) 에탄올 용액을 이산화티탄 블록킹층이 형성된 FTO 기판 위에 2000 rpm으로 30초 동안 스핀 코팅하였다. 아연 전구체를 산화아연으로 변환시키기 위해, 공기 분위기 하에서 450oC에서 30분간 열처리하였다. 산화아연 나노막대를성장시키기위해, 산화아연시드층이형성된기판을 95oC의0.
이산화티탄블록킹층을 FTO(TEC8, Pilkington) 기판위에형성하기 위해, 상기의 이산화티탄 나노졸(1, 2.5, 5, 및 10 중량%) 용액을 2.5 cm×2.5 cm의 FTO 기판 위에 1500 rpm으로 30초 동안 스핀코팅 하였다.
이론/모형
스핀코팅 후, 생성된 블록킹층은 100 o C 핫플레이트 위에서1 h 동안 건조하였다. 이산화티탄 블록킹층이 형성된 FTO 기판 위에 산화아연 나노막대를 성장시키기 위해 시드매개 용액 공정법[6,11]을 이용하였다. 우선, 산화아연 시드층을 형성하기 위해, 0.
성능/효과
여기서 결정성의 이산화티탄 블록킹층이 저온 용액 공정(스핀코팅=상온, 건조=100oC)을 통하여 형성될 수 있음은, 결정성 이산화티탄 나노졸을 이용하여 저온 공정용 유연 감응형 태양전지의 블록킹층을 형성할 수 있음을 보여준다. 20 중량% 초과의 농도를 사용하여 블록킹층을 형성할 경우, 평탄한 표면을가지는 두꺼운 블록킹 층이 형성되지만 표면 크랙이 발생하기 시작하므로, 5~10 중량%의 이산화 티탄 나노졸을 이용하여 이산화티탄 블록킹 층을 형성하는 것이 적당함을 알 수 있었다.
5, 5, 및 10 중량%로 증가함에 따라, 스핀코팅 공정을 통하여 형성되는 이산화티탄 블록킹층의 두께도 29, 38, 62, 및 226 nm로 점진적으로 증가하는 경향을 나타내었으며 유동성이 있는 결정성 이산화티탄 나노졸에 의해 FTO 기판의 움푹 패인 곳이 메워지는 효과로 인해 FTO 기판의 표면 또한 점진적으로 평탄해지는 경향을 나타내었다. FTO 기판 자체의 rms 및 10 point 평균 Rz 표면조도 값은 48.7과 288 nm로써 5 중량% 이상의 농도를 가지는 결정성 이산화티탄 나노졸의 경우 효과적으로 FTO 기판을 평탄하게 함을 알 수 있었다. 따라서, 5와 10 중량%의 결정성 이산화티탄나노졸을이용하여 형성한 블록킹층 위에서만 서로 엉키지 않고 수직으로 잘 정렬된 구조를 가지는 1차원 형태의 산화아연 나노막대를 시드매개 용액공정을 이용하여 형성할 수 있었다.
각각의 주사전자현미경 사진의 삽화는 블록킹층이 형성된 FTO 기판의 주사전자현미경 단면 사진을 나타낸 것이며, 결정성 이산화티탄 나노졸로부터 형성된 이산화티탄 블록킹층의 두께가 각각 29, 38, 62, 및 226 nm임을 보여준다. Fig. 2(a)의 FTO 기판의 AFM 이미지에서, FTO 기판의 rms(제곱평균) 및 10 point 평균 Rz 표면조도 값은 48.7과 288 nm로써, FTO 기판의 움푹 패인곳을 메우기 위해서는 5 중량% 이상의 농도를 가지는 결정성 이산화티탄 나노졸이 필요함을 알 수 있으며, 이는 이산화티탄 블록킹층이형성된 FTO 기판의주사전자현미경 표면사진의 결과와 잘 일치함을 할 수 있다. 여기서 결정성의 이산화티탄 블록킹층이 저온 용액 공정(스핀코팅=상온, 건조=100oC)을 통하여 형성될 수 있음은, 결정성 이산화티탄 나노졸을 이용하여 저온 공정용 유연 감응형 태양전지의 블록킹층을 형성할 수 있음을 보여준다.
6(a-d)에 나타내었다. Fig. 4의 주사 전자현미경 단면 사진에서 알 수 있듯이, 1과 2.5 중량%의 결정성이산화티탄 나노졸을 이용하여 형성한 블록킹층 위에서는 산화아연 나노막대가 FTO의 표면 조도를 따라 기울어지거나 서로 엉킨 구조의 형태를 나타내는 반면, 5와 10 중량%의 결정성 이산화티탄 나노 졸을 이용한 블록킹층 위에는 산화아연 나노막대가 수직으로 잘 정렬된 구조의 형태를 나타냄을 알 수 있었다. 이는 결정성 이산화티탄 나노졸이 FTO 투명전극 기판의 움푹 패인 곳을 효과적으로 메움 으로써 평탄한 이산화티탄 블록킹층을 형성하기 때문에 1차원 형태의 산화아연 나노막대가 서로 엉키지 않고 수직으로 정렬된 형태를 나타내는 것으로 판단된다.
결정성 이산화티탄 나노졸의 농도가 진해짐에 따라, FTO 기판의 표면조도는 점진적으로 낮아져 평탄화 됨을 알 수 있었으며, 외관상 5 중량% 이상에서 FTO 기판의움푹패인골짜기가효과적으로메워지고 10 중량%에서 FTO 기판이 움푹 패인곳이 없이 완전히 평탄화됨을 알 수 있었다. 각각의 주사전자현미경 사진의 삽화는 블록킹층이 형성된 FTO 기판의 주사전자현미경 단면 사진을 나타낸 것이며, 결정성 이산화티탄 나노졸로부터 형성된 이산화티탄 블록킹층의 두께가 각각 29, 38, 62, 및 226 nm임을 보여준다. Fig.
5, 5, 및 10 중량%)에 따라 형성되는 블록킹 층의 형태의 주사전자현미경(SEM) 사진을 나타내었다. 결정성 이산화티탄 나노졸의 농도가 진해짐에 따라, FTO 기판의 표면조도는 점진적으로 낮아져 평탄화 됨을 알 수 있었으며, 외관상 5 중량% 이상에서 FTO 기판의움푹패인골짜기가효과적으로메워지고 10 중량%에서 FTO 기판이 움푹 패인곳이 없이 완전히 평탄화됨을 알 수 있었다. 각각의 주사전자현미경 사진의 삽화는 블록킹층이 형성된 FTO 기판의 주사전자현미경 단면 사진을 나타낸 것이며, 결정성 이산화티탄 나노졸로부터 형성된 이산화티탄 블록킹층의 두께가 각각 29, 38, 62, 및 226 nm임을 보여준다.
결정성 이산화티탄 나노졸을 저온 공정을 통하여 거친 표면조도를 가지는 FTO 투명전극 기판 위에 스핀코팅함으로써 평탄한 표면을 가지는 이산화티탄 블록킹층/FTO 기판을 제작할 수 있었다. 결정성이산화티탄 나노졸의 농도가 1, 2.5, 5, 및 10 중량%로 증가함에 따라, 스핀코팅 공정을 통하여 형성되는 이산화티탄 블록킹층의 두께도 29, 38, 62, 및 226 nm로 점진적으로 증가하는 경향을 나타내었으며 유동성이 있는 결정성 이산화티탄 나노졸에 의해 FTO 기판의 움푹 패인 곳이 메워지는 효과로 인해 FTO 기판의 표면 또한 점진적으로 평탄해지는 경향을 나타내었다. FTO 기판 자체의 rms 및 10 point 평균 Rz 표면조도 값은 48.
7과 288 nm로써 5 중량% 이상의 농도를 가지는 결정성 이산화티탄 나노졸의 경우 효과적으로 FTO 기판을 평탄하게 함을 알 수 있었다. 따라서, 5와 10 중량%의 결정성 이산화티탄나노졸을이용하여 형성한 블록킹층 위에서만 서로 엉키지 않고 수직으로 잘 정렬된 구조를 가지는 1차원 형태의 산화아연 나노막대를 시드매개 용액공정을 이용하여 형성할 수 있었다. 이러한 수직으로 잘 정렬된 1차원 형태의 산화아연 나노막대 광전극은 태양전지[24], 광촉매[25,26] 및발광다이오드분야의핵심소재로활용 될 수 있을 것으로 기대된다.
무기반도체 감응형 태양전지에서 무기반도체는 기존의 루테늄(Ru)/ 유기염료 보다 흡광 계수가 높고, 루테늄/유기염료가 광전극에 단층 (mono-layer)으로 흡착되는 것과는 달리 ~10 nm 정도의 두께로 광전극 표면에 코팅되는 특징을 가진다. 따라서, 무기반도체 감응체의 단위 표면적당 생성되는 전하의 개수는 루테늄/유기염료 감응체의 단위 표면적당 생성되는 전하의 개수에 비해 월등히 많음을 알 수 있다. 감응형 태양전지에서 전하는 빛의 조사에 의해 감응체에서 생성되는데 이때 생성된 전자는 전자전달체로 동시에 홀은 인접하는 전해질의 산화/환원쌍(redox couple)에 의해 재생(regeneration)이 되어 작동하게 되는데, 무기반도체 감응체와 같이 많은 수의 전하를 생성 하는 감응체의 경우 생성된 홀을 효과적으로 재생하기 위해서는 더많은 수의 산화/환원쌍을 필요로 하므로 다공성 광전극내의 공극이 기존의 루테늄/유기염료 감응형 태양전지 보다 훨씬 큰 것이 유리하다.
분무열분해법은이산화티탄 전구체의 유기물 부분을 열분해하고 비정질이 아닌 결정질의 이산화티탄을 형성하기위해 450 o C 이상의고온공정을반드시요구하므로, ITO(indium doped thin oxide)/PEN(polyethylene naphthalate)와 ITO/PET(polyethylene terephthalate) 필름과 같은 유연기판을 이용하는 유연 투명 전극 기판에는 사용될 수 없는 공정이다. 따라서, 본 연구팀에서는 결정성 이산화티탄 나노졸을 블록킹층으로 이용하면 거친 표면조도를 가지는 FTO 투명 전극기판의 움푹 패인 골짜기 부분은 나노졸이 메워주는 역할을 하여 표면을 평탄화하는 역할을 할 것으로 생각하였다. 또한 기존의 분무열분해법과는 달리 결정성을 가지는 이산화티탄나노입자를이용하므로결정질로의 상변화를위한 고온 공정을 요구하지 않아 150oC 이하의 저온 공정용 블록킹층으로 활용될 수 있을 것으로 기대하였다.
5, 5, 및 10 중량%의 이산화티탄 나노졸의 사진을 나타낸 것이며, 합성된 이산화티탄 나노졸의 반 투명성은 생성된 이산화티탄 나노입자가 서로 뭉치지 않고 단분산 형태로 잘 분산되어 있음을 간접적으로 증명해 준다. 또한 X선 회절 패턴을 이용하여 Scherrer식에서 생성된 이산화티탄 나노입자의 입경을 예측할 수 있는데 ~5nm 정도로 실험치와 유사한 값을 가짐을 알 수 있었다.
통상적으로 이산화티탄 블록킹층은 광전극과 FTO 투명전극간의 직렬저항 성분을 최소화하고 전해질과 투명전극이 직접 닿아 재결합이 생성되는 것을 방지하기 위해서 10~200 nm 정도의 두께로 형성된다. 본 연구팀에서는 분무열분해법을 통하여 박막형태의 이산화티탄 블록킹층의 두께를 잘 제어할 수 있지만 분무열분해법을 통해 형성된 이산화티탄 블록킹층은 FTO 기판의 표면조도를 크게 줄이지 못함을 발견하였다. 이는분무열분해법을통하여 생성되는이산화티탄블록킹층은 FTO 기판의 표면조도를 따라 동일한 두께로 블록킹층을 형성하기 때문인 것으로 판단된다.
주사전자현미경 단면 사진에서, 시드매개 용액 공정법을 통하여 성장한 1차원 형태의 산화아연 나노막대의 직경은 30~60 nm, 길이는 ~2 µm 정도임을 알 수 있었다.
후속연구
따라서, 본 연구팀에서는 결정성 이산화티탄 나노졸을 블록킹층으로 이용하면 거친 표면조도를 가지는 FTO 투명 전극기판의 움푹 패인 골짜기 부분은 나노졸이 메워주는 역할을 하여 표면을 평탄화하는 역할을 할 것으로 생각하였다. 또한 기존의 분무열분해법과는 달리 결정성을 가지는 이산화티탄나노입자를이용하므로결정질로의 상변화를위한 고온 공정을 요구하지 않아 150oC 이하의 저온 공정용 블록킹층으로 활용될 수 있을 것으로 기대하였다. 결정성 이산화티탄 나노졸을 이용하여 스핀공정과 같은 용액공정을 통해 블록킹층을 형성할 경우, 유동성이 있는 이산화티탄 나노졸에 의해 FTO 기판이 평탄화가 일어나고, 평탄화된 블록킹층/FTO 기판 위에 1차원 형태의 산화아연이 서로 엉키지 않고 기판에 수직으로 배향된 형태로 성장할 수 있을 것으로 예상된다.
따라서, 5와 10 중량%의 결정성 이산화티탄나노졸을이용하여 형성한 블록킹층 위에서만 서로 엉키지 않고 수직으로 잘 정렬된 구조를 가지는 1차원 형태의 산화아연 나노막대를 시드매개 용액공정을 이용하여 형성할 수 있었다. 이러한 수직으로 잘 정렬된 1차원 형태의 산화아연 나노막대 광전극은 태양전지[24], 광촉매[25,26] 및발광다이오드분야의핵심소재로활용 될 수 있을 것으로 기대된다.
질의응답
핵심어
질문
논문에서 추출한 답변
1차원 나노소재가 전기 및 열의 이동 특성이 양자 구속 현상이나 포논 산란 현상에 의해 제어될 수 있는 이유는 무엇인가?
최근 나노선, 나노막대, 나노튜브 및 나노벨트를 포함하는 1차원 나노소재는 벌크 및 3차원 소재에서 나타나지 않는 독특한 물성을 나타낼 수 있어 많은 연구가 진행되었다[1,2]. 특히 1차원 나노소재의 경우 매우 큰 종횡비를 가지므로 전기 및 열의 이동 특성이 양자 구속 현상이나 포논 산란 현상에 의해 제어될 수 있다[3]. 또한 1차원나노구조는광자(photon)를 1차원구조속에가이드(guide)하거나 구속할 수 있으며 3차원 형태로 서로 복잡하게 연결된 3차원 나노구조체 보다 매우 짧은 경로를 통해 광자를 이동시킬 수 있는 통로 역할을 할 수 있다[4-6].
1차원 산화아연은 어떤 특성을 가지고 있는가?
특히 1차원 산화아연은 매우 큰 엑시톤 결합에너지(60 mV)를 가지는 넓은 직접 밴드갭(Eg=3.37 eV)을 가지며, UV 영역에서 청색광을 발광하고, 투명전도도와 압전특성 및 생체친화성의 특성을 가져 지난 십년간 매우 많은 연구가 진행되었다[7]. 특히, 기판 위에 1차원형태의 산화아연 나노막대를 배열하기위해서, VLS(vapor-liquidsolid)법[8], VS(vapor-solid)법[9] 및 고온 용액법[10,11]과 같은 다양한 합성 방법이 개발되었다.
기판 위에 1차원형태의 산화아연 나노막대를 배열하기 위한 방법 중 고온 용액법의 장점은 무엇인가?
특히, 기판 위에 1차원형태의 산화아연 나노막대를 배열하기위해서, VLS(vapor-liquidsolid)법[8], VS(vapor-solid)법[9] 및 고온 용액법[10,11]과 같은 다양한 합성 방법이 개발되었다. 이 중에서 고온 용액법은 저가의 편리한 용액공정의 장점을 활용할 수 있고, 다른 금속, 반도체 및 금속 산화물과의 반응을 통하여 새로운 화합물을 만들 수 있는 특징을 가져 매우 유용한 합성 방법이라 할 수 있다.
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