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NTIS 바로가기E<SUP>2</SUP>M : Electrical & Electronic materials = 전기 전자와 첨단 소재, v.31 no.6, 2018년, pp.16 - 25
변명환 (계명대학교 신소재공학과)
초록이 없습니다.
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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인상변화 메모리 (PCM)는 무엇인가? | 비휘발성 랜덤 액세스 메모리의 한 종류 인상변화 메모리 (PCM)는 차세대 비휘발성 메모리로서 플래시 메모리 소자를 대체 할 수 있는 대체 메모리 중 하나이다. 높은 스위칭 속도, 우수한 내구성, 비휘발성, 낮은 공정비용 및 고유한 확장성으로 인해 PCM은 플래시 메모리보다 더 매력적일 수 있다. | |
RRAM이 큰 관심을 끌게 된 이유는 무엇인가? | 물질의 저항 상태를 가역적으로 전환하여 메모리 기능을 조작하는 개념에 기반한 RRAM(resistive random access memory)은 높은 비휘발성 메모리와 같은 잠재적 인 이점으로 인해미래의 비휘발성 메모리에 대한 유망하고 파괴적인 선택으로 큰 관심을 끌어왔다. 저장 밀도 및 삼차원 적층, 데이터 전송을 위한 빠른 스위칭 속도, 스위칭 사이클 당 저전력 소비, 낮은 공정 온도, 기존 마이크로 전자 제조 공정과의 용이한 호환성 및 통합 SET 및 RESET 동작, 두 가지 기본적인 저항 스위칭 구조, 단극및 양극 스위칭이 보고되었다. 단극 저항성 스위칭 메모리는 SET 및 RESET 프로세스의 전압극성에 의존하지 않는다. | |
PCM 메모리의 특징은 무엇인가? | 비휘발성 랜덤 액세스 메모리의 한 종류 인상변화 메모리 (PCM)는 차세대 비휘발성 메모리로서 플래시 메모리 소자를 대체 할 수 있는 대체 메모리 중 하나이다. 높은 스위칭 속도, 우수한 내구성, 비휘발성, 낮은 공정비용 및 고유한 확장성으로 인해 PCM은 플래시 메모리보다 더 매력적일 수 있다. 칼코겐화물 Ge2Sb2Te5(GST)로 대표되는 위상 변화 물질의 전례 없는 거동은 저항 상태의 변화를 일으키는 상변화 물질의 가열에 적절한 전압 펄스를 인가함으로써 결정질과 비정질 상태 사이의 가역적인 스위칭이다. |
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