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BCP 자기조립을 활용한 전자 및 에너지 발전 소자의 성능 향상 원문보기

E<SUP>2</SUP>M : Electrical & Electronic materials = 전기 전자와 첨단 소재, v.31 no.6, 2018년, pp.16 - 25  

변명환 (계명대학교 신소재공학과)

초록이 없습니다.

AI 본문요약
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문제 정의

  • BCP 자기 조립 기술을 사용하면 성능 향상을 위한 차세대 전자 및 에너지 장치 영역에서 큰 이점을 얻을 수 있다. 본고는 BCP 자기조립기술을 통해 개발 제조된 비휘발성 메모리 소자(PCM, RRAM, 플래시 메모리), 전기 센서 소자(가스 및 생물 센서), 에너지 소자(TENG 및 염료 감응형 태양 전지) 조립 공정에 대해 논의하였다. 또한 본고에서 기술된 BCP 자기 조립에 기반을 둔 접근법은 다음 3가지의 큰 범주로 나뉠 수 있다.
  • 본고에서는 차세대 비휘발성 메모리 디바이스, 전기 센서 디바이스, 정전기력 나노 발전디바이스들을 포함하는 전자 및 에너지 어플리케이션을 위한 자기 조립된 BCP 나노 구조의 최근 연구 결과에 대해 이야기 할 것이다. BCP 자기조립 기술을 적용하여 소자 성능을 보다 효과적으로 향상시킬 수 있다는 관점에서 염료 감응형 태양 전지 소자와 BCP 자기조립과 결합 된 제조 공정은 관련 연구의 독창적인 특성을 강조하고 차세대 전자 장치의 실현을 강조하는 아이디어를 제공 할 수 있습니다.
  • 장치의 표준화된 저항은 에탄올의 분압에 따라 증가하는 것으로 관찰되었으며, 개발된 가스센서가 에탄올 증기를 검출하는 능력을 확인했습니다. 이 연구는 BCP 자기 조립에 의해 제조된 전도성 나노 와이어를 통해 목표 증기를 검출 할 수 있음을 보여 주었다.
  • 이러한 관찰은 직접적으로 GST 박막의 결정 위상의 면적 분율이 자기 조립된 SiO2 나노 구조물의 평형 형태를 조정함으로써 제어 될 수 있음을 반영하여 리셋전류 및 스위칭 전력을 발생시켰다. 이 연구는 차세대 비휘발성 메모리로서 대량 상용화를 방해하는 PCM의 주요 쟁점 중 하나를 해결하기 위해 자체 조립 BCP의 실제 적용을 위한 새로운 접근이라 할 수 있다.

가설 설정

  • -block copolymer composition depending on various morphologies. (b) Bright-field TEM images of the materials for the different recipes before calcination, i.e., as hybrid material. Light areas in (i–iii) show the organic-rich domains, and the dark areas correspond to the TiO2-rich domains.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
인상변화 메모리 (PCM)는 무엇인가? 비휘발성 랜덤 액세스 메모리의 한 종류 인상변화 메모리 (PCM)는 차세대 비휘발성 메모리로서 플래시 메모리 소자를 대체 할 수 있는 대체 메모리 중 하나이다. 높은 스위칭 속도, 우수한 내구성, 비휘발성, 낮은 공정비용 및 고유한 확장성으로 인해 PCM은 플래시 메모리보다 더 매력적일 수 있다.
RRAM이 큰 관심을 끌게 된 이유는 무엇인가? 물질의 저항 상태를 가역적으로 전환하여 메모리 기능을 조작하는 개념에 기반한 RRAM(resistive random access memory)은 높은 비휘발성 메모리와 같은 잠재적 인 이점으로 인해미래의 비휘발성 메모리에 대한 유망하고 파괴적인 선택으로 큰 관심을 끌어왔다. 저장 밀도 및 삼차원 적층, 데이터 전송을 위한 빠른 스위칭 속도, 스위칭 사이클 당 저전력 소비, 낮은 공정 온도, 기존 마이크로 전자 제조 공정과의 용이한 호환성 및 통합 SET 및 RESET 동작, 두 가지 기본적인 저항 스위칭 구조, 단극및 양극 스위칭이 보고되었다. 단극 저항성 스위칭 메모리는 SET 및 RESET 프로세스의 전압극성에 의존하지 않는다.
PCM 메모리의 특징은 무엇인가? 비휘발성 랜덤 액세스 메모리의 한 종류 인상변화 메모리 (PCM)는 차세대 비휘발성 메모리로서 플래시 메모리 소자를 대체 할 수 있는 대체 메모리 중 하나이다. 높은 스위칭 속도, 우수한 내구성, 비휘발성, 낮은 공정비용 및 고유한 확장성으로 인해 PCM은 플래시 메모리보다 더 매력적일 수 있다. 칼코겐화물 Ge2Sb2Te5(GST)로 대표되는 위상 변화 물질의 전례 없는 거동은 저항 상태의 변화를 일으키는 상변화 물질의 가열에 적절한 전압 펄스를 인가함으로써 결정질과 비정질 상태 사이의 가역적인 스위칭이다.
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