선택한 단어 수는 입니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
선택한 단어 수는 30입니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
제안 방법
- 그리고 ultrasonic cleaner를 이용하여 아세톤, 메탄올, 증류수 순서로 세정을 하였으며, 건조 작업으로 nitrogen blowing을 하였다.
- 그 위 같은 조건에서 DC 스퍼터링 방식을 이용하여 ITO 필름을 증착한 후 550℃에서 RTP 열처리 과정을 10 min 간 진행하였 다. Al을 DC 스퍼터링을 이용하여 증착한 후 마지막으로 RTP 열처리 과정을 함으로써 투명전극의 저항 값을 낮추고 투과성을 증가시켰다. 일반적으로 TCO 물질은 후열처리를 통해 투과성과 전도도를 개선시킬 수있다.
- 3 Device를 만들었다. ITO/AZO를 결합한 3가지 전극들을 실험함으로써 물질의 투명전극 효율성 및 전기적/ 광학적 특성을 비교 분석하였다.
- 실험의 공정 순서는 그림 1에 나타내었다. n-Si의 기판 위에 RF 스퍼터링 방식을 이용하여 working pressure을 5 mtorr, RF 300 W으로 AZO 필름을 증착하였다. 그 위 같은 조건에서 DC 스퍼터링 방식을 이용하여 ITO 필름을 증착한 후 550℃에서 RTP 열처리 과정을 10 min 간 진행하였 다.
- 이번 실험의 반도체 소자 구조를 관찰하기 위해서 전계 방출형 주사 현미경(FE-SEM)을 사용하였고, 3개의 반도체 소자의 전기적/광학적 특성을 비교 및 분석 하기 위해 UV-vis spectro photometer를 사용하여 투과율, 흡수율 그리고 반사율을 측정하였다. 마지막으로 광 응답 비를 구하기 위해, 광 응답 장비(WonA, ZIVE SP1)을 사용하였다.
- 본 실험에서는 Al (aluminium)과 N-type 실리콘이 결합된 기판 위에 ITO를 3분, 5분, 7분 동안 증착시킨 다음, ITO 기판 위에 AZO를 10분, 7분, 4분 동안 증착한 AZO 기판을 결합하였다. 이렇게 본 실험에 사용할 전극 모델로 ITO/AZO 기판의 두께가 30 nm/70 nm인 No.
- 본 연구에서는 스퍼터링을 이용해 ITO/AZO를 n-Si 기판에 각기 다른 두께로 증착시켜 세 가지의 광 검출기 소자를 제작하였다. 이를 토대로 전기적/광학적 특성을 비교 분석하여, 투명전극으로서의 활용성에 대해 실험 및 분석을 하였다.
- 본 연구에서는 스퍼터링을 이용해 ITO/AZO를 n-Si 기판에 각기 다른 두께로 증착시켜 세 가지의 광 검출기 소자를 제작하였다. 이를 토대로 전기적/광학적 특성을 비교 분석하여, 투명전극으로서의 활용성에 대해 실험 및 분석을 하였다. 세 가지 device는 모두 다른 sheet resistance (68.
- 접합소자의 성능을 알아보기 위해 photocurrent 값을 측정하였다. 그림 5는 각 소자의 광 응답을 나타내고 있으며 광전류는 표 2에 나타내었다.
대상 데이터
- 본 실험에서는 n-Si 기판을 사용해 차례로 100 nm 두께의 AZO와 50 nm 두께의 ITO를 sputtering을 하 였고 기판을 뒤집어 Al을 후면 전극으로 사용하였다. 그리고 ultrasonic cleaner를 이용하여 아세톤, 메탄올, 증류수 순서로 세정을 하였으며, 건조 작업으로 nitrogen blowing을 하였다.
데이터처리
- 이번 실험의 반도체 소자 구조를 관찰하기 위해서 전계 방출형 주사 현미경(FE-SEM)을 사용하였고, 3개의 반도체 소자의 전기적/광학적 특성을 비교 및 분석 하기 위해 UV-vis spectro photometer를 사용하여 투과율, 흡수율 그리고 반사율을 측정하였다. 마지막으로 광 응답 비를 구하기 위해, 광 응답 장비(WonA, ZIVE SP1)을 사용하였다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.