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Industry promotion research = 산업진흥연구, v.3 no.1, 2018년, pp.1 - 5
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 150도에서 열처리한 SnO2 박막의 전기적 특성은? | SnO2 박막은 150도 진공열처리 공정에서 양방향성의 전기적인 특성이 나타나는 것을 확인하였다. 150도 열처리하는 과정에서 반도체접합계면에서 전자와 홀의 재결합이 이루어지며, 재결합하면서 전하들이 감소하지만 PN접합에 의한 극성반전이 잘 이루어지게 되면서 0V에서 커패시턴스의 급격한 변화가 뚜렷이 보여지며 -V에서 +V에 이르기까지 전압이 변화하는 전체 구간에서 I-V 특성 변화가 나타나는 양방향성 특성을 갖게 된다는 것을 확인하였다. | |
| ZnO 기반 TFT의 특징은? | 그런데 현재는 투명한 전자소자를 만들 수 있다는 장점에 의하여 다방면에서 많은 연구가 이루어지고 있다[6-8]. 투명전도성물 질의 대표적인 물질 중 하나인 ZnO 기반 TFT는 a-si에 비해 높은 이동도를 가지고 고속 회로 구동이 가능하며 저온 진공공정에서의 제작이 가능한 특징이 있다. 또한 상대적으로 넓은 밴드 갭(Wide band gap, 3.3eV)을 갖고 있으며 높은 결합에너지를 갖는다[9-11]. | |
| 열처리에 따른 SnO2 박막의 변화는? | 1은 진공 중에서 열처리한 SnO2 박막의 XRD 패턴을 나타낸다. 증착한 SnO2 박막은 비정질특성을 나타내지만, 열처리 오도가 높아짐에 따라서 서서히 결정질 특성으로 변하고 있다. 21o와 32o근처에서 나타나는 XRD픽에서 비정질 특성과 결정성의 특성이 달라지는 모습을 확실히 알 수 있다. |
Reynier I. Revilla, Xiao-Jun Li, Yan-Lian Yang, Chen Wang, Large electric field enhanced hardness effect in a $SiO_2$ film, Sci. Rep. 4, 4523, 2014.
H. M. Kim and J. J. kim, "Heat treatment effects on the electrical properties of In2O3-ZnO films prepared by rf-magnetron sputtering method," J. Korean Vacuum Society, Vol. 14, pp. 238-244, 2005.
Teresa Oh "Analysis of Electrical Characteristics of Oxide Semiconductor of ZnO, SnO2 and ZTO" Korean Journal of Materials Research, Vol. 25 pp 347-349, 2016.
Young Deuk Ann, Jae Ho Yeon and Teresa Oh, "Comparison between the electrical properties and structures after atmosphere annealing and vaccum annealing of IGZO thin films," Industry Promotion Research, Vol. 1, pp. 1-6, 2016.
D. H. Hwang, H. H. Ahn, K. N. Hui, K. S. Hui, and Y. G. Son, "Effect of oxygen partial pressure contents on the properties of Al-doped ZnO thin films prepared by radio frequency sputtering," J. Ceram. Proc. Res., Vol. 12, pp. 150-154, 2011.
Kyoungjin Kim and Joong-Youn Park" Effects of Forced Self Driving Function in Silicon Wafer Polishing Head on the Planarization of Polished Wafer Surfaces " The Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers, March 2014. Vol. 13,pp13-17 No. 1.
Dukyean Yoo, Hyoungju Kim, Junyeong Kim and Jungyol Jo" Current Variation in ZnO Thin-Film Transistor under Different Annealing Conditions " Journal of the Semiconductor & Display Technology, Vol. 13, pp.63-66, 2014.
Chu, M.C., Meena, J.S., Liu, P.T., Shieh, H.D., You, H.C., Tu, Y.W., Chang, F.C., and Ko, F.H., "Oxygen Plasma Functioning of Charge Carrier Density in Zinc Oxide Thin-Film Transistors," Applied Physics Express, Vol. 6, 076501, 2013.
Young Ho So, Jung Ho Song, Dong Myung Seo and Teresa Oh, "A study on the chemical properties of AZO with crystral structure and IGZO of amorphous structure due to the annealing temperature," Industry Promotion Research, Vol. 1, pp. 1-6, 2016.
D. H. Hwang, H. H. Ahn, K. N. Hui, K. S. Hui, and Y. G. Son, "Effect of oxygen partial pressure contents on the properties of Al-doped ZnO thin films prepared by radio frequency sputtering," J. Ceram. Proc. Res., Vol. 12, pp. 150-154, 2011.
Chu, M. C., Meena, J.S., Liu, P.T., Shieh, H.D., You, H.C., Tu, Y.W., Chang, F.C., and Ko, F.H., "Oxygen Plasma Functioning of Charge Carrier Density in Zinc Oxide Thin-Film Transistors," Applied Physics Express, Vol. 6, 076501, 2013.
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