최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.31 no.3, 2018년, pp.129 - 134
이동현 (부경대학교 인쇄정보공학과) , 문지훈 (부경대학교 인쇄정보공학과) , 박준구 (부경대학교 인쇄정보공학과) , 정지윤 (부경대학교 인쇄정보공학과) , 조일영 (부경대학교 인쇄정보공학과) , 김동은 (부경대학교 인쇄정보공학과) , 백강준 (부경대학교 인쇄정보공학과)
Herein, we report the manufacture of high-performance, ambipolar organic field-effect transistors (OFETs) and complementary-like electronic circuitry based on a blended, polymeric, semiconducting film. Relatively high and well-balanced electron and hole mobilities were achieved by incorporating a sm...
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
고성능 유기전계효과트랜지스터 구현을 위해서는 무엇이 필요한가? | 유기물 반도체를 활용한 트랜지스터는 차세대 플렉 서블 디스플레이의 구동소자 및 백-플레인, 플래시 메모리, 웨어러블 디바이스용 각종 센서, RFID 및 스마트 태그 등에 폭넓게 응용 가능하며, 유연/신축성을 지닌 인쇄전자 기술 구현에 매우 중요한 핵심 전자소자이다 [1]. 고성능 유기전계효과트랜지스터(organic fieldeffect transistors, OFETs) 구현을 위해서는 고이동도의 전하 이동 특성 구현이 선행되어야 하며, 공기나 고온 노출 등 구동 환경에서의 안정성 역시 확보되어야 한다 [2]. 인쇄전자 회로 구현을 위해서는 P형과 N형 OFET의 균형 있는 전하이동 특성이 필요하며, 이를 활용해 complementary metal oxide semiconductor (CMOS) 기반의 인버터(inverter)를 우선 구현하고, 이를 집적화해 복합한 논리/연산 회로, 집적회로 구현이 가능하다 [3]. | |
고성능 양극성(ambipolar) 유기반도체 OFET 소자를 구현하기 위해서는 무엇이 필요한가? | 양극성(ambipolar) 유기반도체는 동일한 반도체 채널을 통해 인가되는 외부 전압 조건에 따라 전자(electron)와 정공(hole)이 이동할 수 있도록 제어 가능한 물질이며, 이를 이용해 전자회로를 제작할 경우 추가적인 반도체 패턴 공정 없이 단순 코팅 공정만으 로도 인쇄전자 회로를 구현할 수 있다는 장점이 있다 [4]. 고성능 양극성 반도체 OFET 소자를 구현하기 위해서는 우선 전자 도너(donor)와 억셉터(acceptor) 역할을 할 수 있는 분자구조가 유기물 반도체 주-골격에 포함되어 있어야 하고, 소스/드레인(source/drain) 전극으로부터 원활한 전자와 정공의 주입이 이루어져야 한다. 또한 반도체와 게이트 절연체 사이의 계면에서 전자의 트랩이 발생하지 않도록 적절한 절연 소재 선정과 최적의 소자 구조를 설계하는 것이 중요하다. 이를 위해 다양한 방법의 연구가 진행되어 왔으며 비교적 성공적으로 CMOS와 유사한 구조의 CMOS-like 인버터가 구현되었다 [3]. | |
양극성(ambipolar) 유기반도체는 무엇인가? | 양극성(ambipolar) 유기반도체는 동일한 반도체 채널을 통해 인가되는 외부 전압 조건에 따라 전자(electron)와 정공(hole)이 이동할 수 있도록 제어 가능한 물질이며, 이를 이용해 전자회로를 제작할 경우 추가적인 반도체 패턴 공정 없이 단순 코팅 공정만으 로도 인쇄전자 회로를 구현할 수 있다는 장점이 있다 [4]. 고성능 양극성 반도체 OFET 소자를 구현하기 위해서는 우선 전자 도너(donor)와 억셉터(acceptor) 역할을 할 수 있는 분자구조가 유기물 반도체 주-골격에 포함되어 있어야 하고, 소스/드레인(source/drain) 전극으로부터 원활한 전자와 정공의 주입이 이루어져야 한다. |
Y. Guo, G. Yu, and Y. Liu, Adv. Mater., 22, 4427 (2010). [DOI: https://doi.org/10.1002/adma.201000740]
J. Zaumseil and H. Sirringhaus, Chem. Rev., 107, 1296 (2007). [DOI: https://doi.org/10.1021/cr0501543]
K. J. Baeg, M. Caironi, and Y. Y. Noh, Adv. Mater., 25, 4210 (2013). [DOI: https://doi.org/10.1002/adma.201205361]
Y. Zhao, Y. Guo, and Y. Liu, Adv. Mater., 25, 5372 (2013). [DOI: https://doi.org/10.1002/adma.201302315]
I. E. Jacobs and A. J. Moule, Adv. Mater., 29, 1703063 (2017). [DOI: https://doi.org/10.1002/adma.201703063]
M. Kang, J. S. Yeo, W. T. Park, N. K. Kim, D. H. Lim, H. Hwang, K. J. Baeg, Y. Y. Noh, and D. Y. Kim, Adv. Funct. Mater., 26, 8527 (2016). [DOI: https://doi.org/10.1002/adfm.201603617]
A. Facchetti, Chem. Mater., 23, 733 (2011). [DOI: https://doi.org/10.1021/cm102419z]
L. L. Chua, J. Zaumseil, J. F. Chang, E.C.W. Ou, P.K.H. Ho, H. Sirringhaus, and R. H. Friend, Nature, 434, 194 (2005). [DOI: https://doi.org/10.1038/nature03376]
H. Luo, C. Yu, Z. Liu, G. Zhang, H. Geng, Y. Yi, K. Broch, Y. Hu, A. Sadhanala, L. Jiang, P. Qi, Z. Cai, H. Sirringhaus, and D. Zhang, Sci. Adv., 2, e1600076 (2016). [DOI: https://doi.org/10.1126/sciadv.1600076]
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
오픈액세스 학술지에 출판된 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.