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NTIS 바로가기대한임베디드공학회논문지 = IEMEK Journal of embedded systems and applications, v.13 no.3, 2018년, pp.125 - 131
정보성 (GyeongSang National University) , 이정훈 (GyeongSang National University(ERI))
STT-RAM is attracting as a next generation Non-volatile memory for replacing cache memory with low leakage energy, high integration and memory access performance similar to SRAM. However, there is problem of write operations as the other Non_volatile memory. Hybrid cache memory using SRAM and STT-RA...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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캐시 메모리은 무엇으로 구성되어지는가? | 캐시 메모리는 빠른 메모리 접근 시간과 DRAM과 달리 데이터 유지를 위한 리플래시 동작이 필요없는 SRAM으로 구성되어진다. 그럼에도 불구하고, 현재 SRAM의 누설 전력 (Leakage power)은 시스템의 전체 성능에 저하의 원인이 되고 있다[2, 3]. | |
SRAM의 장점은? | 캐시 메모리는 빠른 메모리 접근 시간과 DRAM과 달리 데이터 유지를 위한 리플래시 동작이 필요없는 SRAM으로 구성되어진다. 그럼에도 불구하고, 현재 SRAM의 누설 전력 (Leakage power)은 시스템의 전체 성능에 저하의 원인이 되고 있다[2, 3]. | |
Spin Torque Transfer RAM은 무엇으로 구성되어지는가? | STT-RAM은 하나의 트랜지스터와 하나의 자기터널 접합 (MTJ, Magnetic Tunnel Junction)으로 구성되어진다. STT 현상은 높은 밀도의 강한 전류가 강자성층을 통과할 때, 강자성체의 자화방향이 전류 속 전자의 스핀 방향과 일치하지 않으면 강제로 일치시키는 특성을 의미한다. |
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