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NTIS 바로가기마이크로전자 및 패키징 학회지 = Journal of the Microelectronics and Packaging Society, v.25 no.2, 2018년, pp.19 - 23
김대균 (동의대학교 신소재공학부) , 최두호 (동의대학교 신소재공학부)
In this study, the feasibility of Al-based transparent electrodes for optoelectronic devices was investigated. Al thin films having thickness in the range of 3-12 nm were deposited on glass substrates, and sheet resistance was measured for films thicker than 7 nm and the values continue to decrease ...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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우수한 특성의 광전소자의 투명전극을 위해 진행되고 있는 연구는? | 현재 디스플레이, 태양전지, 전기변색 소자 등 다양한 광전소자의 투명전극으로 높은 전기 전도도와 광학적 투명성을 동시에 가지는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)이 사용되고 있으나, 제한된 매장량으로 인한 고가의 인듐(Indium)이 사용되며 기계적인 자극에 의한 결함발생이 쉽고 휨성(Flexibility)이 부족하여 플랙서블 광전소자에 적용이 어렵다. 따라서 고투과, 저저항 특성을 가짐과 동시에 유연성까지 보유한 유연투명전극의 개발이 반드시 필요한 상황이며 현재 다양한 투명전도성 산화물, Ag network 1), graphene 2), CNT 3) 기반의 유연투명전극 연구가 활발히 진행중이다. 뿐만 아니라 금속의 높은 전도성과 극박 두께에서의 높은 가시광선 투과도에 주목하여 빛반사방지막인 산화물 샌드위치 층과 금속 박막을 결합한 Oxide/Metal/Oxide(OMO) 구조의 유연투명전극 연구가 진행중이다.4) | |
금속박막의 치수가 감소할 때 면저항이 증가하는 이유는? | OMO 구조 형태의 투명전극에서의 투과도와 면저항은 트레이드 오프 (Trade-off) 관계를 가지는 데 5), 이를 극복하기 위해서는 극박 형태에서도 금속박막의 면저항의 증 가를 최소하는 것이 필요하다. 금속박막의 치수(두께, 선 폭, 그레인 사이즈 등)가 감소할 때 면저항이 증가하는 이유는 전자의 표면 산란(Surface scattering) 6,7)및 결정립계 산란(Grain boundary scattering)8)으로 나타나는 현상인 비저항 크기 효과(Resistivity size effect)가 더욱 심해지기 때문이다. 이론적인 산란 모델6-8)에 따르면 이러한 비저항크기 효과의 정도는 금속전도체의 치수가 전자평균자유행로(Electron mean free path, EMFP)와 유사할 정도로 줄어들었을 때 발생하게 되는 데, 공교롭게도 현재 OMO의 구조에서 금속층에 해당하는 물질로 흔히 사용되는 Ag(비 저항: 1. | |
인듐 주석 산화물이 플렉서블 광전소자의 적용에 어려운 이유는? | 현재 디스플레이, 태양전지, 전기변색 소자 등 다양한 광전소자의 투명전극으로 높은 전기 전도도와 광학적 투명성을 동시에 가지는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)이 사용되고 있으나, 제한된 매장량으로 인한 고가의 인듐(Indium)이 사용되며 기계적인 자극에 의한 결함발생이 쉽고 휨성(Flexibility)이 부족하여 플랙서블 광전소자에 적용이 어렵다. 따라서 고투과, 저저항 특성을 가짐과 동시에 유연성까지 보유한 유연투명전극의 개발이 반드시 필요한 상황이며 현재 다양한 투명전도성 산화물, Ag network 1), graphene 2), CNT 3) 기반의 유연투명전극 연구가 활발히 진행중이다. |
J. H. Lee, P. Lee, H. M. Lee, D. J. Lee, S. S. Lee, and S. H. Ko, "Very long Ag nanowire synthesis and its application in a highly transparent, conductive and flexible metal electrode touch panel", Nanoscale, 4, 6408 (2012).
J. Wu, H. A. Becerril, Z. Bao, Z. Liu, Y. Chen, and P. Peumans, "Organic solar cells with solution-processed graphene transparent electrodes", Appl. Phys. Lett., 92(26), 263302 (2008).
D. S. Hecht, D. Thomas, L. Hu, C. Ladous, T. Lam, Y. B. Park, G. Irvin, and P. Drzaic, "Carbon-nanotube film on plastic as transparent electrode for resistive touch screens", J. of the SID.,17(11), 941 (2009).
J. H. Yun, "Transparent Ultrathin Oxygen-Doped Silver Electrodes for Flexible Organic Solar Cells", Adv. Funct. Mater., 24, 1551 (2014).
G. Zhao, W. Wang, T.-S. Bae, S.-G. Lee, C. W. Mun, S. H. Lee, H. Yu, G.-H. Lee, M. K. Song, and J. H. Yun, "Stable ultrathin partially oxidized copper film electrode for highly efficient flexible solar cells", Nat. com., 6, 8830 (2015).
K. Fuchs, "The conductivity of thin metallic films according to the electron theory of metals", Proc. Cambridge Philos. Soc., 34, 100 (1938).
E. H. Sondheimer, "The mean free path of electrons in metals", Advances in Physics,1(1), 1 (1952).
A. F. Mayadas, and M. Shatzkes, "Electrical-resistivity model for polycrystalline films: the case of arbitrary reflection at external surfaces", Phys. Rev. B., 1, 1382 (1970).
D. Gall, "Electron mean free path in elemental metals", J. of Appl. Phys., 119, 085101 (2016).
H. Abram, "Grain size measurement by the intercept method", Metallography 4, 59 (1971).
Y. Shigesato, R. Koshi-ishi, T. Kawashima, and J. Ohsako, "Early stages of ITO deposition on glass or polymer substrates", Vacuum, 59, 614 (2000).
J. A. Floro, S. J. Hearne, J. A. Hunter, P. Kotula, E. Chason, S. C. Seel, and C. V. Thompson, "The dynamic competition between stress generation and relaxation mechanisms during coalescence of Volmer-Weber thin films", J. Appl. Phys., 89, 4886 (2001).
D. Choi, and K. Barmak, "On the potential of tungsten as next-generation semiconductor interconnects", Electron. Mater. Lett., 13, 449 (2017).
W. Zhang, S. H. Brongersma, O. Richard, B. Brijs, R. Palmans, L. Froyen, and K. Maex, "Influence of the electron mean free path on the resistivity of thin metal films", Microelectron. Engineer., 76, 146 (2004).
Y. Lantasov, R. Palmans, and K. Maex, "New plating bath for electroless copper deposition on sputtered barrier layers", Microelectron. Engineer., 50, 441 (2000).
W. Zhang, S. H. Brongersma, T. Clarysse, V. Terzieva, E. Rosseel, W. Vandervorst,and K. Maex, "Surface and grain boundary scattering studied in beveled polycrystalline thin copper films", J. of Vac. Sci. & Technol. B., 22,1830 (2004).
C. Zhang, D. Zhao, D. Gu, H. S. Kim, T. Ling, Y. K. R. Wu, and L. J. Guo, "An ultrathin, smooth, and low loss Al doped Ag film and its application as a transparent electrode in organic photovoltaics", Adv. Mater., 26, 5696-5701(2014).
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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