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텅스텐산화물 막의 균일한 표면 형상에 의한 향상된 전기변색 성능
Enhanced Electrochromic Performance by Uniform Surface Morphology of Tungsten Oxide Films 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.28 no.7, 2018년, pp.411 - 416  

김규호 (서울과학기술대학교 신소재공학과) ,  구본율 (서울과학기술대학교 의공학-바이오소재 융합 협동과정 신소재공학프로그램) ,  안효진 (서울과학기술대학교 신소재공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Tungsten oxide($WO_3$) films with uniform surface morphology are fabricated using a spin-coating method for applications of electrochromic(EC) devices. To improve the EC performances of the $WO_3$ films, we control the heating rate of the annealing process to 10, 5, ...

주제어

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문제 정의

  • 3 cm2/C)을 보였으며, 이는 표면 변형 없이 입자 크기가 증가된 균일한 막을 형성하여 향상된 전기전도도와 전기화학 활성도를 야기한 최적화된 열처리 승온 속도에 의한 결과로 판단된다. 따라서 본 논문의 최적화된 열처리 승온 속도로 제조된 WO3 막은 전기변색 성능향상을 위한 효과적인 연구결과로 제안될 수 있다.
  • 따라서 본 연구에서는 스핀코팅된 텅스텐산화물 막의 열처리 승온 속도를 제어하여 전기변색 성능을 최적화하였다. 스핀코팅법은 가격이 저렴하고 공정이 단순하여 쉽게 응용될 수 있다는 장점이 있는 공정이기에 본 연구에서 활용하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
전기변색 소자의 메커니즘은 어떻게 되는가? 전기변색 소자(electrochromic devices)는 가해진 전압에 따라 가역적으로 투과도, 반사도, 흡수도와 같은 광학적 특성을 변화시킬 수 있는 소자로 낮은 전력소모, 안정적인 메모리 효과 등과 같은 장점들로 인해 스마트윈도우, 평면 표시 소자, 사이드미러, 기능성 유리 등에 폭 넓게 응용되고 있다.1-3) 전기변색 소자는 변색재료의 산화-환원 상에 따른 밴드갭의 변화에 의해 그들이 빛을 흡수할 수 있는 파장 영역을 가역적으로 조절하여 소자의 광학적인 특성을 제어하는 메커니즘을 갖는다.4) 일반적으로 전기변색 소자는 2개의 변색재료, 2개의 투명전도성 산화물 재료, 전해질 재료가 5층의 적층 구조로 구성되어 있다.
전기변색 소자(electrochromic devices)란 무엇인가? 전기변색 소자(electrochromic devices)는 가해진 전압에 따라 가역적으로 투과도, 반사도, 흡수도와 같은 광학적 특성을 변화시킬 수 있는 소자로 낮은 전력소모, 안정적인 메모리 효과 등과 같은 장점들로 인해 스마트윈도우, 평면 표시 소자, 사이드미러, 기능성 유리 등에 폭 넓게 응용되고 있다.1-3) 전기변색 소자는 변색재료의 산화-환원 상에 따른 밴드갭의 변화에 의해 그들이 빛을 흡수할 수 있는 파장 영역을 가역적으로 조절하여 소자의 광학적인 특성을 제어하는 메커니즘을 갖는다.
변색재료 중 변색효율이 가장 높은 텅스텐산화물의 한계는 무엇인가? 하지만 텅스텐산화물은 변색 및 소색 시 응답속도(response speed)가 느리고 투과범위(transmittance modulation)가 낮아 아직까지 이를 개선해야하는 연구가 제시되어야할 필요가 있다. 따라서 많은 연구자들은 텅스텐산화물을 활용하여 변색효율, 응답속도 및 투과범위과 같은 전기변색 소자의 성능들을 개선하기 위해서 졸겔법, 양극확산법, 분무열분해법, 스퍼터링법, 화학기상증착법 등을 활용하여 형성되는 막의 형태, 결정구조 및 전자구조를 제어하여 변색재료와 전해질 사이의 전기화학 반응을 촉진시키는 연구를 다양하게 보고하고 있다.
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참고문헌 (24)

  1. M. Layani, P. Darmawan, W. L. Foo, L. Liu, A. Kamyshny, D. Mandler, S. Magdassi and P. S. Lee, Nanoscale, 6, 4572 (2014). 

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  23. J. Zhu, S. Wei, M. Alexander, T. D. Dang, T. C. Ho and Z. Guo, Adv. Funct. Mater., 20, 3076 (2010). 

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