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전력전자 시스템의 신뢰성 취약 소자와 신뢰성 평가 방법 원문보기

전력전자학회지 = The journal of the Korean Institute of Power Electronics, v.23 no.3, 2018년, pp.34 - 40  

최의민 (서울과학기술대학교 전자IT미디어공학과)

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문제 정의

  • 따라서 전력 반도체 소자의 고장은 이의 패키징 방법 및 구조와 밀접하게 연관되어있으며 온도 스트레스가 주된 원인이다. 본 절에서는 전력전자 시스템에서 가장 널리 사용되고 있는 Wire bonding 기술을 이용한 IGBT 모듈의 구조 및 노화에 의한 주요 고장 메커니즘에 대해서 다루고자 한다.
  • 이러한 요구사항들을 만족시키기 위하여 자동차 전자 시스템 (Automotive electronics), 항공기 전동화(More electric aircrafts) 그리고 철도 견인장치(Railway tractions) 분야에서 새로운 신뢰성 디자인 툴(Design tools) 및 새로운 강인성 검증 방법들을(Robustness validation methods) 도입하는 등 신뢰성에 대한 패러다임의 변화가 계속해서 진행되고 있으며 에너지 분야 역시 이 흐름을 따르고 있다 明 전력전자 시스템의 신뢰성 연구 분야는 대표적으로 1) PoF(Physics-of-failure)를 바탕으로 전력전자 소자 및 시스템의 고장 원인과 고장 메커니즘을 파악하기 위한 테스트 및 분석 2) 전력전자 시스템의 기대 수명과 기대 고장률 충족을 위한 신뢰성 설계(Design for ReliabUity) 및 강인성 검증프로세스(Robustness validation process) 3) 실제 산업 현장에서 전력전자 시스템의 신뢰성 높은 운전을 위한 지능제어 (Intelligent control) 및 상태 모니터 링 (Condition monitoring) 등이 있다. 본 편에서는 전력전자 시스템의 신뢰성 취약 소자에 대해서 알아보고 그 소자의 고장 메커니즘과 신뢰성 평가 방법에 대해 이야기 하고자 한다.
  • 본고에서는 전력전자 시스템의 신뢰성 취약소자인 전력 반도체 소자 중 대표적 인 IGBT 모듈의 구조, 고장 메커니즘 및 신뢰성 테스트 방법 에 대해서 소개하였다. 단순한 standard를 기초로 한 통과/실패(Pass/Fail) 테스트를 넘어 파워 싸이클링 테스트 결과로부터 IGBT 모듈의 수명모델을 개발하고 이를 통해 다양한 전력전자 어플리케이션의 운행조건(Mission profile)하에서 전력반도체 소자의 수명을 예측하고 이를 검증하기 위한 연구가 활발히 진행 중에 있다.
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참고문헌 (9)

  1. L. M. Moore and H. N. Post, "Five years of operating experience at a large, utilityscale photovoltaic generating plant," Progress Photovoltaic: Research and Application, Vol. 16, No. 3, pp. 249-259, 2008. 

  2. H. Wang, M. Liserre, and F. Blaabjerg, “Toward reliable power electronics: challenges, design tools, and opportunities,” IEEE Industrial Electronics Magazine, Vol. 7, No. 2, pp. 17-26, Jun. 2013. 

  3. H. Wang, M. Liserre, F. Blaabjerg, P. de Place Rimmen, J. B. Jacobsen, T. Kvisgaard, and J. Landkildehus, “Transitioning to physicsof- failure as a reliability driver in power electronics,” IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, Vol. 2, No. 1, pp. 97-114, Mar. 2014. 

  4. S. Yang, A. Bryant, P. Mawby, D. Xiang, L. Ran, and P. Tavner, “An industry-based survey of reliability in power electronic converters,” IEEE Transactions on Industry Applications, Vol. 47, No. 3, pp. 1441-1451, May/Jun. 2011. 

  5. M. Ciappa, “Selected failure mechanism of modern power modules,” Microelectronics Reliability, Vol. 42, No. 4-5, pp. 653-667, Apr.-May 2002. 

  6. U. M. Choi, F. Blaabjerg, and S. Jorgensen, "Power cycling test methods for reliability assessment of power device modules in respect to temperature stress," IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 33, No. 3, pp. 2531- 2551, Mar. 2018. 

  7. U. M. Choi, S. Jorgensen, and F. Blaabjerg, "Advanced accelerated power cycling test for reliability investigation of power device modules," IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 31, No. 12, pp. 8371-8386, Dec. 2016. 

  8. U. M. Choi, F. Blaabjerg, S. Jorgensen, S. Munk-Nielsen, and B. Rannestad, "Reliability improvement of power converters by means of condition monitoring of IGBT modules," IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 32, No. 10, pp. 7990-7997, Oct. 2017. 

  9. U. M. Choi and F. Blaabjerg, “Separation of wear-out failure modes of IGBT modules in grid-connected inverter systems,” IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 33, No. 7, pp. 6217-6223, Jul. 2018. 

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