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NTIS 바로가기대한임베디드공학회논문지 = IEMEK Journal of embedded systems and applications, v.13 no.5, 2018년, pp.245 - 252
정우순 (Daegu University) , 이형규 (Daegu University)
Non-volatile RAM devices have been increasingly viewed as an alternative of DRAM main memory system. However some technologies including phase-change memory (PCM) are still suffering from relatively poor write performance as well as limited endurance. In this paper, we introduce a proactive last-lev...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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PCM을 메인 메모리로 사용하는 시스템에서 PCM의 쓰기 동작은 주로 언제 발생하는가? | 앞장에서 언급했듯, PCM을 사용하는 메모리 시스템에서 쓰기 동작이 발생할 경우 막대한 지연시간의 증가를 피할 수 없게 된다. PCM을 메인 메모리로 사용하는 시스템에서 PCM의 쓰기 동작은 일반적으로 상위차원의 캐시에서 캐시실패가 발생했을때 주로 발생한다. 캐시실패가 발생하면 캐시제어기는 해당 캐시세트 내에 새로운 데이터를 적재할 공간을 마련하기 위해 1) 캐시라인 중 하나를 교체 블록으로 선정, 2) 선정된 캐시라인의 갱신 (dirty) 비트가 1로 설정되었을 경우 해당 캐시라인의 내용을 메인 메모리 (여기서는 PCM)에 기록하는 반출 (Eviction 또는 Flush) 작업을 수행, 3) 반출이 완료되면 반출된 캐시라인의 위치에 새로운 캐시라인을 적재하는 동작을 한다. | |
상변화 메모리란? | 특히, 상변화 메모리 (PCM, Phase-Change Memory) 기술은 나노미터 반도체 공정기술 (Nano-meter Semiconductor Processing Technology)을 통한 성능 및 집적도 개선이 가능하므로 이에 관한 활발한 연구가 진행되어 오고 있다 [1]. 상변화 메모리는 물질의 상태 (State)에 따라 물질의 전기 전도도 차이가 존재하는 특성을 이용한 비휘발성 메모리로서, 기존 DRAM과 유사한 읽기성능을 보이면서 집적도가 높은 특성이 있지만 쓰기 성능은 수백 ns에서 수 us로 매우 낮다 [1]. 이에 PCM의 낮은 쓰기 성능을 극복하기 위해 반도체 소자 수준에서부터, 마이크로구조, 시스템 수준까지 다양한 연구들이 이루어져 왔다 [2,3]. | |
PCM/DRAM 병행구조의 단점은? | 비휘발성 메모리를 메인 메모리로 활용하고자 하는 초기 연구들의 대부분은 쓰기 위주의 데이터는 DRAM에, 읽기 위주의 데이터는 PCM에 저장하는 PCM/DRAM 병행구조를 제시하였다 [4-7]. 이러한 방법은 PCM의 쓰기 횟수를 줄이는 데 많은 도움이 되지만, 이 방법을 구현하기 위해서는 컴파일러, 운영체제 또는 전용하드웨어를 통해 메모리 접근 통계를 유지/관찰해야 할 뿐 아니라, 일부 상황에서는 추가적인 DRAM과 PCM간의 데이터이동으로 인한 성능/내구성 저하의 부담이 뒤따른다. |
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