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NTIS 바로가기대한임베디드공학회논문지 = IEMEK Journal of embedded systems and applications, v.13 no.5, 2018년, pp.261 - 268
정보성 (GyeongSang National University(ERI)) , 이정훈 (GyeongSang National University(ERI))
Phase Change Memory(PCM) with low power consumption and high integration attracts attention as a next generation nonvolatile memory replacing DRAM. However, there is a problem that PCM has long latency and high energy consumption due to the writing operation. The PCM & DRAM hybrid memory structure i...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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PCM의 특징은 무엇인가? | PCM은 DRAM처럼 바이트-주소 접근이 가능하며, DRAM에 비해 약 4배의 높은 집적도를 가진다. 또한 DRAM과 달리 비휘발성 메모리로 데이터를 유지하기 위한 재충전 동작(reflash)이 필요하지 않다[5]. | |
PCM을 메인 메모리로 사용하기 위해 단점을 해결하기 위한 대표적인 방법으로 무엇이 제안되었는가? | 따라서 PCM을 메인 메모리로 사용하기 위해 이러한 단점을 해결하기 위한 대표적인 방법으로 DRAM과 PCM을 같이 사용하는 하이브리드 메모리 구조가 제안되었다 [7-9]. | |
DRAM의 에너지 소비 중 대부분은 무엇인가? | 현재 컴퓨팅 시스템에서 메인 메모리인 DRAM은 전체 전력소비에서 약 40%를 차지하고 있다. 더욱이 이러한 에너지 소비는 대부분 데이터를 유지하는 리플래시 동작 및 누설 전류가 대부분이다. 또한 DRAM은 현재 집적도의 한계를 보이고 있다. |
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