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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.32 no.2, 2019년, pp.100 - 103
이채영 (동의대학교 신소재공학과) , 최정민 (동의대학교 신소재공학과) , 김대성 (동의대학교 신소재공학과) , 박미선 (동의대학교 신소재공학과) , 장연숙 (동의대학교 신소재공학과) , 이원재 (동의대학교 신소재공학과) , 양인석 , 김태희 , 첸시우팡 (산둥대학교 결정소재실험실) , 슈시앙강 (산둥대학교 결정소재실험실)
The change in vanadium amount according to the growth direction of vanadium-doped semi-insulated (SI) SiC single crystals using high-purity SiC powder was investigated. High-purity SiC powder and a porous graphite (PG) inner crucible were placed on opposite sides of SiC seed crystals. SI SiC crystal...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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마이크로웨이브 디바이스 분야를 위한 반절연 SiC의 조건은? | 반절연 탄화규소(SI-SiC) 웨이퍼는 SiC 및 GaN 기반의 고주파, 고전력 전자 제품을 개발하는 핵심 기판으로 여겨지고 있다 [1,2]. 마이크로웨이브 디바이스 분야를 위한 반절연 SiC 기판은 높은 저항성과 낮은 유전 소실을 가져야 한다 [3]. 하지만 고온에서의 결정성장 동안 잔여 불순물 제어의 어려움으로 인해 높은 저항성을 갖는 고순도 SiC 기판으로의 성장은 어렵다 [4-6]. | |
PVT법을 사용했을때 바나듐의 혼입이 SiC 기판을 얻기 위한 핵심 요소인 이유는? | 바나듐이 도핑된 반절연 SiC 단결정 성장을 위해 내부 도가니에 바나듐 카바이드(VC) 분말을 채워 사용하였다. PVT (physical vapor transport)법을 이용한 벌크(bulk) SI-SiC 성장에서 바나듐은 잔류 불순물의 전기적 보상을 위한 깊은 억셉터(deep acceptor) 또는 깊은 도너(deep donor)로 SiC에서 작용할 수 있다. 이러한 이유로 바나듐의 혼입은 균질한 전기적 성능을 가진 SiC 기판을 얻기 위한 핵심 요소이다 [1,7]. | |
반절연 탄화규소(SI-SiC) 웨이퍼는? | 반절연 탄화규소(SI-SiC) 웨이퍼는 SiC 및 GaN 기반의 고주파, 고전력 전자 제품을 개발하는 핵심 기판으로 여겨지고 있다 [1,2]. 마이크로웨이브 디바이스 분야를 위한 반절연 SiC 기판은 높은 저항성과 낮은 유전 소실을 가져야 한다 [3]. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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