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NTIS 바로가기한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.29 no.6, 2019년, pp.383 - 388
신동근 (융합기술사업단, 한국세라믹기술원) , 김병숙 (CTO 소재개발실, 엘지이노텍) , 손해록 (CTO 소재개발실, 엘지이노텍) , 김무성 (CTO 소재개발실, 엘지이노텍)
High purity SiC fine powder with metal impurity contents of less than 1 ppm was synthesized by improved carbothermal reduction process, and the synthesized powder was used for SiC single crystal growth in RF heating PVT device at temperature above 2,100℃. In-situ x-ray image analyzer was used...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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실리콘 카바이드의 특징은? | 실리콘 카바이드(SiC) 단결정 기판은 실리콘과 같은 종래의 기판 재료에 비해 우수한 열적 및 전기적 특성을 갖고 있어 고전력 및 고주파 전자 장치를 위한 우수한 기판 재료로서 주목을 받고있다. 본 연구는 EV, HEV 시스템에 적용되는 고전력 와이드밴드갭 반도체 기판, 특히 고품질의 4H-SiC 기판 제조공정기술에 중점을 두고 진행하였다[1-3]. | |
PVT 공정 시 주의해야할 사항은? | PVT 공정은 2000 o C 이상 고온에서 원료물질인 SiC 분말이 승화된 후 시드 결정(seed crystal) 표면에서 응축 및 성장하는 방법으로 SiC 단결정의 핵심 기술인 결함 밀도, 결정 크기 및 성장 속도 등이 성장공정 환경 및 원료물질 제어와 깊은 관계가 있다[4-6]. 특히, 결정 성장이 진행되는 동안 원료물질인 SiC 분말로부터 불순물이 혼입되어 결함이 발생할 수 있으므로 분말의 순도를 정밀하게 제어 할 필요가 있다[4-6]. 그러나, SiC 분말의 불순물 거동 및 결정 성장 동안 단결정 기판의 품질에 미치는 영향에 대한 심층적인 연구는 많이 보고되지 않았다[7,8]. | |
SiC 단결정 성장방법은 무엇이 있는가? | 본 연구는 EV, HEV 시스템에 적용되는 고전력 와이드밴드갭 반도체 기판, 특히 고품질의 4H-SiC 기판 제조공정기술에 중점을 두고 진행하였다[1-3]. 일반적으로 SiC 단결정 성장방법은 승화법(PVT, physical vapor transport)과 고온화학기상법(HTCVD, high temperature chemical vapor deposition), 용액성장법(LPE, liquid phase epitaxy) 등이 있으며, 이중 PVT 공정이 상업화에 성공한 대표적인 방법이다. PVT 공정은 2000 o C 이상 고온에서 원료물질인 SiC 분말이 승화된 후 시드 결정(seed crystal) 표면에서 응축 및 성장하는 방법으로 SiC 단결정의 핵심 기술인 결함 밀도, 결정 크기 및 성장 속도 등이 성장공정 환경 및 원료물질 제어와 깊은 관계가 있다[4-6]. |
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