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반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.18 no.1, 2019년, pp.70 - 73
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It was confirmed that current flowing in thin films below nm increases conductivity in diffusion currents by holes rather than electric currents by electrons. ZTO thin film, which was heat treated at
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| ZTO 박막이 온도에 따라 전기적 특성이 달라지는 이유는? | 150도에서 커패시턴스 값은 가장 높게 나타나며 차단특성도 150도에서 우수하게 나타났다. 온도에 따라서 전기적인 특성이 달라지는 이유는 ZTO의 전도성이 온도에 의존하기 때문이며, 온도에 따라서 문턱전압이 달라지고 에너지 갭이 달라지기때문이다. 문턱전압 혹은 에너지 갭은 반도체의 특성을 결정하는 요소이며, 반도체 소자내의 케리어의 특성이 달라지기 때문에 나타나는 현상이라고 볼 수 있다. | |
| ZTO 박막의 전도성에 영향을 미치는 케리어는 무엇이 있는가? | 열처리온도가 전도성케리어의 형성에 따라서 달라진다는 의미이다. ZTO 박막의 전도성에 영향을 미치는 케리어는 전자와 전공 혹은 산소공공이 있다. 전자와 정공은 전기적으로 특성이 다른 양전하와 음전하에 해당한다. | |
| 전류의 터널링효과에 관한 연구가 많이 이루어지고 있는 이유는? | 또한 누설전류는 낮은 전류범주에서 나타나 신호전류와 혼돈을 일으킬 수도 있으며, 낮은 전류에서의 효과로서 터널링효과에 대한 연구도 많이 이루어지고 있다.[5-7] 소자의 사이즈가 작아지면서 낮은 전류에 대한 신호처리의 문제가 중요해지고 있기 때문이다. 반도체를 이용하는 소자들은 전자 혹은 정공에 의해서 발생하는 전류에 의해서 전도가 이루어진다. |
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