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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.32 no.4, 2019년, pp.272 - 275
변재민 (청주대학교 반도체공학과) , 이상렬 (청주대학교 반도체공학과)
We investigated the electrical characteristics of amorphous silicon-zinc-tin-oxide (a-SZTO) thin films deposited by RF-magnetron sputtering at room temperature depending on the deposition time. We fabricated a thin film transistor (TFT) with a bottom gate structure and various channel thicknesses. W...
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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a-IGZO의 원소 중 μFE 향상 기여에 큰 역할을 하는 것은? | 다양한 비정질 산화물 물질 중에서도 인듐과 갈륨(In-Ga)이 함유된 비정질 인듐-갈륨-징크-옥 사이드(a-IGZO) TFT의 경우 연구가 상당히 진행되어 있는 상태이다. a-IGZO의 원소 중 하나인 In3+의 경우 최외각 전자 중 방향에 따른 비등방성이 가장 작은 s-orbital overlap이 일어나게 되어 μFE 향상 기여에 큰 역할을 한다 [5]. 또한 Ga의 경우 훌륭한 캐리어 억제제로서 비정질 산화물 물질 내부에서 안정성을 향상시키는 역할을 한다 [6]. | |
실리콘-아연-주석-산소(a-SZTO)의 특성을 연구하려는 이유는 기존의 a-IGZO가 어떤 문제점을 가지고 있기 때문인가? | 또한 Ga의 경우 훌륭한 캐리어 억제제로서 비정질 산화물 물질 내부에서 안정성을 향상시키는 역할을 한다 [6]. 하지만 a-IGZO 채널 내부의 In과 Ga은 희토류이며, 특히 In의 경우 독성을 가지고 있어 큰 단점을 가지고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 본 연구그룹에서는 이전부터 ZnO를 기반으로 하여 μFE 향상을 위한 주석(Sn)과, 안정성 향상을 위한 실리콘(Si)을 첨가한 비정질 실리콘-아연-주석-산소(a-SZTO)의 특성에 관해 연구하였다 [7-9]. | |
산화아연을 기반으로 한 AOS 박막 트랜지스터의 특징은? | 기존의 실리콘 반도체와 비교하여 우수한 특성을 지니는 비정질 산화물 반도체(amorphous oxide semiconductor, AOS)는 flexible display, AM-LCD와 AM-OLED 등과 같은 차세대 디스플레이의 백플레인에서 최근 많은 주목을 받아오고 있다 [1-3]. 특히 산화아연(ZnO)을 기반 으로 한 AOS 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)는 높은 전계효과 이동도(field effect mobility, μFE), 높은 온오프 전류비(Ion/off), 낮은 subthreshold swing (S.S.), 그리고 좋은 균일성 등과 같은 수많은 장점을 가지고 있다 [4]. 다양한 비정질 산화물 물질 중에서도 인듐과 갈륨(In-Ga)이 함유된 비정질 인듐-갈륨-징크-옥 사이드(a-IGZO) TFT의 경우 연구가 상당히 진행되어 있는 상태이다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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