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NTIS 바로가기반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.18 no.2, 2019년, pp.98 - 102
김대현 (한양대학교 첨단소재공학과) , 박태주 (한양대학교 첨단소재공학과)
Direct plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) are widely used for
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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저온 SiO2, SiON, SiNx 박막 공정을 위해 이용되는 capacitively coupled plasma(CCP)를 이용한 direct PEALD는 어떤 단점이 있는가? | [5, 6] 현재 반도체 산업체에서는 저온 SiO2, SiON, SiNx 박막 공정을 위해 capacitively coupled plasma(CCP)를 이용한 direct PEALD를 주로 이용하고 있다.[7-10] 그러나 plasma zone 내부에 substrate가 위치하여 plasma damage 뿐만 아니라, plasma 방향성으로 인해 고종횡비 구조 또는 복잡한 3차원 구조에서 낮은 step coverage 및 불균일한 박막 특성이 문제시 되고 있다.[5, 6] 본 연구는 상기의 문제를 해결하기 위해, inductively coupled plasma (ICP)를 이용한 remote PEALD를 사용하였고, 현 반도체 공정에서 대표적으로 사용되는 Si 전구체인 di-isopropylamino silane(DIPAS)를 이용하여, 저온 (300ºC)에서 SiO2 및 SiON 박막을 성장시켰다. | |
SiO2, SiON 및 SiNx 박막은 어디에 사용되고 있는가? | 최근 SiO2, SiON 및 SiNx 박막은 self-align double patterning (SADP) 의 mask, gate spacer, charge trap layer, etch stop, physical 또는 electrical passivation layer 등과 같이 여러 반도체 공정에 사용되고 있다. [1-4] 소자의 성능 향상을 위해 fin field-effect transistor(finFET), gate-all-around FET등의 3차원 구조 소자가 사용됨에 따라 저온공정, 높은 물리적, 화학적 균일성, 정확한 두께 조절, 우수한 step coverage 등의 엄격한 공정조건 및 특성이 요구된다. | |
현재 반도체 산업체에서는 저온 SiO2, SiON, SiNx 박막 공정을 위해 주로 무엇을 이용하고 있는가? | [1-4] 소자의 성능 향상을 위해 fin field-effect transistor(finFET), gate-all-around FET등의 3차원 구조 소자가 사용됨에 따라 저온공정, 높은 물리적, 화학적 균일성, 정확한 두께 조절, 우수한 step coverage 등의 엄격한 공정조건 및 특성이 요구된다. [5, 6] 현재 반도체 산업체에서는 저온 SiO2, SiON, SiNx 박막 공정을 위해 capacitively coupled plasma(CCP)를 이용한 direct PEALD를 주로 이용하고 있다.[7-10] 그러나 plasma zone 내부에 substrate가 위치하여 plasma damage 뿐만 아니라, plasma 방향성으로 인해 고종횡비 구조 또는 복잡한 3차원 구조에서 낮은 step coverage 및 불균일한 박막 특성이 문제시 되고 있다. |
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