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[국내논문] 3.3kV 항복 전압을 갖는 저저항 SC-SJ(Shielding Connected-Super Junction) 4H-SiC UMOSFET
Low Resistance SC-SJ(Shielding Connected-Super Junction) 4H-SiC UMOSFET with 3.3kV Breakdown Voltage 원문보기

전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.23 no.3, 2019년, pp.756 - 761  

김정훈 (Dept. of Electronics Engineering, Sogang University) ,  김광수 (Dept. of Electronics Engineering, Sogang University)

초록
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본 논문에서는 기존 4H-SiC SJ UMOSFET 구조의 p-pillar을 기존 UMOSFET의 shielding 영역 아래로 배치시키는 SC-SJ(Shielding Connected-Super Junction) UMOSFET 구조를 제안한다. 제안한 SC-SJ UMOSFET의 경우 p-pillar와 shielding 영역이 공존하여 산화막에서 전계에 의한 항복이 발생하지 않도록 하며, 이는 pillar의 도핑 농도 상승을 가능하게 한다. 결과적으로 온저항을 낮춤으로서 소자의 정적 특성을 개선한다. Sentaurus TCAD 시뮬레이션을 통해 기존 구조와 제안한 구조의 정적 특성을 비교, 분석하였다. 제안한 SC-SJ UMOSFET은 기존 구조에 비해 항복전압의 변화 없이 50% 감소된 온저항을 얻을 수 있다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, we propose SC-SJ(Shielding Connected-Super Junction) UMOSFET structure in which p-pillars of conventional 4H-SiC Super Junction UMOSFET structures are placed under the shielding region of UMOSFET. In the case of the proposed SC-SJ UMOSFET, the p-pillar and the shielding region are coe...

주제어

#4H-SiC   #super junction   #Trench mosfet   #breakdown voltage   #electric field  

표/그림 (6)

AI 본문요약
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문제 정의

  • (b)처럼 shielding 영역을 추가하게 되면 p-pillar과의 추가적인 JFET 성분이첨가되어 온저항이 매우 커지는 문제가 발생한다. 이를 해결하기 위해 본 논문에서는 그림 1.(c)와 같이 p-pillar을 shielding 영역 아래로 추가하는 SC-SJ (Shielding Connected-Super Junction) UMOSFET 구조를 제안하고, sentaurus TCAD tool을 통해 기존의 소자 구조와 정적 특성을 비교하였다.
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