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2차원 반도체의 대면적 합성 및 물성제어를 통한 광센서 응용 원문보기

E<SUP>2</SUP>M : Electrical & Electronic materials = 전기 전자와 첨단 소재, v.32 no.5, 2019년, pp.31 - 41  

임이랑 (한국화학연구원 화학소재연구본부) ,  송우석 (한국화학연구원 화학소재연구본부) ,  임종선 (한국화학연구원 화학소재연구본부)

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AI 본문요약
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문제 정의

  • 앞서 언급한 바와 같이 실제 응용을 위해 선결해야 할 과제로는 대면적, 고균일 합성 기술개발과 더불어 고성능 차세대 소자 구현을 위한 고품질 소재합성 기술 개발이 요구된다. 두 가지 요건을 동시에 충족하는 것에 대한 기술적 난제를 해결하기 어렵기 때문에, 대안으로써 고성능, 고신뢰성 광소자 어레이 구현을 위한 2차원 대면적 삼원합금 (ternary alloy) 소재 합성 기술에 대해 소개하고자 한다. 극초박막 형태의 이차원 TMD 소재의 경우 기존 벌크(bulk) 소재와는 완벽하게 구별 가능한 물성을 지니게 되는데, 그 이유는 전자와 원자 한 층의 이차원적인 상호작용으로 설명 가능하다.
  • 따라서 전하 이동시 산란에 의한 전기적 특성 악화가 야기되기 때문에 앞서 언급한 바와 같이 대면적 합성 기술과 고성능 소자 구현을 위한 고품질 소재 기술 개발은 trade-off 관계라고 할 수있다. 따라서 본고에서는 두 가지 문제점을 동시에 해결하기 위한 접근으로 용액공정 기반의 대면적 MoS2 저온합성 기술과 원자치환을 통해 물성이 제어된 2차원 삼원합금 소재 합성 및 광소자 응용 기술에 대해 소개하고자 한다.
  • 본고에서는 2차원 TMD 소재인 MoS 2 의 산업적 응용을 위한 두 가지 핵심 이유인 신뢰성이 확보된 대면적, 고균일 합성방법과 원자치환을 통해 2차원 삼원합금 소재 합성 및 기존 광소자의 성능을 상회하는 광센서 응용 기술에 대해 논의하였다.
  • 대표적 탄소 기반의 저차원 나노소재인 탄소나노튜브(carbon nanotube), 그래핀의 경우 장기간 동안 한 가지 소재에 대한 심층적이고 다각적인 연구를 통해 상용화 측면에서 실현가능한 기술이 개발되고 있으나, 2차원 TMD 반도체 소재의 경우 다양한 구성원소를 지니는 소재들이 지속적으로 보고되면서 현재까지 상용화를 위한 연구개발로 발전하지 못하고 기초 연구에 머물러 있는 실정이다. 본고에서는 대표적 2차원 반도체 소재인 이황화몰리브덴의 산업적 응용에 있어 두가지 핵심 요구사항으로 대두되고 있는 대면적, 고균일 합성방법과 고성능 소자 구현을 위한 소재 기술에 대해 논의하고자 한다.
  • 사실 이 두 가지 선결사항은 trade-off 관계라고 볼 수 있다. 자세한 이유는 2차원 반도체 소재의 합성 방법에 대해 소개하면서 논의하도록 하겠다. 기존 보고된 2차원 MoS2 의 합성방법은 그래핀과 마찬가지로 크게 top-down 방법과 bottom-up 방법으로 구분된다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
이황화몰 리브덴은 어떠한 구조를 가진 물질인가? 이로 인해 포스트 실리콘 시대의 핵심 소재로 각광 받고 있는 이황화몰리브덴(molybdenum disulfide, MoS2 )과 같은 2차원 전이금속 칼코겐 화합 물(transition metal dichalcogenide, TMD)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다 [1]. 이황화몰 리브덴은 몰리브데늄(Mo)과 황(S)이 결합하여 격자구조를 이루고 있으며, 흑연(graphite)과 같이 원자간 공유결합과 층간 반데르발스(van der Waals) 결합의 층상구조를 지닌다. 또한, 단일막의 두께가 6.5 Å으로 극초박막 구조를 지니고 있으며, 반도체 특성을 지니는 물질이다. 이러한 2차원 반도체 소재의 경우, 대표적 신소재인 그래핀(graphene)의 반금속(semimetallic) 밴드구조에 의한 차세대 반도체 소자 응용의 한계를 극복함과 동시에 저차원 구조에서 기인하는 혁신적인 물성으로 인해 다양한 분야 로의 응용 잠재력을 지닌 소재이다.
광전자 소자를 이용할 경우 차세대 웨어러블 초저전력 광소자 구현이 가능한 이유는? 이러한 2차원 반도체 소재의 경우, 대표적 신소재인 그래핀(graphene)의 반금속(semimetallic) 밴드구조에 의한 차세대 반도체 소자 응용의 한계를 극복함과 동시에 저차원 구조에서 기인하는 혁신적인 물성으로 인해 다양한 분야 로의 응용 잠재력을 지닌 소재이다. 2차원 반도체 소재를 기반으로 하는 광전자 소자의 경우 2차원 소재의 구조적 장점으로 인해 초소형, 고유연소자 구현이 가능하며, 높은 광응답성 (photoresponsivity)으로 인해 기존 반도체 소재 기반 광소자의 과다전력 소모 문제를 획기적으로 극복하여 차세대 웨어러블 초저전력 광소자 구현이 가능하다. 하지만 여전히 해결해야할 다양한 이슈들이 존재한다.
대표적 bottomup 방식인 열화학기상증착법의 단점은? 대표적인 bottomup 방식인 열화학기상증착법(thermal chemical vapor deposition, TCVD)는 Mo과 S가 포함된 분말을 동시에 증발(evaporation)시켜 원하는 기판 위에 MoS2 를 합성하는 방법이다 [7,8]. 이는 다양한 종류의 전이금속 칼코겐 화합물을 효과적으로 합성하는데 유용한 방법으로 널리 이용되고 있지만, 기계적 박리법과 마찬가지로 소자응용에 유리한 대면적 박막형태가 아닌 flake 구조가 지배적으로 합성되며, flake의 균일성 확보가 어렵다는 단점이 있다. 그 이유는 증발된 Mo과 S가 기판 표면에 흡착되어 초기 형성되는 핵생성 사이트(nucleation site)의 밀도 측면에서 위치별 편차가 발생하기 때문에 균일한 박막 합성에 제한이 있기 때문이다 [9].
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