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NTIS 바로가기E<SUP>2</SUP>M : Electrical & Electronic materials = 전기 전자와 첨단 소재, v.32 no.6, 2019년, pp.10 - 17
임유승 (세종대학교 지능기전공학부)
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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용액공정 기반(solution-process) 산화물 반도체가 프린팅 기술에 특화된 유기반도체 소자 공정만큼 주목을 받지 못한 이유는? | 용액공정 기반(solution-process) 산화물 반도체 연구가 어느덧 10여년을 넘어 연구 안정기에 접어들었다. 그러나 초창기 높은 온도 요구와 진공공정에 비해 낮은 전기적 특성으로 인해 프린팅 기술에 특화된 유기반도체 소자 공정만큼 주목받지 못했었다. 연구자들의 노력으로 기존 500도 이상 고온 열처리가 요구되었던 공정이 200도 이하 열처리까지 가능한 상황에 이르렀고, 저온 공정 기반의 플렉서블 소자 개발과 이제는 저온에서 높은 이동도를 얻을 수 있는 단계까지 준족의 발전을 거듭해 왔다. | |
산화환원반응에 의한 과잉 염소에 대한 제거 반응이 일어나는 물질은? | 특히, 침전현상으로 박막 형성이 어렵거나 유기 용매를 이용할 경우와 비교하여 큰 장점을 나타내지 못한 결과를 나타내는 반면 [5], 금속염화물 기반으로 첨가제를 통해 안정화하고 저온에서 산화물 박막을 형성할 수 있는 방법이 새롭게 보고가 되었다(그림 1(d)). 과염소산이 첨가된 금속염화물 프리커서의 경우 산화환원반응에 의한 과잉 염소에 대한 제거 반응이 일어나게 되고 금속질화물을 사용한 경우와 유사하게 낮은 온도에서 산화물 박막을 형성할 수 있는 것으로 확인되었다 [6]. 특히, 과염소산의 추가 유무에 따라 250도 공정에서 제작된 소자의 특성을 비교해 보았을 때, 이동도를 기준으로 0. | |
용액공정 기반 산화물 반도체 형성의 큰 단점은? | 용액공정 기반 산화물 반도체 형성은 초기 산화물 반도체 형성에 있어서 요구되는 고온열처리로 다양한 용액공정 기반 소재에 비해 큰 단점으로 작용했다. 그러나 이후 저온 형성 방법으로 근본적인 재료의 화학적 접근법이 다양하게 시도가 되었으며, 새로운 프리커서 구조와 열처리 과정에서의 화학적 반응에 초점이 맞추어져 연구가 진행되어 왔다. |
X. Yu, T. J. Marks, and A. Facchetti, Nat. Mater. , 15, 383 (2016).
K. K. Banger, Y. Yamashita, K. Mori, R. L. Peterson, T. Leedham, J. Rickard, and H. Sirringhaus, Nat. Mater., 10, 45 (2011).
M. G. Kim, M. G. Kanatzidis, A. Facchetti, and T. J. Marks, Nat. Mater., 10, 382 (2011).
Y. H. Hwang, J. S. Seo, J. M. Yun, H. Park, S. Yang, S. H. K. Park, and B. S. Bae, NPG Asia Mater. , 5, e45 (2013).
Y. S. Rim, H. Chen, T. B. Song, S. H. Bae, and Y. Yang, Chem. Mater., 27, 5808 (2015).
H. Chen, Y. S. Rim, C. Jiang, and Y. Yang, Chem. Mater. , 27, 4713 (2015).
Y. S. Rim, W. H. Jeong, D. L. Kim, H. S. Lim, K. M. Kim, and H. J. Kim, J. Mater. Chem. , 22, 12491 (2012).
T. Jun, K. Song, Y. Jeong, K. Woo, D. Kim, C. Bae, and J. Moon, J. Mater. Chem., 21, 1102 (2011).
J. S. Heo, J. W. Jo, J. Kang, C. Y. Jeong, H. Y. Jeong, S. K. Kim, K. Kim, H. I. Kwon, J. Kim, Y. H. Kim, M. G. Kim, and S. K. Park, ACS Appl. Mater. Interfaces, 8, 10403 (2016).
L. Liu, S. Chen, X. Liang, and Y. Pei, Adv. Electron. Mater. 1900550 (2019).
D. Khim, Y. H. Lin, S. Nam, H. Fader, K. Tetzner, R. Li, Q. Zhang, J. Li, X. Zhang, and T. D. Anthopoulos, Adv. Mater. 29, 1605837 (2017).
H. Faber, S. Das, Y. H. Lin, N. Pliatsikas, K. Zhao, T. Kehagias, G. Dimitrakopulos, A. Amassian, P. A. Patsalas, and T. D. Anthopoulos, Sci. Adv. 2017;3: e1602640.
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