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65nm CMOS 기술에서의 cascode기반 LNA 잡음지수 분석
Noise analysis of cascode LNA with 65nm CMOS technology 원문보기

한국정보통신학회논문지 = Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering, v.24 no.5, 2020년, pp.678 - 681  

Jung, Youngho (Department of Electronic and Electrical Engineering, Daegu University) ,  Koo, Minsuk (Department of Electrical and Computer Engineering, Purdue University)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, we analyzed the noise figure of cascode low noise amplifier (LNA) based on the measured data of 65nm CMOS devices. By using the channel thermal noise model of transistors, we expanded noise figure equation and divided the equation into three parts to see its contributions to noise fig...

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대상 데이터

  • Here, we focused on common-source topology with source degeneration inductor but same approach can be applied to other configurations. All parameters used in this research are based on measured data of 65 nm CMOS devices. The unit finger width of transistor is 0.
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참고문헌 (9)

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  9. J. Jeon, J. D. Lee, B.-G. Park, and H. Shin, "An analytical channel thermal noise model for deep sub-micron MOSFETs with short-channel effects," Solid-State Electronics, vol. 51, no. 7, pp. 1034-1038, Jul. 2007. 

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