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NTIS 바로가기소성가공 = Transactions of materials processing : Journal of the Korean society for technology of plastics, v.29 no.1, 2020년, pp.44 - 48
정준기 (강릉원주대학교 비철산업기술연구센터) , 하태권
Aluminum nitride (AlN), as a substrate material in electronic packaging, has attracted considerable attention over the last few decades because of its excellent properties, which include high thermal conductivity, a coefficient of thermal expansion that matches well with that of silicon, and a moder...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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AlN 박막의 증착방법으로 무엇이 있는가? | AlN을 응용하기 위한 방법 중 박막성장은 고출력 전기 소자 및 LED, LD 소자 등으로 응용할 수 있으며, 이를 위해서는 결정면의 c-축 배향성이 요구되며 이러한 특성은 AlN박막의 증착 방법에 크게 영향을 받는다. AlN 박막의 증착방법으로는 크게 화학적기상증착(CVD; Chemical Vapor Deposition)법과 물리적기상증착(PVD; Physical Vapor Deposition)법이 사용되며, PVD방법 중 하나인 펄스레이저(PLD; Pulsed Laser Deposition)법은 순수한 단일원소 물질에서부터 복잡한 다성분계 물질에 이르기까지 재현성이 있고, 증착속도가 빠르며, CVD법에 비해 재해가 덜하다는 장점이 있다[7]. | |
질화알루미늄의 특성은? | 전자부품 소자의 높은 발열로 부품 내의 온도의 상승으로 인한 부품의 수명 저하와 같은 문제점이 발생하고 있으며, 이에 따라 열을 효과적으로 방출시켜 회로를 보호하기 위해 높은 열전도도를 가지는 소재를 사용한 기판이 각광받고 있다[1~2]. 특히, 기판 및 패키지로 응용하기 위한 소재 중 질화알루미늄(Aluminium nitride: AlN)은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체로서 Hexagonal Wurzite 결정 구조를 가지며, 높은 열전도도 및 낮은 열팽창 특성을 가지는 비산화물 재료이다. 또한 전기절연성 및 내화학성이 우수하여 이러한 특성을 이용하여 LED(Light Emitting Diode), LD(Laser Diode) 패키지용 방열기판, 정전척, 고집적 반도체 기판 등에 사용하고자 하는 연구가 활발히 이루어지고 있다 [3~6]. |
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K. Komeya, H. Inoue, A. Tsuge, 1974, Role of $Y_2O_3$ and $SiO_2$ Additions in Sintering of AlN, J. Am. Ceram. Soc., Vol. 57, No. 9, pp. 411-412.
Yasuhiro Kurokawa, Kazuaki Utsumi, Hideo Takamizawa, 1988, Development and Microstructural Characterization of High Thermal Conductivity Aluminum Nitride Ceramics, J. Am. Ceram. Soc., Vol. 71, No. 7, pp. 588-594.
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