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NTIS 바로가기한국산학기술학회논문지 = Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society, v.21 no.1, 2020년, pp.8 - 13
Stress is the main cause of warpage failure of very thin substrates with thickness of several hundred ㎛, such as IC packages. Stress usually results from differences in crystal structures and corresponding thermal expansion coefficients when depositing different substances on a substrate. In ...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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일반적으로 응력은 무엇에 인해 발생하는가? | IC 패키지와 같이 두께가 수백 마이크로미터 정도로 매우 얇은 기판에서 뒤틀림 불량을 일으키는 가장 큰 원인은 응력이다. 일반적으로 응력은 기판 위에 서로 다른 물질을 적층할 때, 결정구조 및 그에 따른 열팽창 계수의 차이로 인해 발생한다. 본 연구에서는 사각형의 박막 패턴이 적층된 기판에 발생하는 응력의 거동을 수치적으로 분석하였다. | |
두께가 얇은 기판에서 특히 문제가 되는 것은? | 두께가 얇은 기판은 전자기기의 경박단소화에 도움이 되지만, 신뢰성이나 내구성 면에서는 약점이 된다. 특히 문제가 되는 것은 완성된 IC 패키지에 발생하는 기판 뒤틀림(warpage)이다[3-5]. IC 패키지에는 반도체 칩과 기판을 전기적으로 연결하기 위한 Cu 배선, 사각형의 패드, 솔더 레지스트(solder resist) 패턴 등이 형성되어 있다. | |
IC 패키지와 같이 두께가 수백 마이크로미터 정도로 매우 얇은 기판에서 뒤틀림 불량을 일으키는 가장 큰 원인은? | IC 패키지와 같이 두께가 수백 마이크로미터 정도로 매우 얇은 기판에서 뒤틀림 불량을 일으키는 가장 큰 원인은 응력이다. 일반적으로 응력은 기판 위에 서로 다른 물질을 적층할 때, 결정구조 및 그에 따른 열팽창 계수의 차이로 인해 발생한다. |
Cheng Hsiang Liu, Jyun Ling Tsai, Hung Hsien Chang, Chang Lun Lu, Shih Ching Chen, " Integrated Process Characterization and Fabrication Challenges for 2.5D IC Packaging Utilizing Silicon Interposer with Backside Via Reveal Process", Proceedings of 2014 Electronic Components&Technology Conference, pp.1628-1634, May 2014. DOI: https://doi.org/10.1109/ECTC.2014.6897513
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Y. Sawada, K. Harada, H. Fujioka, "Study of Package Warp Behavior for High Performance Flip-Chip BGA", Microelectronics Reliability, Vol.43, Issue.3, pp.465-471, March 2003. DOI: http://dx.doi.org/10.1016/S0026-2714(02)00294-9
Cha Gyu Song, Sung-Hoon Choa, "Numerical Study of Warpage and Stress for the Ultra Thin Package", Journal of the Microelectronics & Packaging Society, Vol.17, No.4, pp.49-60, 2010.
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L. D. Landau, E. M. Lifshitz, "Theory of Elasticity", Pergamon Press, 3rd Edition, Chap1, 1976.
S. Timoshenko, J. N. Goodier, "Theory of Elasticity", McGraw-HILL Book Company, 2nd Edition, Chap1, 1951.
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