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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.33 no.2, 2020년, pp.99 - 104
이종민 (한국전자통신연구원 RF) , 민병규 (한국전자통신연구원 RF) , 장성재 (한국전자통신연구원 RF) , 장우진 (한국전자통신연구원 RF) , 윤형섭 (한국전자통신연구원 RF) , 정현욱 (한국전자통신연구원 RF) , 김성일 (한국전자통신연구원 RF) , 강동민 (한국전자통신연구원 RF) , 김완식 (LIG 넥스원(주)) , 정주용 (LIG 넥스원(주)) , 김종필 (LIG 넥스원(주)) , 서미희 (국방과학연구소) , 김소수 (국방과학연구소)
In this study, we fabricated a metamorphic high-electron-mobility transistor (mHEMT) device with a T-type gate structure for the implementation of W-band monolithic microwave integrated circuits (MMICs) and investigated its characteristics. To fabricate the mHEMT device, a recess process for etching...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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InP 기반의 웨이퍼의 단점을 개선하기 위하여 무엇이 제안되었는가? | 그러나 GaAs 기반의 웨이퍼와 비교하면, InP 기반의 웨이퍼는 부서지기 쉽고, 가격이 비싸며 공정하기에 어려워 대량생산이 어렵다는 결정적 단점을 가지고 있다. 이를 개선하기 위하여 GaAs 기판 위에 메타몰픽(metamorphic) 버퍼(buffer)층을 적용하여 InP 에피층을 사용하는 mHEMT가 제안되었다. 최근 까지도 InP 기반 HEMT의 우수한 소자 특성과 GaAs 기반 mHEMT의 공정 용이성 등 각기 소자들의 장점만을 취하는 mHMET를 활용한 MMIC에 관한 결과가 보고되고 있으며 사용연구가 활발하게 진행되고 있다 [3,4]. | |
HEMT 소자의 특징은 무엇인가? | W-band 시스템을 구현하기 위해서는 W-band 대역에서 동작하는 단일 집적 회로(millimeter monolithic integrated circuit, MMIC)의 확보가 필수적이며 우수한 특성의 MMIC 개발이 선행되어야 시스템의 소형화, 경량화, 고신뢰성 확보 및 대량생산을 통한 저가격화 등이 가능하다 [3,4]. 이러한 MMIC 소자의 핵심 능동 소자로 HEMT (high electron mobility transistor) 소자는 낮은 잡음 특성과 우수한 초고주파 특성뿐만 아니라 GaN 기반 소자의 경우 높은 항복 전압과 빠른 스위칭 특성으로 전력반도체로의 활용에도 주목받고 있다 [5-7]. | |
InP 기반의 웨이퍼의 단점은 무엇인가? | 높은 초고주파 특성을 얻기 위해서 InP 기반의 격자 정합된(lattice-matched) HEMT가 지속해서 연구됐으며, GaAs 기반의 HEMT와 비교하여 높은 이득 특성과 낮은 잡음 특성 및 우수한 초고주파 특성 등의 여러 장 점으로 주목받고 있다. 그러나 GaAs 기반의 웨이퍼와 비교하면, InP 기반의 웨이퍼는 부서지기 쉽고, 가격이 비싸며 공정하기에 어려워 대량생산이 어렵다는 결정적 단점을 가지고 있다. 이를 개선하기 위하여 GaAs 기판 위에 메타몰픽(metamorphic) 버퍼(buffer)층을 적용하여 InP 에피층을 사용하는 mHEMT가 제안되었다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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