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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.33 no.2, 2020년, pp.109 - 113
정헌석 (극동대학교 에너지IT공학과)
A power device is a component used as a switch or rectifier in power electronics to control high voltages. Consequently, power devices are used to improve the efficiency of electric-vehicle (EV) chargers, new energy generators, welders, and switched-mode power supplies (SMPS). Power device designs, ...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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Power device란 무엇인가? | Power device는 고전압을 제어하는 데 사용되는 소자로 높은 신뢰성과 고효율을 필요로 하고, EV (electricvehicle) 충전기, 신재생 에너지 발전기, 용접기, 3-상 SMPS (switched-mode power supply), 전기자동차, 공장 자동화와 같은 다양한 산업의 효율 향상에 기여하고 있다 [1,2,6,7]. | |
Power device에는 무엇이 있는가? | Power device는 대표적으로 전력 MOSFET과 IGBT (insulated gate bipolar transistor)가 있다. 전력 MOSFET은 IGBT에 비해 빠른 스위칭 속도와 turn-off 시 꼬리전류(tail current)가 없는 장점이 있다 [8]. | |
Power device 중 전력 MOSEFET의 장점은 무엇인가? | Power device는 대표적으로 전력 MOSFET과 IGBT (insulated gate bipolar transistor)가 있다. 전력 MOSFET은 IGBT에 비해 빠른 스위칭 속도와 turn-off 시 꼬리전류(tail current)가 없는 장점이 있다 [8]. 또한 초접합 구조는 P-base 아래 pillar 영역을 추가하여 낮은 온저항과 전계 분산으로 높은 항복전압의 장점이 있다 [1,3-5]. 따라서 본 논문에서는 초접합 구조를 갖는 900 V급 전력 MOSFET 소자를 설계하여, 전기적 특성을 보고자 하였다. |
J. H. Ji and J. H. Go, Bulletin of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers, 30, 3 (2017).
J. H. Lee, E. S. Jung, and E. G. Kang, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 25, 270 (2012). [DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2012.25.4.270]
E. G. Kang, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 27, 613 (2014). [DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2014.27.10.613]
E. G. Kang, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 27, 501 (2014). [DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2014.27.8.501]
E. G. Kang, Inst. Korean Electr. Electron. Eng., 18, 532 (2014). [DOI: https://doi.org/10.7471/ikeee.2014.18.4.532]
G. J. Kim, Y. H. Kang, and Y. S. Kwon, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 26, 284 (2013). [DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2013.26.4.284]
B. J. Kim, H. S. Chung, S. J. Kim, E. S. Jung, and E. G. Kang, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 25, 170 (2012). [DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2012.25.3.170]
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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