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SSD FTL의 캐시 메커니즘에 대한 심층 분석 및 개선
An In-Depth Analysis and Improvement on Cache Mechanisms of SSD FTL 원문보기

대한임베디드공학회논문지 = IEMEK Journal of embedded systems and applications, v.15 no.1, 2020년, pp.9 - 16  

이형봉 (Gangneung-Wonju National University) ,  정태윤 (Gangneung-Wonju National University)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Recently, the capacity of SSD has been increasing rapidly due to the improvement of flash memory density. To take full advantage of these SSDs, first of all, FTL's prompt adaptation is necessary. The FTL is a translation layer existing in SSDs to overcome the drawback of the SSD that cannot be modif...

주제어

표/그림 (16)

AI 본문요약
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문제 정의

  • 제자리 수정하기가 불가능한 SSD의 근본적 특성을 해결하기 위한 FTL은 논리 페이지와 물리 페이지 번호 사이의 변환, 쓰인 후 초기화를 기다리는 가비지 수집, 물리 페이지 입‧출력을 최소화하기 위한 캐싱 등 세 가지 핵심 기능을 담당한다. 이 논문에서는 FTL의 캐싱 기능에 집중하여 캐시 구현 방안들을 분석하고 개선 방안을 제시하였다. 개선 방안 중, LRU 캐시 그룹과 독립적인 검색 구간을 설정하고 할당 캐시가 속한 검색 구간을 맵 테이블에 표시하는 캐시 구간 순차 검색 방법은 LRU 캐시 그룹을 연결 리스트로 검색하는 일반적인 방법보다 평균 1.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
SSD의 시간적 성능저하가 없는 이유는 무엇인가? 이 중에서도 특히 빠른 접근속도는 일반 사무용 PC의 부팅과정에서 쉽게 실감할 수 있다. 기존의 하드 디스크가 데이터의 흩어짐 정도에 따라 기계적 탐색시간이 크게 늘어나는 반면, SSD는 저장 위치가 전자적으로 탐색되므로 시간적 성능 저하가 전혀 없다. 이에 따라 최근 출시되는 대부분의 PC는 시스템 디스크용으로 SSD를 탑재하고 있다 [1].
SSD의 장점은 무엇인가? 플래시 메모리에 기반한 SSD (Solid State Disk)는 널리 알려진 바와 같이 빠른 접근속도, 낮은 전력소모, 높은 내충격성, 가벼운 무게 등의 장점으로 기존의 하드 디스크를 빠르게 대체하고 있다. 이 중에서도 특히 빠른 접근속도는 일반 사무용 PC의 부팅과정에서 쉽게 실감할 수 있다.
Solid State Disk의 단점은 무엇인가? 이러한 장점에도 불구하고 초기화 없이 제자리 쓰기가 불가능하고, 초기화 회수가 한정되어 있다는 단점은 SSD의 효율적 이용에 대한 장애요인이다. 여기에 더해 읽기‧쓰기 단위인 페이지 크기와 초기화 단위인 블록의 크기가 다르고, 각 연산에 소모되는 전력이 각각 다르다는 점은 SSD의 보편적 최적화는 거의 불가능함을 의미한다 [2].
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참고문헌 (14)

  1. D.H. Gouk, M.R. Kwon, M.S. Jung, "Practical Analysis and Characterization Methods of Moders SSD using Full-System Integrated SimpleSSD," Journal of Communications of the Korean Institute of Information Scientists and Engineers, Vol. 36, No. 6, pp. 37-55, 2018 (in Korean). 

  2. V. Mohan, T. Bunker, L. Grupp, S. Gurumurthi, M.R. Stan, S. Swanson, "Modeling Power Consumption of NAND Flash Memories Using FlashPower," Journal of IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuit and Stsrems, Vol. 32, No. 7, pp. 1031-1044, 2013. 

  3. Y.S. Kim, "A Compact Representation of Translation Pages for Flash Translation Layers of Solid State Drives," Journal of the Korea Society of Computer and Information, Vol. 24, No. 2, pp. 1-7, 2019 (in Korean). 

  4. Samsung Electronics, "Samsung SSD 850 Pro Data Sheet Rev. 3," 2017 (available on : http://downloadcenter.samsung.com/content/UM /201711/20171115103115156/Samsung_SSD_850_PRO_Data_Sheet_Rev_3.pdf). 

  5. H.J. Kim, D.K. Shin, "Increasing-Order Page-Level Mapping FTL for Memory-constraint Flash Storage Systems," Proceedings of Korea Computer Congress, pp. 1181-1183, 2016 (in Korean). 

  6. S.H. Kim, Garbage Collection Technique for Balanced Wear-out and Durability Enhancement with Solid State Drive on Storage Systems," Journal of the Korea Society of Computer and Information, Vol. 22, NO 4, pp. 25-32, 2017 (in Korean). 

  7. J.K. Park, J.H. Kim, "Flash Storage System, A Method for Reducing Garbage Collection Overhead of SSD Using Machine Learning Algorithms", Proceedings of International Conference on Information and Communication Technology Convergence (ICTC), pp. 775-777, 2017. 

  8. N. Shahidi, M.T. Kandemir, "CachedGC:Cache-Assisted Garbage Collection in Modern Solid State Drives," Conference of IEEE 26th International Symposium on Modeling, Analysis, and Simulation of Computer and Telecommunication Systems (MASCOTS), pp. 79-85, 2018. 

  9. A. Silberschatz, P.B. Galvin, G. Gagne, "Operating Ssystem Concepts-ninth Edition," Wiley Press, pp. 604-607, 2013. 

  10. H.B. Lee, T.Y. Chung, "A Comparative Analysis on Page Caching Strategies Affecting Energy Consumption in the NAND Flash Translation Layer," IEMEK J. Embed. Sys. Appl., Vol. 13, No. 3, pp. 109-116, 2018 (in Korean). 

  11. S.Y. Park, D.W. Jung, J.U. Kang, J.S. Kim, J.W. Lee, "CFLRU: A Replacement Algorithm for Flash Memory," Proceedings of the International Conference on Compilers, Architecture and Synthesis for Embedded Systems (CASES'06), pp. 234-241, 2006. 

  12. Z. Li. P. Jin, X. Su, K. Cui, L. Yue, "CCF-LRU: A New Buffer Replacement Algorithm for Flash Memory," Journal of IEEE Transactions on Consumer Electronics, Vol. 55, No. 3, pp. 1351-1359, 2009. 

  13. J.S. Bucy, J. Schindler, S.W. Schlosser, G.R. Ganger, The DiskSim Simulation Environment Version 4.0 Reference Manual, Technical Report CMU-PDL-08-101, 2008. 

  14. Cygwin, Avaliable on : https://www.cygwin.com/ 

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