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NTIS 바로가기반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.19 no.2, 2020년, pp.77 - 81
김재환 (명지대학교 전자공학과) , 이용일 (명지대학교 전자공학과) , 홍상진 (명지대학교 전자공학과)
Silicon wafer etching in micro electro mechanical systems (MEMS) fabrication is challenging to form 3-D structures. Well known Si-wet etch of silicon employs potassium hydroxide (KOH), tetramethylammonium hydroxide (TMAH) and sodium hydroxide (NaOH). However, the existing silicon wet etching process...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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실리콘 비등방성 습식 식각에 사용되는 용액은 무엇인가? | MEMS 제조에 필요한 3차원 구조를 형성하기 위해 실리콘의 비등방성 식각이 요구되며 이 때 사용되는 습식 식각 공정에 고려되는 사항은 식각률, 종횡비, 비용, 환경 오염 등이 있다[1]. 실리콘 비등방성 습식 식각에 사용되는 용액은 potassium hydroxide (KOH), tetramethylammonium hydroxide (TMAH), sodium hydroxide (NaOH) 등이 있으나, KOH 는 편평도가 TMAH에 비해 우수하고 실리콘의 표면에만 반응하기 때문에 Fig. 1과 같이54. | |
KOH의 특징은 무엇인가? | MEMS 제조에 필요한 3차원 구조를 형성하기 위해 실리콘의 비등방성 식각이 요구되며 이 때 사용되는 습식 식각 공정에 고려되는 사항은 식각률, 종횡비, 비용, 환경 오염 등이 있다[1]. 실리콘 비등방성 습식 식각에 사용되는 용액은 potassium hydroxide (KOH), tetramethylammonium hydroxide (TMAH), sodium hydroxide (NaOH) 등이 있으나, KOH 는 편평도가 TMAH에 비해 우수하고 실리콘의 표면에만 반응하기 때문에 Fig. 1과 같이54.74° 의 비등방성 식각 특성을 갖고 있으며 독성이 적은 특징이 있다[2-3]. KOH를 사용한 실리콘 비등방성 습식 식각은 압력 센서, 가속계, 광학 센서 등 전반적인 MEMS 장치 구조 형성 등에 사용된다[4-7]. | |
KOH 습식 식각의 단점은 무엇인가? | 그러나 이와 같은 KOH 습식 식각은 4인치 웨이퍼에 국한되어 있고 실리콘의 후면 또한 식각을 피할 수 없다. 이로 인해 다양한 구조 형성이 어렵고 재현성 확보가 힘들다는 단점이 있다. 이와 같은 이유로 실리콘 습식 식각의 재현성 확보와 실리콘의 경도를 유지하기 위한 장치가 필요하다. |
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