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[국내논문] W-WC의 Spark Plasma Sintering에 의한 W2C의 합성 및 식각특성
Synthesis of W2C by Spark Plasma Sintering of W-WC Powder Mixture and Its Etching Property 원문보기

한국분말야금학회지 = Journal of Korean Powder Metallurgy Institute, v.27 no.4, 2020년, pp.293 - 299  

오규상 (한국세라믹기술원 이천분원 엔지니어링세라믹센터) ,  이성민 (한국세라믹기술원 이천분원 엔지니어링세라믹센터) ,  류성수 (한국세라믹기술원 이천분원 엔지니어링세라믹센터)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

W2C is synthesized through a reaction-sintering process from an ultrafine-W and WC powder mixture using spark plasma sintering (SPS). The effect of various parameters, such as W:WC molar ratio, sintering temperature, and sintering time, on the synthesis behavior of W2C is investigated through X-ray ...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 W2C의 플라즈마 식각특성을 조사하기 위해 먼저 SPS 공정을 통해 미립의 W 분말과 WC분말을 혼합하여 승온 중 반응소결을 통해 치밀한 W2C 소결체를 제조하고자 하였다. 이를 위해 W과 WC의 혼합비, 소결온도 및 소결시간 등에 따른 W2C 합성 거동을 조사하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
W2C가 가지는 단점은? 그러나 지금까지 텅스텐 카바이드 계에 대한 내플라즈마 특성에 대해 연구가 보고된 바는 없다. 특히, W2C는 WC에 비해서는 상대적으로 낮은 내마모성으로 인하여 그동안 많이 사용되지 않았으나, WC에 비해 가공이 용이하다는 점에서 반도체 부품의 원가절감의 효과가 기대되기 때문에 WC와 함께 앞으로 새로운 식각 공정 장비용 부품 소재로써 응용 가능성이 있다.
SiC와 같은 금속 카바이드(metal carbide)계 소재는 불순물을 형성하지 않으면서, Si 웨이퍼에 비해 높은 플라즈마 내식성을 가지는 이유는? 최근 SiC와 같은 금속 카바이드(metal carbide)계 소재는 불순물을 형성하지 않으면서, Si 웨이퍼에 비해 높은 플라즈마 내식성을 가진다는 보고가 있다[6]. 이는 SiC가 F계 가스에 의해 식각이 일어나면서 표면층에 형성된 불소화 탄소층(C-F)이 우수한 식각저항성을 가지기 때문이다. WC나 W2C와 같은 텅스텐 카바이드(tungsten carbide)계 소재의 경우에도 식각 공정 시 SiC에서와 같이 표면층에 C-F 층이 형성될 수 있고, W이 F계 가스와 결합하여 형성되는 WF6는 끓는점이 낮아 공정 중에 기화되기 때문에 파티클 형성 문제를 해결할 수 있는 대안 소재로 제시 될 수 있을 것이다.
WC나 W2C와 같은 텅스텐 카바이드(tungsten carbide)계 소재의 경우 파티클 형성 문제를 해결할 수 있는 대안 소재로 제시 될 수 있는 이유는? 이는 SiC가 F계 가스에 의해 식각이 일어나면서 표면층에 형성된 불소화 탄소층(C-F)이 우수한 식각저항성을 가지기 때문이다. WC나 W2C와 같은 텅스텐 카바이드(tungsten carbide)계 소재의 경우에도 식각 공정 시 SiC에서와 같이 표면층에 C-F 층이 형성될 수 있고, W이 F계 가스와 결합하여 형성되는 WF6는 끓는점이 낮아 공정 중에 기화되기 때문에 파티클 형성 문제를 해결할 수 있는 대안 소재로 제시 될 수 있을 것이다. 그러나 지금까지 텅스텐 카바이드 계에 대한 내플라즈마 특성에 대해 연구가 보고된 바는 없다.
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참고문헌 (12)

  1. M. Schaepkens, R. C. M. Bosch, T. E. F. M. Standaert, G. S. Oehrlein and J. M. Cook: J. Vac. Sci. Technol. A, 16 (1998) 2099. 

  2. Y. Kobayashi: In Proc. 37th Seminar on High-Temperature Ceramics, 19 (2005) 1. 

  3. N. Ito, T. Moriya, F. Uesugi, M. Matsumoto, S. Liu and Y. Kitayama: Jpn. J. Appl. Phys., 47 (2008) 3630. 

  4. G. S. May and C. J. Spanos: Fundamentals of Semiconductor Manufacturing and Process Control, John Wiley & Sons, (2006). 

  5. A. J. van Roosmalen, J. A. G. Baggerman and S. J. H. Brader: Dry Etching for VLSI, Springer Science & Business Media, (2013). 

  6. M. R. Jang. Y. K. Paek and S. M. Lee: J. Korean Ceram. Soc., 49 (2012) 328. 

  7. J. H. Kim, I. H. Oh, J. H. Lee, S. K. Hong and H. K. Park: J. Korean Powder Metall. Inst., 26 (2019) 132. 

  8. M. Schaepkens, T. E. F. M Standaert, N. R. Ruger, P. G. M. Sebel and G. S. Oehrlein: J. Vac. Sci. Technol., 17 (1999) 26. 

  9. H. Taimatsu, S. Sygiyama and Y. Kodaira: Mater. Trans., 49 (2008) 1256. 

  10. K. Buss : Ph.D. Thesis, EPFL, (2004). 

  11. J. Zhang, G. Zhang, S. Zhao and X. Song: J. Alloys Compd., 479 (2009) 427. 

  12. D. M. Kim, S. Y. Yoon, K. B. Kim, H. S. Kim, Y. S. Oh and S. M. Lee: J. Korean Ceram. Soc., 45 (2008) 707. 

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