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NTIS 바로가기E<SUP>2</SUP>M : Electrical & Electronic materials = 전기 전자와 첨단 소재, v.33 no.5, 2020년, pp.26 - 39
백강준 (부경대학교 인쇄정보공학과)
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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유기물 반도체를 활용한 전계-효과 트랜지스터의 장점은 무엇인가? | 유기물 반도체를 활용한 전계-효과 트랜지스터(OFET)는 유기물이 가지는 물리적 유연성과 함께 쉬운 용액/인쇄 공정을 통해 저온에서 제조 가능한 장점으로 인해 형태 변형이 자유로우며 값이 싸고 가벼우며, 대면적으로 제조해야 하는 전자기기와 디스플레이 등에 폭넓게 활용 가능하다 [1]. 이러한 OFET의 활용 범위를 넓히기 위해서는 전하 이동도 향상과 공기/구동 안정성, 소자 특성의 균일성 확보 등 해결해야 하는 문제가 남아있다. | |
OFET에 존재하는 4개의 주요 계면은 무엇인가? | OFET에서는 유기물 반도체 자체적인 계면과 반도체-전극-유전체로 구성된 각 요소로 이루어진 4개의 주요 접합 또는 계면이 존재한다. 이들은 반도체 박막 내에서의 계면, 반도체와 전극 사이의 계면, 반도체와 유전체 사이의 계면, 그리고 반도체와 외부환경 사이의 계면이다. 반도체층 자체에 존재하는 계면은 불순물, 결정립계, 다결정 박막의 결정질과 비정질 간의 여러 결함 요소에 의해 전하 이동을 방해하는 산란 요인이 작용할 수 있다 [3]. | |
트랜지스터가 스위치 특성을 구현하는 방법은? | OFET를 포함한 모든 광/전자소자의 경우 유기물-유기물 혹은 유기물-무기물 소재들로 구성된 이종 소재 간의 접합으로 이루어진다. 트랜지스터는 소스와 드레인 전극 사이에 흐르는 전류를 게이트 전극에 가해지는 수직 방향의 전계 효과에 의해 제어 함으로써 기본적인 스위치 특성을 구현한다 (그림 1). 유기물 반도체와 금속 전극 또는 게이트 유전체와의 이종 소재 간의 계면 특성이 각각 전하 주입 특성을 조절하고 채널 내의 전하 축적/공핍 유도로 인해 전하 캐리어의 이동 특성을 제어하는 데 영향을 미치게 된다. |
K. J. Baeg, M. Caironi, and Y. Y. Noh, Adv. Mater., 25, 4210 (2013).
H. Chen, W. Zhang, M. Li, G. He, and X. Guo, Chem. Rev., 120, 2879 (2020).
K. Kang, S. Watanabe, K. Broch, A. Sepe, A. Brown, I. Nasrallah, M. Nikolka, Z. P. Fei, M. Heeney, D. Matsumoto, K. Marumoto, H. Tanaka, S. I. Kuroda, and H. Sirringhaus, Nat. Mater., 15, 896 (2016).
A. Chortos, J. Liu, and Z. Bao, Nat. Mater., 15, 937 (2016).
L. Torsi, M. Magliulo, K. Manoli, and G. Palazzo, Chem. Soc. Rev., 42, 8612 (2013).
H. Bassler and A. Kohler, Charge Transport in Organic Semiconductors. (Springer, Berling, 2011). p. 1.
D. X. Long, K. J. Baeg, Y. Xu, S. J. Kang, M. G. Kim, G. W. Lee, and Y. Y. Noh, Adv. Funct. Mater., 24, 6484 (2014).
R. Hajlaoui, G. Horowitz, F. Garnier, A. Arce-Brouchet, L. Laigre, A. El Kassmi, F. Demanze, and F. Kouki, Adv. Mater., 9, 389 (1997).
Y. H. Zhou, C. Fuentes-Hernandez, J. Shim, J. Meyer, A. J. Giordano, H. Li, P. Winget, T. Papadopoulos, H. Cheun, and J. Kim, et al., Science 336, 327 (2012).
G. S. Tulevski, Q. Miao, A. Afzali, T. O. Graham, C. R. Kagan, C. Nuckolls, and J. Am. Chem. Soc., 128, 1788 (2006).
Y. Zhao, W. Perez-Segarra, Q. C. Shi, and A. Wei, J. Am. Chem. Soc., 127, 7328 (2005).
G. Wang, A. Ruhling, S. Amirjalayer, M. Knor, and J. B. Ernst, et al., Nat. Chem., 9, 152 (2017).
K. J. Baeg, D. Khim, S. W. Jung, M. Kang, I. K. You, D. Y. Kim, A. Facchetti, and Y. Y. Noh, Adv. Mater., 24, 5433 (2012).
D. Khim, Y. Xu, K. J. Baeg, M. Kang, W. T. Park, S. H. Lee, I. B. Kim, J. Kim, D. Y. Kim, C. Liu, and Y. Y. Noh, Adv. Mater., 28, 518 (2016).
T. Schmaltz, B. Gothe, A. Krause, S. Leitherer, H. G. Steinruck, M. Thoss, T. Clark, and M. Halik, ACS Nano., 11, 8747 (2017).
T. Yokota, T. Kajitani, R. Shidachi, T. Tokuhara, M. Kaltenbrunner, Y. Shoji, F. Ishiwari, T. Sekitani, T. Fukushima, and T. Someya, Nat. Nanotechnol., 13, 139 (2018).
E. C. P. Smits, S. G. J. Mathijssen, P. A. van Hal, and S. Setayesh, et al., Nature, 455, 956 (2008).
A. Ringk, X. R. Li, F. Gholamrezaie, and E. C. P. Smits, et al., Adv. Funct. Mater., 23, 2016 (2013).
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