[논문]전극 접촉영역의 선택적 표면처리를 통한 유기박막트랜지스터 전하주입특성 및 소자 성능 향상에 대한 연구

최기헌; 이화성

doi:10.17702/jai.2020.21.3.86

전극 접촉영역의 선택적 표면처리를 통한 유기박막트랜지스터 전하주입특성 및 소자 성능 향상에 대한 연구
Improving Charge Injection Characteristics and Electrical Performances of Polymer Field-Effect Transistors by Selective Surface Energy Control of Electrode-Contacted Substrate 원문보기

접착 및 계면 = Journal of adhesion and interface, v.21 no.3, 2020년, pp.86 - 92

최기헌 (한양대학교 재료화학공학과) , 이화성 (한양대학교 재료화학공학과)

초록
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본 연구에서 소스/드레인 전극이 위치하는 기판의 접촉영역과 두 전극사이 채널영역의 표면 에너지를 선택적으로 다르게 제어하여 고분자 트랜지스터의 소자성능과 전하주입 특성에 미치는 영향을 확인하였다. 채널영역의 표면에너지를 낮게 유지하면서 접촉영역의 표면에너지를 높였을 때 고분자 트랜지스터의 전하이동도는 0.063 ㎠/V·s, 접촉저항은 132.2 kΩ·cm, 그리고 문턱전압이하 스윙은 0.6 V/dec로 나타났으며, 이는 원래 소자에 비해 각각 2배와 30배 이상 개선된 결과이다. 채널길이에 따른 계면 트랩밀도를 분석한 결과, 접촉영역에서 선택적 표면처리에 의해 고분자반도체 분자의 공액중첩 방향과 전하주입 방향이 일치되면서 전하트랩 밀도가 감소한 것이 성능향상의 주요한 원인으로 확인되었다. 본 연구에서 적용한 전극과 고분자 반도체의 접촉영역에 선택적 표면처리 방법은 기존의 계면저항을 낮추는 다양한 공정과 함께 활용됨으로써 트랜지스터 성능향상을 최대화할 수 있는 가능성을 가진다.

Abstract ▼ AI-Helper

We confirmed the effects on the device performances and the charge injection characteristics of organic field-effect transistor (OFET) by selectively differently controlling the surface energies on the contact region of the substrate where the source/drain electrodes are located and the channel region between the two electrodes. When the surface energies of the channel and contact regions were kept low and increased, respectively, the field-effect mobility of the OFET devices was 0.063 ㎠/V·s, the contact resistance was 132.2 kΩ·cm, and the subthreshold swing was 0.6 V/dec. They are the results of twice and 30 times improvements compared to the pristine FET device, respectively. As the results of analyzing the interfacial trap density according to the channel length, a major reason of the improved device performances could be anticipated that the pi-pi overlapping direction of polymer semiconductor molecules and the charge injection pathway from electrode is coincided by selective surface treatment in the contact region, which finally induces the decreases of the charge trap density in the polymer semiconducting film. The selective surface treatment method for the contact region between the electrode and the polymer semiconductor used in this study has the potential to maximize the electrical performances of organic electronics by being utilized with various existing processes to lower the interface resistance.

주제어

표/그림 (5)

그림 Figure 1. (a, b) Schematics of crystal orientation of organic semiconductors on substrate without UV/O3 treatment and with selective UV/O3 treatment on electrode contact region, respectively. (c) Selective pattering process of dielectric surface by using with photo mask. (d) Surface energy variations according to the UV/O3-exposed time on masked and UV/O3-exposed regions. (e) Photo image of water droplets on the SiO2/Si substrate with selectively controlled surface energy.
그림 Figure 2. (a) Output and (b) transfer characteristics of PTDPPSe-SiC5 FET devices according to the processed types of surface treatment, the no treated (Pristine), fully exposed (FR), and selective controlled (SCR) cases. The output characteristics of each FET were measured using a stepped VG of –10 V, and the transfer characteristics were measured at a fixed VD of – 40 V. (c) μFET and Vth variations of PTDPPSe-SiC5 FET for the Pristine, FR and SCR cases. (d) SS and Ntr variations of PTDPPSe-SiC5 FET for the Pristine, FR and SCR cases. These results were calculated from the transfer characteristics of the FET devices.
표 Table 1. Summaries of PTDPPSe-SiC5 FET device performances for the Pristine, FR, and SCR cases
그림 Figure 3. (a) Channel width-normalized Rtotal extracted from PTDPPSe-SiC5 FETs prepared with the Pristine, FR, SCR cases as a function of channel length at VG = -40 V. (b) Channel width-normalized RC extracted from PTDPPSe-SiC5 FETs prepared with the Pristine, FR, SCR cases. (c) Ntr variations for the Pristine, FR, SCR cases as a function of channel length.
그림 Figure 4. AFM morphologies of PTDPPSe-SiC5 polymer semiconducting film formed on the substrates (a) without and (b) with UV/O3 treatment.

AI 본문요약
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문제 정의

UV/O₃처리를 하면 유기물질의 제거와 함께 표면의 하이드록시기(hydroxy group)가 활성화되어 표면에너지가 증가한다. 본 연구에서는 소스/드레인 전극이 위치하는 지역의 기판 표면만 선택적으로 표면에너지를 증가시키기 위해 패턴된 마스크를 이용하여 UV/O₃처리를 실시하였다. Fig.
본 연구에서는 전극과 접촉하는 절연체 표면구간을 선택적으로 UV/O₃로 표면처리하여 PTDPPSe-SiC5 반도체 분자의 face-on 배향성을 접촉영역에서 선택적으로 유도하고, PTDPPSe-SiC5 트랜지스터의 전하주입 경로에서 N_tr과 R_C를 감소시키는데 성공했다. 채널 길이에 따른 트랜지스터의 다양한 성능(μ_FET, V_th, N_tr)과 R_C를 분석했을 때, 소스/드레인 전극의 접촉영역에서 N_tr가 감소됨으로써 R_C이 크게 개선되었음을 알 수 있었다.

가설 설정

Fig. 1(a)는 고분자 반도체의 분자가 모두 face-on구조로 배열한 경우를 표현한 것이며, 채널영역에서 전하의 이동에는 적합한 분자배열이지만 전극과 접촉하는 영역에서는 전하의 주입에 대한 접촉저항이 높을 것이다. 반면에 Fig.
반면에 Fig. 1(b)와 같이 전극과 접촉하는 부분에서 선택적으로 edge-on구조로 분자배향이 이루어진다면 채널에서 전하의 이동과 함께 전극에서 고분자반도체로 전하가 주입되는 특성이 향상될 것이다. 우리의 실험 가설을 시스템 상에서 구현하기 위해 전극이 형성되는 절연체 표면을 선택적으로 높은 표면에너지 상태로 처리하였으며, 이는 자외선/오존(UV/O₃) 처리를 통해 확보하였다.

제안 방법

접촉각 측정은 Phoenix150 접촉각 분석기를 이용하여 이루어졌으며 각 기판의 표면에너지는 상온에서 증류수와 Diiodomethane의 접촉각을 측정하여 계산되었다. PTDPPSe-SiC5 박막의 표면구조는 SiN_x 캔틸레버(42 Nㆍm^-1 및 320 kHz) 및 Si 팁(팁 반경 : 10 nm)을 사용하여 태핑모드(tapping mode)에서 작동되는 원자력 현미경(AFM, Digital Instruments Multimode)을 사용하여 분석되었다. AFM 데이터 및 제곱평균제곱근(rms) 거칠기는 NanoScope Analysis 1.
PTDPPSe-SiC5 유기 트랜지스터의 전류-전압 특성은 HP4156A 반도체 파라미터 분석기를 사용하여 실온 및 암실 조건 하에서 측정되었다. 유기 트랜지스터의 μ_FET는 전달특성 그래프(transfer graph)의 포화 영역에서 얻어졌다.
처리과정이 PTDPPSe-SiC5 박막의 모폴로지를 변화시켜서 소스/드레인 전극과의 접촉에 변화를 주었을 가능성도 있다. 따라서 Fig. 4에서 원자력 현미경(Atomic Force Micro scopy, AFM)을 통해 UV/O₃ 처리의 유무에 따른 PTDPPSe-SiC5 박막의 표면구조를 비교하였다. 그러나 기판의 γ_S에 따른 두 박막의 표면구조 차이는 두드러지게 나타나지 않았으며, 단지 UV/O₃ 처리를 실시함에 따라 필름의 표면거칠기가 5.
본 실험에서는 프로브 용매로써 증류수와 Diiodomethane를 사용했으며, 용매와 기판사이의 접촉각을 각각 측정하여 γS를 계산하였다.
2(a), 2(b)는 기판의 표면처리 형태에 따른 PTDPPSe-SiC5 유기박막트랜지스터의 출력특성(output) 그래프와 전달특성(transfer) 그래프를 각각 보여주고 있다. 선택적 표면처리에 따른 고분자반도체 분자의 배향성 제어와 소자성능에 미치는 영향을 체계적으로 비교하기 위해 세 가지 형태의 샘플을 제작 비교하였다. 표면처리가 이루어지지 않은 절연체를 이용한 Pristine, 절연체의 전체 표면에 UV/O₃ 처리를 실시한 FR (full region), 그리고 전극영역에 선택적 표면처리를 통해 분자 배향을 제어한 SCR (selectively controlled region)이다.
기판은 톨루엔에서 10분간 초음파 세척 후 및 톨루엔, 아세톤, 에탄올에 순차적으로 세척하였다. 세척된 기판은 질소가스 (99.9%)로 건조되었으며, UV/O₃처리는 기판의 전면적 또는 포토마스크를 이용한 일부 영역에 대해 3분간 진행되었다. PTDPPSe- SiC5용액은 chlorobenzene을 용매로 하여 3 mg/mL의 농도로 80℃, 1시간 동안 대기환경에서 교반하여 제작되었다.
1(b)와 같이 전극과 접촉하는 부분에서 선택적으로 edge-on구조로 분자배향이 이루어진다면 채널에서 전하의 이동과 함께 전극에서 고분자반도체로 전하가 주입되는 특성이 향상될 것이다. 우리의 실험 가설을 시스템 상에서 구현하기 위해 전극이 형성되는 절연체 표면을 선택적으로 높은 표면에너지 상태로 처리하였으며, 이는 자외선/오존(UV/O₃) 처리를 통해 확보하였다.
이 현상은 당초 기대하지 않은 결과로써, 선택적 표면처리 효과를 최대화하기 위해 두 영역의 γS 차이가 가장 크게 나타나는 3분의 UV/O3 처리시간을 실험에 적용하였다.
용액은 가열된 온도를 유지하며 기판에 3000 rpm으로 60 초간 스핀 코팅(spin-coating)된 다음, 잔류 유기용매의 제거를 위해 60℃의 진공오븐에서 12시간동안 보관되었다. 이후 유기반도체 박막의 결정구조 향상을 위해 200℃에서 30분간 열처리(thermal annealing)를 진행되었다. 소스/드레인 전극은 Au를 약 10^-7 Torr 압력에서 7 Å/s의 속도로 열 증착하여 70 nm 두께의 전극이 제작되었다.
유기 트랜지스터의 μ_FET는 전달특성 그래프(transfer graph)의 포화 영역에서 얻어졌다. 접촉각 측정은 Phoenix150 접촉각 분석기를 이용하여 이루어졌으며 각 기판의 표면에너지는 상온에서 증류수와 Diiodomethane의 접촉각을 측정하여 계산되었다. PTDPPSe-SiC5 박막의 표면구조는 SiN_x 캔틸레버(42 Nㆍm^-1 및 320 kHz) 및 Si 팁(팁 반경 : 10 nm)을 사용하여 태핑모드(tapping mode)에서 작동되는 원자력 현미경(AFM, Digital Instruments Multimode)을 사용하여 분석되었다.

대상 데이터

소스/드레인 전극은 Au를 약 10-7 Torr 압력에서 7 Å/s의 속도로 열 증착하여 70 nm 두께의 전극이 제작되었다.
53을 얻었다. 유기 반도체층을 제작하기 위해 사용된 Chlorobenzene은 Sigma Aldrich에서 구입하였으며, 순도를 높이기 위한 추가적인 공정은 사용하지 않았다.
유기 전계효과 트랜지스터의 제작에 앞서 기판, 게이트 절연체로 사용하기 위해 300 nm 두께의 산화물 (SiO₂) 층을 갖는 고농도 도핑된 n형 실리콘 웨이퍼를 준비했다. 기판은 톨루엔에서 10분간 초음파 세척 후 및 톨루엔, 아세톤, 에탄올에 순차적으로 세척하였다.
또한 전하가 주입되는 벌크 영역에서의 트랩 감소는 R_C의 감소로 나타났다. 이 연구를 위해 새롭게 합성된 diketopyrrolopyrrole (DPP)-selenophene copolymer with siloxane-terminated pentyl chains (PTDPPSe-SiC5)을 유기반도체의 모델 물질로써 사용하였으며, 소자는 상부접촉/하부게이트 구조를 채택하였다. 실험 결과, R_C은 327.

데이터처리

PTDPPSe-SiC5 박막의 표면구조는 SiN_x 캔틸레버(42 Nㆍm^-1 및 320 kHz) 및 Si 팁(팁 반경 : 10 nm)을 사용하여 태핑모드(tapping mode)에서 작동되는 원자력 현미경(AFM, Digital Instruments Multimode)을 사용하여 분석되었다. AFM 데이터 및 제곱평균제곱근(rms) 거칠기는 NanoScope Analysis 1.40 소프트웨어를 사용하여 분석되었다.
전체적으로 UV/O₃처리를 거친 FR경우의 소자의 경우 Pristine 경우와 μ_FET가 큰 차이를 보이지 않았는데, 이는 채널 영역의 γ_S 상승이 전하의 이동성능에 부정적인 영향을 끼칠 수 있다는 점과 Pristine 경우의 소자가 이중 기울기를 갖기 때문에 상대적으로 과장된 전하이동도가 측정되었기 때문으로 생각된다[23]. 기판의 표면처리 방법에 따른 트랜지스터의 성능 그래프와 식 (3)을 이용해서 전하트랩밀도(interfacial charge trap density, N_tr)를 계산하고 비교하였다[24].

이론/모형

또한 γS를 계산하기 위해 Fowkes의 표면에너지 식 (1)과 Owen과 Wendt의 이론으로부터 유도된 아래의 식 (2)을 적용하였다[20, 21].

성능/효과

3) onset 전압 (onset voltage, V_on)과 문턱전압 (threshold voltage, V_th) 간의 큰 차이가 나타나는 것을 들 수 있다.
Pristine 소자의 경우 Ntr이 9.02×1011 cm-2, FR는 2.81×1011 cm-2, 그리고 SCR는 1.01×1011 cm-2로 감소되는 경향을 보여주고 있으며, SCR가 Pristine과 FR에 비해 각각 9배와 2.8배 감소된 결과를 보여주었다.
SCR경우의 트랜지스터 소자가 Pristine와 FR 경우에 비해 2배 이상의 높은 μFET증가를 보여주며, Vth가 약 0.6 V로 0에 가장 수렴하는 것을 확인하였다.
TLM을 통해 RtotalㆍW에서 RCㆍW를 계산했을 때, Pristine 경우의 소자는327.8 kΩㆍcm (VG = -40 V)의 값이 측정되는데 비해, FR와 SCR에서는 각각 133.8 kΩㆍcm (VG = -40 V)와 132.2 kΩㆍcm (VG = -40 V)로약 두 배 이상 감소하였다.
결과적으로 Pristine 소자는 절연체 표면의 다수 트랩 발생 요인으로 인해 높은 트랩밀도와 함께 낮은 전하 주입 특성으로 인해 채널형성이 늦어지고, 소스/드레인 전류의 제곱근 그래프에서 비이상적인 이중 기울기 (double-slope)를 보이는 것이다. 반면 전체영역 UV/O₃처리과정을 거친 FR 경우의 PTDPPSe-SiC5 트랜지스터에서는 히스테리시스가 무시할 수 있을 정도로 감소하였고, V_th와 V_on 차이가 줄어들며 이중 기울기 현상이 개선되었다.
결과적으로 접촉영역을 선택적으로 처리하여 face-on 분자배열을, 그리고 계면영역에서 edge-on 분자배열을 유도한 트랜지스터 소자가 그렇지 않은 소자에 비해 μFET 는 2배 이상 상승하였고 Vth가 0에 수렴하는 모습을 보였다.
그러나 기판의 γS에 따른 두 박막의 표면구조 차이는 두드러지게 나타나지 않았으며, 단지 UV/O3 처리를 실시함에 따라 필름의 표면거칠기가 5.03 nm에서 4.94 nm로 감소하는 것을 확인하였다.
본 연구에서 적용된 실험 방법은 전극과 유기반도체의 에너지 레벨에 영향을 미치지 않았으며, PTDPPSe-SiC5 유기반도체 박막의 표면구조 변화가 야기되지 않은 것을 미루어 R_C 중 R_C,int에 의한 효과라고 보기 어렵다. 따라서 본 연구에서 얻어진 결과는 R_C,acc의 변화에 의한 것이 주된 요인으로 판단된다. 또한 기존에 사용되던 금속산화물 기반 전하주입층 형성, 도핑(doping), 자기조립박막(self-assembled monolayer, SAM) 등과 같은 방법과 중첩해서 사용할 수 있는 가능성을 갖고 있으며, R_C,acc이 소자 성능에 주는 영향을 명확히 확인했다는 점에서 의의가 있다.
또한 UV/O₃ 처리에 따른 PTDPPSe-SiC5 필름의 표면구조는 큰 차이를 보이지 않았는데, 이는 접촉영역의 선택적 UV/O₃ 처리가 R_C,acc에만 영향을 끼치고 있음을 의미한다. 따라서 우리가 제시한 방법은 기존의 R_C,int을 줄이기 위해 사용되던 금속산화물 기반 전하주입층 형성, 도핑 (doping), 자기조립박막 (self-assembled monolayer, SAM) 등의 방법과 중첩해서 사용할 수 있다는 장점을 갖고 있으며, 특히 R_C,acc이 트랜지스터 성능에 주는 영향을 확인했다는 점에서 의의가 있다.
8배 감소된 결과를 보여주었다. 또한 18.3 V/dec의 SS를 갖는 pristine 소자에 비해 SCR의 경우에서는 0.6 V/dec로 약 30배 이상 향상된 결과를 보였다. 즉, 기판의 전하주입영역에 대한 표면처리를 실시함으로써 계면에서의 트랩밀도 개선 효과가 발생하여 트랜지스터 구동속도의 향상이 나타난 것으로 해석된다.
결과적으로 Pristine 소자는 절연체 표면의 다수 트랩 발생 요인으로 인해 높은 트랩밀도와 함께 낮은 전하 주입 특성으로 인해 채널형성이 늦어지고, 소스/드레인 전류의 제곱근 그래프에서 비이상적인 이중 기울기 (double-slope)를 보이는 것이다. 반면 전체영역 UV/O₃처리과정을 거친 FR 경우의 PTDPPSe-SiC5 트랜지스터에서는 히스테리시스가 무시할 수 있을 정도로 감소하였고, V_th와 V_on 차이가 줄어들며 이중 기울기 현상이 개선되었다. 하지만 채널영역도 동일하게 높은 표면에너지를 가지고 있기 때문에 여전히 문턱전압 이하 영역에서 불안정한 모습을 보이며 μ_FET의 상승은 Pristine경우와 비교하여 큰 증가를 나타나지 않았다.
073 cm²/Vㆍs로 약 3배 이상의 성능개선 효과가 발생하였다. 본 연구에서 적용된 실험 방법은 전극과 유기반도체의 에너지 레벨에 영향을 미치지 않았으며, PTDPPSe-SiC5 유기반도체 박막의 표면구조 변화가 야기되지 않은 것을 미루어 R_C 중 R_C,int에 의한 효과라고 보기 어렵다. 따라서 본 연구에서 얻어진 결과는 R_C,acc의 변화에 의한 것이 주된 요인으로 판단된다.
본 연구에서는 절연체의 표면에너지 제어를 통해 유기반도체층 내부의 분자간 공액중첩방향과 전하주입방향을 일치하게 설계함으로써 유기 트랜지스터의 전하주입 영역의 트랩을 줄이는데 성공했다. 또한 전하가 주입되는 벌크 영역에서의 트랩 감소는 R_C의 감소로 나타났다.
실험 결과, RC은 327.8 kΩㆍcm에서 132.2 kΩㆍcm으로 감소하였고, μFET는 0.026 cm2/Vㆍs에서 최대 0.073 cm2/Vㆍs로 약 3배 이상의 성능개선 효과가 발생하였다.
6 V/dec로 약 30배 이상 향상된 결과를 보였다. 즉, 기판의 전하주입영역에 대한 표면처리를 실시함으로써 계면에서의 트랩밀도 개선 효과가 발생하여 트랜지스터 구동속도의 향상이 나타난 것으로 해석된다. 또한 높은 N_tr과 SS는 Pristine 소자의 불분명한 높은 I_off 값과 비이상적인 거동의 근거가 될 수 있다.
채널 길이에 따른 트랜지스터의 다양한 성능(μFET, Vth, Ntr)과 RC를 분석했을 때, 소스/드레인 전극의 접촉영역에서 Ntr가 감소됨으로써 RC이 크게 개선되었음을 알 수 있었다.

후속연구

트랜지스터 소자가 작동함에 따라 나타나는 전하트랩은 전극과 반도체 층과의 접촉영역에서만 발생하는 것이 아니며 채널영역에서 주도적으로 발생하는 경우가 많다. 본 실험에서는 접촉영역만을 선택적으로 UV/O₃ 처리하여 전하주입 특성과 접촉저항 (R_C)의 개선에 관한 연구를 목표로 진행했지만, 채널영역에서 전하이동에 대한 저항에 의한 영향 역시 확인이 필요하다. 따라서 Fig.
이것은 고분자 반도체와 기판이 가지는 에너지를 최소화하려는 작용에 의한 것으로써, 본 연구에서 사용된 PTDPPSe-SiC5 반도체 분자도 동일하게 적용되는 원리이다. 이 원리를 이용하여 소스/드레인 전극에서 전하가 주입되는 방향, 그리고 절연체 표면에 형성된 채널에서 전하가 이동하는 방향과 일치하는 분자배향(공액중첩방향)을 유도한다면 유기박막트랜지스터의 성능향상 및 접촉저항의 감소효과를 얻을 수 있을 것으로 예상할 수 있다. 이에 대한 설명을 Fig.

질의응답

핵심어	질문	논문에서 추출한 답변
	유기 전계효과 트랜지스터의 장점은?	유기 전계효과 트랜지스터(organic field-effecttransistor, 이하 유기 트랜지스터)는 저비용, 대면적, 용액공정의 장점으로 인해 다양한 응용분야 활용연구가 수십년간 꾸준히 진행되어 왔다[1]. 최근 몇몇 연구에서 새로운 유기반도체 물질의 합성이나 각종 공정적 기법을 이용해 10 cm2/V⋅s 이상의 높은 전하이동도(field-effect mobility, μFET)를 가지는 유기 트랜지스터의 제작이 보고되면서 유기 트랜지스터 활용의 잠재적 가능성이 현실화되고 있는 상황이다[2].
	유기 트랜지스터의 대표적인 해결과제 중 하나는 무엇인가?	이는 μFET의 과대평가(overestimation) 또는 과소평가(underestimation)를 야기할 수 있으며, 소자의 신뢰성을 저하시키는 요인으로 작용하기 때문에 유기 트랜지스터의 상용화를 지연시키는 문제점으로 인식되고 있다[3, 4]. 특히 유기반도체와 금속전극의 이종계면에서 발생하는 높은 접촉저항(contact resistance, RC)은 유기 트랜지스터의 대표적인 해결과제 중 하나이다. 유기 트랜지스터의 주된 역할 중 하나인 빠른 스위칭 기능을 수행하는데 있어서, 높은 수준의 RC은 전하의 주입과 추출을 방해하여 소자의 성능과 내구성 저하에 영향을 끼친다.
	종종 높은 성능의 유기 트랜지스터는 전류-전압 성능곡선에서 비선형 그래프와 같은 비이상적인 특성이 함께 발견되는데 이는 무엇을 의미하는가?	그러나 종종 높은 성능의 유기 트랜지스터는 전류-전압 성능곡선에서 비선형 그래프와 같은 비이상적인 특성이 함께 발견되기도 한다. 이는 μFET의 과대평가(overestimation) 또는 과소평가(underestimation)를 야기할 수 있으며, 소자의 신뢰성을 저하시키는 요인으로 작용하기 때문에 유기 트랜지스터의 상용화를 지연시키는 문제점으로 인식되고 있다[3, 4]. 특히 유기반도체와 금속전극의 이종계면에서 발생하는 높은 접촉저항(contact resistance, RC)은 유기 트랜지스터의 대표적인 해결과제 중 하나이다.

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K. Pei, A. H. Y. Lau, P. K. L. Chan, Phys. Chem. Chem. Phys., 22, 7100 (2020).

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표제어: PCR

동의어: Packet Collision Rate

용어 설명 출처 목록 (6)

용어 설명: PCR은 세균 특이성이 있는 primer를 이용하여 적은 수의 세균이 있을지라도 쉽게 검출할 수 있는 유용한 방법이며, 이를 이용하여 구강 내 치면세균막이나 타액에서 직접 세균을 검출할 수 있게 되었다[8].

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