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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.33 no.6, 2020년, pp.483 - 489
김용진 (고려대학교 전기전자공학과) , 최문희 (한국세라믹기술원 나노소재공정센터) , 신효순 (한국세라믹기술원 나노소재공정센터) , 주병권 (고려대학교 전기전자공학과) , 전명표 (한국세라믹기술원 나노소재공정센터)
BaTiO3 powder was synthesized by a solid-state reaction using BaCO3 and TiO2. Different calcination temperatures (800℃, 850℃, 900℃, and 950℃) were set to investigate their effects on the properties of BaTiO3 powder. The synthesized BaTiO3 phase was confirmed to be a singl...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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커패시터가 특정 주파수 성분만을 추출 또는 제거하는 필터의 역할을 가능하게 하는 성질은 무엇인가? | 커패시터는 전기를 저장하거나 방출하는 축전지의 기능을 가지며 평활회로, 백업회로 및 타이머 회로 등에 활용된다. 또한, 커패시터는 직류를 잘 통과시키지 않는 성질을 이용하여 특정 주파수 성분만을 추출 또는 제거하는 필터의 역할도 할 수 있다. 특히 적층세라믹커패시터(MLCC)는 스마폰에는 1,000개, 전기자동차에는 10,000개 이상이 사용되는 것으로 알려져 있으며, 점점 더 사용 원수는 증가되고 있다. | |
BaTiO3의 유전율이 크게 의존하는 것은 무엇인가? | BaTiO3 (BT)의 유전율은 입자의 크기와 결정성에 크게 의존하므로 BT의 입자크기 및 유전율 특성에 대한 많은 연구가 진행되어 왔다. R. | |
결정립 크기에 따른 유전율의 변화를 domain wall 거동으로 설명하시오. | 결정립 크기에 따른 유전율의 변화는 domain wall 거동으로 설명된다. 매우 작은 결정립을 갖는 다결정체는 결정입계의 응력에 의한 탄성에너지를 줄이기 위해 90° domain이 생성된다. 1 um보다 큰 결정립을 갖는 다결정체에서 결정립의 크기가 작아질수록 탄성에너지는 증가하게 되어 이를 감소시키기 위하여 domain wall width는 점점 줄어들게 되고, 따라서 domain wall 진동에 기인한 유전율의 증가가 가능하게 되며, 따라서 결정립 크기가 작아질수록 유전율은 증가하게 된다. 한편, 1 um보다 작은 결정립은 tetragonality의 감소로 자발분극의 크기가 감소되며, 결정립의 크기가 감소할수록 자발분극의 크기는 더욱 감소되어 유전율은 감소하게 된다. |
R. Ashiri, RSC Adv., 6, 17138 (2016). [DOI: https://doi.org/10.1039/c5ra22942a]
J. L. Clabel H, I. T. Awan, A. H. Pinto, I. C. Nogueira, V.D.N. Bezzon, E. R. Leite, D. T. Balogh, V. R. Mastelaro, S. O. Ferreira, and E. Marega Jr, Ceram. Int., 46, 2987 (2020). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2019.09.296]
T. Hoshina, J. Ceram. Soc. Jpn., 121, 156 (2013). [DOI: https://doi.org/10.2109/jcersj2.121.156]
H. P. Klug and L. E. Alexander, X-ray Diffraction Procedure For Polycrystalline and Amorphous Materials (Wiley, New York, 1974) p. 687.
W. Maison, R. Kleeberg, R. B. Heimann, and S. Phanichphant, J. Eur. Ceram. Soc., 23, 127 (2003). [DOI: https://doi.org/10.1016/S0955-2219(02)00071-7]
N. M. Zali, C. S. Mahmood, S. M. Mohamad, C. T. Foo, and J. A. Murshidi, AIP Conf. Proc., 1584, 160 (2014). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.4866124]
K. Uchino, E. Sadanaga, and T. Hirose, J. Am. Ceram. Soc., 72, 1555 (1989). [DOI: https://doi.org/10.1111/j.1151-2916.1989.tb07706.x]
M. Yashima, T. Hoshina, D. Ishimura, S. Kobayashi, W. Nakamura, T. Tsurumi, and S. Wada, J. Appl. Phys., 98 014313 (2005). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.1935132]
M. B. Smith, K. Page, T. Siegrist, P. L. Redmond, E. C. Walter, R. S eshadri, L . E. B rus, and M. L. Steigerw ald, J. Am. Chem. Soc., 130, 6955 (2008). [DOI: https://doi.org/10.1021/ja0758436]
C. Fang, L. Y. Chen, and D. X. Zhou, Phys. B, 409, 83 (2013). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.physb.2012.10.016]
Y. Shi, Y. Pu, Y. Cui, and Y. Luo, J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 28, 13229 (2017). [DOI: https://doi.org/10.1007/s10854-017-7158-1]
J. F. Ihlefeld, D. T. Harris, R. Keech, J. L. Jones, J. P. Maria, and S. Trolier-McKinstry, J. Am. Ceram. Soc., 99, 2537 (2016). [DOI: https://doi.org/10.1111/jace.14387]
Z. Zhao, V. Buscaglia, M. Viviani, M. T. Buscaglia, L. Mitoseriu, A. Testino, M. Nygren, M. Johnsson, and P. Nanni, Phys. Rev. B, 70, 024107 (2004). [DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.70.024107]
A. A. Kholodkova, M. N. Danchevskaya, Y. D. Ivakin, A. D. Smirnov, S. G. Ponomarev, A. S. Fionov, and V. V. Kolesov, Ceram. Int., 45, 23050 (2019). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2019.07.353]
G. Picht, H. Kungl, M. Baurer, and M. J. Hoffmann, Funct. Mater. Lett., 3, 59 (2010). [DOI: https://doi.org/10.1142/S1793604710000889]
K. R. Kambale, A. R. Kulkarni, and N. Venkataramani, Ceram. Int., 40, 667 (2014). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2013.06.053]
W. Luan, L. Gao, and J. Guo, Ceram. Int., 25, 727 (1999). [DOI: https://doi.org/10.1016/S0272-8842(99)00009-7]
Y. Tan, J. Zhang, Y. Wu, C. Wang, V. Koval, B. Shi, H. Ye, R. McKinnon, G. Viola, and H. Yan, Sci. Rep., 5, 9953 (2015). [DOI: https://doi.org/10.1038/srep09953]
K. Kinoshita and A. Yamaji, J. Appl. Phys., 47, 371 (1976). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.322330]
T. Tsurumi, T. Hoshina, K. Takizawa, and H. Kakemoto, Proc. 2008 17th IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics (Santa Fe, New Mexico, USA, 2008) p. 1. [DOI: https://doi.org/10.1109/ISAF.2008.4693883]
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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