[논문]포토 리소그래피 공정을 위한 Ti(10 nm)-Buffered층 위에 직접 성장된 고품질 무전사 단층 그래핀 공정

오거룡; 한이레; 엄지호; 윤순길

doi:10.4313/jkem.2021.34.1.21

[국내논문] 포토 리소그래피 공정을 위한 Ti(10 nm)-Buffered층 위에 직접 성장된 고품질 무전사 단층 그래핀 공정
High Quality Non-Transfer Single-Layer Graphene Process Grown Directly on Ti(10 nm)-Buffered Layer for Photo Lithography Process 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.34 no.1, 2021년, pp.21 - 26

오거룡 (충남대학교 신소재공학과) , 한이레 (충남대학교 신소재공학과) , 엄지호 (충남대학교 신소재공학과) , 윤순길 (충남대학교 신소재공학과)

Abstract ▼ AI-Helper

Single-layer graphene is grown directly on Ti-buffered SiO2 at 100℃. As a result of the AFM measurement of the Ti buffer layer, the roughness of approximately 0.2 nm has been improved. Moreover, the Raman measurement of graphene grown on it shows that the D/G intensity ratio is extremely small, approximately 0.01, and there are no defects. In addition, the 2D/G intensity ratio had a value of approximately 2.1 for single-layer graphene. The sheet resistance is also 89 Ω/□, demonstrating excellent characteristics. The problem was solved by using graphene and a lift-off patterning method. Low-temperature direct-grown graphene does not deteriorate after the patterning process and can be used for device and micro-patterning research.

Keyword

표/그림 (5)

그림 Fig. 1. (a) Schematic diagram of PAT-CVD system for graphene and (b) process of photo lithography.
그림 Fig. 2. (a) After chemical solution cleaning, (b) Ti deposition after chemical solution cleaning, (c) after Ar plasma treatment, and (d) Ti deposition after Ar plasma treatment.
그림 Fig. 3. (a) AFM image of Ti, (b) surface morphology of Ti, (c) step difference at two points in Ti, and (d) graph step difference at two points in Ti.
그림 Fig. 4. (a) Roughness of SiO₂, Ti/SiO₂, Gr/Ti/SiO₂, (b) raman data of graphene, and (c) sheet resistance of graphene.
그림 Fig. 5. (a) Optical images of width 20 μm patterned graphene, (b) 50 μm, (c) 70 μm, and (d) raman of each patterned graphene.

참고문헌 (12)

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