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A Multi-Level Flash Translation Layer for Large Capacity Solid State Drives 원문보기

韓國컴퓨터情報學會論文誌 = Journal of the Korea Society of Computer and Information, v.26 no.2, 2021년, pp.11 - 18  

Kim, Yong-Seok (Dept. of Computer Engineering, Kangwon National University)

초록
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SSD의 FTL에서는 호스트로부터 요청된 논리적 페이지 번호를 실제 기록된 플래시 메모리 페이지 번호로 매핑하는 작업을 한다. 매핑 정보를 관리하기 위해서 사용되는 RAM의 용량을 줄이는 것은 매우 중요하다. 기존의 요구기반 FTL에서는 매핑 정보도 플래시 메모리 페이지에 기록하고 그들의 주소만 RAM에 테이블로 관리하는 2단계 방법을 적용하였다. 그러나 SSD의 용량이 수십 테라바이트 수준으로 늘어나고 있으므로 이 방법만으로는 충분하지 않다. 본 논문에서는 소요되는 RAM의 용량을 획기적으로 줄이기 위해서 매핑 정보를 3단계로 관리하는 방법인 ML-FTL을 제안하고 그 성능을 평가하였다. 캐시를 적절히 활용함으로써 기존의 2단계 방법에 비해서 오버헤드가 늘어나는 정도가 미미하다는 것을 확인하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The flash translation layer(FTL) of SSD maps the logical page number requested from the host to the actual recorded flash memory page number. It is very important to reduce the amount of RAM used to manage the mapping information. In the existing demand-based FTLs, two-level method is applied in whi...

주제어

표/그림 (11)

AI 본문요약
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문제 정의

  • TP 캐시는 8개를 적용하였다. ML-FTLe DP 캐시를 8개추가하고 TPN 캐시를 위해서 1KB의 RAM을 추가한 경우에대한 평가 결과이다. 표 2와같이 ML-FTL의 오버헤드는 TPC-FTL에 비해서 늘어나기는 하지만 읽기/쓰기를 처리하는 전체 소요 시간에 비하면 아주 미미하다.
  • 본 논문에서는 대용량 SSD를 위한 FTL에 대한 것으로서 LPN을 PPN으로 매핑하는 방법에 대한 문제를 다룬다. 모든 LPN들에 대하여 매핑 정보를 SSD 내부의 RAM에기록해 둘수 있다면 문제는 간단하지만, 비현실적으로 큰용량의 RAM을 필요로 한다.
  • 따라서 GDT를 저장하기 위해서 32M x 4B = 128MB의 RAM이 필요하다. 논문에서는 대용량 SSD에서 GDT를 위한 RAM 용량을획기적으로 줄이는 방법으로서 DFTL의 2단계를 확장한 3 단계 매핑 테이블을 제안하고 그 유용성을 검증한다. 3단계로 확장하면 GDT를 위한 RAM의 용량을 1/512로 대폭줄일 수 있고, 단계가 늘어남으로 인한 추가 오버헤드는캐시를 적절히 활용함으로써 매우 작은 수준으로 제한할수 있음을 확인하였다.
  • 본 논문에서는 소요되는 RAM의 용량을 획기적으로 줄이기 위해서 매핑 정보를 3단계로 관리하는 방법인 ML-FTL을 제안하고 그 성능을 평가하였다. 또한 3단계로 확장하는데 따른 오버헤드를 줄이기 위해서 캐시를 관리하는 방법도 제안하였다.
  • RAM에는 캐시뿐만 아니라 매핑 체계의 최상단 정보도 기록하여야 한다. 본 논문에서는 캐시 용량을 줄이는 것과는 별개로 RAM에 기록할 최상단 매핑 정보를 획기적으로 줄임으로써 RAM의 용량을 줄이는 방법을 다룬다. 특히 수십 테라바이트 이상의 대용량 SSD가 보편화되고 있는 상황에서 RAM의 용량을 현실적으로 적용이 가능한 수준으로 대폭줄일 수 있게 한다.
  • AALRU는 호스트의 워크로드가 변함에 따라 캐시를 관리하는 방법도 적응적으로 변화시키는 방법을 제안하였다 [8]. 이러한 방안들의 목표는 가능한한 RAM의 소요량을줄이면서도 매핑 과정의 오버헤드를 줄이는 것이다. 호스트에서 요청한 데이터 페이지의 읽기/쓰기 작업에 소요되는 시간 이외에 매핑 정보를 플래시 메모리 페이지에 기록하거나 읽어오는 추가적인 작업에 소요되는 시간은 모두오버헤드에 해당한다.

가설 설정

  • LPN 과 PPNe 32비트(4바이트)라고 가정한다. 3단계로 구성되므로 LPNe GDT 인덱스, DP 인덱스, 그리고 TP 인덱스의 3부분으로 구분한다.
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참고문헌 (10)

  1. A. Gupta, Y. Kim, and B. Urgaonkar, "DFTL: A flash translation layer employing demand-based selective caching of page-level address mappings," in Proc. 14th Int. Conf. Archit. Support Program. Languages Operating Syst., pp. 229-240, 2009. 

  2. S. Lee, et. al., "A log buffer based flash translation layer using fully associative sector translation," ACM Trans. Embedded Computing Sys. Vol. 6, No. 3, pp.1-27, 2007. 

  3. Y. Guan, et. al., "A Block-Level Log-Block Management Scheme for MLC NAND Flash Memory Storage Systems," IEEE Trans. on Computers, vol. 66, no. 9, pp. 1464-1477, Sep. 2017. 

  4. F. Ni, et. al., "A Hash-Based Space-Efficient Page-Level FTL for Large-Capacity SSDs," 2017 International Conference on Networking, Architecture, and Storage (NAS), Shenzhen, 2017, pp. 1-6 

  5. S. Jiang, et. al., "S-ftl: An efficient address translation for flash memory by exploiting spatial locality," in Mass Storage Systems and Technologies (MSST), IEEE, 2011, pp. 1-12. 

  6. H.-P. Choi, Y.-S. Kim, "An Efficient Cache Management Scheme of Flash Translation Layer for Large Size Flash Memory Drives," Journal of The Korea Society of Computer and Information Vol. 20 No. 11, pp. 31-38, November 2015 

  7. H. Kim, D. Shin, Y. Jeong, and K. Kim, "Shrd: Improving spatial locality in flash storage accesses by sequentializing in host and randomizing in device," in Proceedings of the 15th USENIX Conference on File and Storage Technologies, Berkeley, USENIX Association, 2017. 

  8. Y. Yao, et. al., "An Advanced Adaptive Least Recently Used Buffer Management Algorithm for SSD," in IEEE Access, vol. 7, pp. 33494-33505, 2019, 

  9. Storage Traces of UMass Trace Repository, http://traces.cs.umass.edu/index.php/Storage/Storage 

  10. Samsung, 1G x 8 bit - 2G x 8 bit- 4G x 8 bit NAND flash memory datasheet (K9XXG08UXA), https://www.scribd.com/document/ 7010323/Samsung-1G-x-8-Bit-2G-x-8-Bit-4G-x-8-Bit-NAND-Flash-Memory-Datasheet 

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