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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.34 no.3, 2021년, pp.214 - 219
변동욱 (광운대학교 전자재료공학과) , 신명철 (광운대학교 전자재료공학과) , 문정현 (한국전기연구원 전력반도체연구센터) , 방욱 (한국전기연구원 전력반도체연구센터) , 신원호 (광운대학교 전자재료공학과) , 오종민 (광운대학교 전자재료공학과) , 박철환 (광운대학교 화학공학과) , 구상모 (광운대학교 전자재료공학과)
We investigated deep levels in n-type 4H-SiC epitaxy layer of the Schottky barrier diodes (SBD) and Junction Barrier Schottky (JBS) diodes by using deep level transient spectroscopy (DLTS). The I-V characteristics of the JBS devices show ~100 times lower leakage current level than SBDs owing to the ...
B. J. Baliga, J. Appl. Phys., 53, 1759 (1982). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.331646]
J. Yang, S. Ahn, F. Ren, S. J. Pearton, S. Jang, and A. Kuramata, IEEE Electron Device Lett., 38, 906 (2017). [DOI: https://doi.org/10.1109/LED.2017.2703609]
K. M. Geib, C. Wilson, R. G. Long, and C. W. Wilmsen, J. Appl. Phys., 68, 2796 (1990). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.346457]
C. Zhang, S. Srdic, S. Lukic, Y. Kang, E. Choi, and E. Tafti, Proc. 2018 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE) (IEEE, Portland, USA, 2018) p. 3880. [DOI: https://doi.org/10.1109/ECCE.2018.8558373]
Y. Pan, L. Tian, H. Wu, Y. Li, and F. Yang, Microelectron. Eng., 181, 10 (2017). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.mee.2017.05.054]
W. Y. Son, M. C. Shin, M. Schweitz, S. K. Lee, and S. M. Koo, J. Nanoelectron. Optoelectron., 15, 777 (2020). [DOI: https://doi.org/10.1166/jno.2020.2818]
S. Sasaki, K. Kawahara, G. Feng, G. Alfieri, and T. Kimoto, J. Appl. Phys., 109, 013705 (2011). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.3528124]
K. Kawahara, G. Alfieri, and T. Kimoto, J. Appl. Phys., 106, 013719 (2009). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.3159901]
S. J. Min, M. C. Shin, N. T. Nguyen, J. M. Oh, and S. M. Koo, Materials, 13, 445 (2020). [DOI: https://doi.org/10.3390/ma13020445]
Y. D. Tang, X. Y. Liu, Z. D. Zhou, Y. Bai, and C. Z. Li, Chinese Phys. B, 28, 106101 (2019). [DOI: https://doi.org/10.1088/1674-1056/ab3cc2]
T. Dalibor, G. Pensl, N. Nordell, and A. Schoner, Phys. Rev. B, 55, 13618 (1997). [DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.55.13618]
L. Gelczuk, M. Dabrowska-Szata, M. Sochacki, and J. Szmidt, Solid-State Electron., 94, 56 (2014). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.02.008]
F. Fabbri, D. Natalini, A. Cavallini, T. Sekiguchi, R. Nipoti, and F. Moscatelli, Superlattices Microstruct., 45, 383 (2009). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2008.10.024]
B. Zippelius, J. Suda, and T. Kimoto, J. Appl. Phys., 111, 033515 (2012). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.3681806]
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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