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4H-SiC PiN과 SBD 다이오드 Deep Level Trap 비교 분석
Deep Level Trap Analysis of 4H-SiC PiN and SBD Diode 원문보기

반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.21 no.2, 2022년, pp.123 - 126  

신명철 (광운대학교 전자재료공학과) ,  변동욱 (광운대학교 전자재료공학과) ,  이건희 (광운대학교 전자재료공학과) ,  신훈규 (포항공과대학교 나노융합기술원) ,  이남석 (포항공과대학교 나노융합기술원) ,  김성준 (포항공과대학교 나노융합기술원) ,  구상모 (광운대학교 전자재료공학과)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

We investigated deep levels in n-type 4H-SiC epitaxy layer of the Positive-Intrinsic-Negative diode and Schottky barrier diodes by using deep level transient spectroscopy. Despite the excellent performance of 4H-SiC, research on various deep level defects still requires a lot of research to improve ...

주제어

#4H-SiC   #Deep level trap   #Schoottky diode   #PiN diode   #DLTS  

참고문헌 (10)

  1. Son, Woo-Young, et al. "Al Implantation and Post Annealing Effects in n-Type 4H-SiC", Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 15.7, (2020). 

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  2. J. Yang, S. Ahn, F. Ren, S. J. Pearton, S. Jang, and A. Kuramata, IEEE Electron Device Lett., 38, 906 (2017). 

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  3. Lee, Jinseon, Tai Young Kang, and Kyung Hwan Kim. "Electrical Characteristics of the SiC SBD Prepared by using the Facing Targets Sputtering Method", Journal of the Semiconductor & Display Technology 14.1 (2015). 

  4. Y. J. Lee, S. Cho, J. H. Seo, S. J. Min, J. I. An, J. M. Oh, S. M. Koo, and D. Lee, J. Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., 31, 367 (2018). 

  5. C. Zhang, S. Srdic, S. Lukic, Y. Kang, E. Choi, and E. Tafti, Proc. 2018 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE) (IEEE, Portland, USA, 2018) p. 3880. 

  6. Byun, Dong-Wook, et al. "Deep Level Defect Transient Spectroscopy Analysis of 4H-SiC SBD and JBS Diodes", Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 34.3 (2021): 214-219. 

  7. S. J. Min, M. C. Shin, N. T. Nguyen, J. M. Oh, and S. M. Koo Materials 13, 445 (2020). 

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  8. Hiyoshi, Toru, and Tsunenobu Kimoto. "Reduction of deep levels and improvement of carri-er lifetime in ntype 4H-SiC by thermal oxidation", Applied Physics Express 2.4 (2009): 041101. 

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  9. Pintilie, Ioana, et al. "Deep levels in as-grown 4H-SiC epitaxial layers and their correlation with CVD parameters", Materials Science Forum. Vol. 433. Trans Tech Publications Ltd, 2003. 

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  10. Y. D. Tang, X. Y. Liu, Z. D. Zhou, Y. Bai, and C. Z. Li, Chinese Phys. B, 28, 106101 (2019). 

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