[논문]저온 동시 소성용 후막 NTC 서미스터의 전기적 특성에 미치는 무연계 프릿트 및 RuO2의 영향

구본급

doi:10.6111/jkcgct.2021.31.5.218

저온 동시 소성용 후막 NTC 서미스터의 전기적 특성에 미치는 무연계 프릿트 및 RuO2의 영향
Effect of lead-free frit and RuO2 on the electrical properties of thick film NTC thermistors for low temperature co-firing 원문보기

한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.31 no.5, 2021년, pp.218 - 227

초록
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저온 동시 소성용 후막 NTC 서미스터를 Mn_1.5Ni_0.4Co_0.9Cu_0.4O₄ 조성의 NTC 분말과 lead free frit 및 RuO₂를 이용하여 제조한 페이스트를 96 % 알루미나 기판 위에 인쇄와 소결을 통해 제조한 후, 이 후막 NTC의 전기적 특성에 미치는 프릿트 및 RuO₂의 영향을 연구하였다. 후막 NTC 서미스터의 저항은 동일한 온도에서 소결한 벌크 상에 비해 높게 나타났으나 저항-온도 특성에서 부 저항 온도 특성은 더 명확하게 직선적으로 나타남을 알 수 있었다. 한편, 소결온도 증가에 따라 면적저항은 감소하였고 프릿트 첨가량이 많을수록 면적저항은 높게 나타났다. 후막 NTC 서미스터의 B 정수는 3000 K 이상의 값 나타냈는데 그 중 프릿트를 5 wt% 첨가한 페이스트로 만든 후막 NTC를 900℃에서 소결한 시편의 B 정수가 가장 높게 나타남을 알 수 있었다. 또한, RuO₂ 첨가에 따라 면적저항의 감소가 나타남을 알 수 있었으며 RuO₂를 5 wt% 첨가한 페이스트를 900℃에서 소결한 후막 NTC 서미스터의 면적저항 감소의 변화가 가장 뚜렷이 나타남을 알 수 있었다.

Abstract ▼ AI-Helper

A thick film NTC thermistor for low temperature co-firing was manufactured by printing and sintering a paste prepared using NTC powder of Mn1.5Ni0.4Co0.9Cu0.4O4 composition, lead free frit, and RuO2 on a 96 % alumina substrate. The effect of frit and RuO2 on the electrical properties of thick film NTC thermistor was studied. The resistance of the thick film NTC thermistor was higher than that of the bulk phase sintered at the same temperature, but it was found that the negative resistance temperature characteristic appeared more clearly and linearly in the resistance - temperature characteristic. On the other hand, the area resistance decreased as the sintering temperature increased, and the area resistance increased as the amount of frit added increased. The B constant of the thick film NTC thermistor was 3000 K or higher. Among them, it was found that the B constant of the thick film NTC thermistor made of paste with 5 wt% of frit added and sintered at 900℃ showed the highest B constant. Also, it can be seen that the area resistance decreased with the addition of RuO2, and the change in the area resistance decrease of the thick film NTC thermistor obtained by sintering the paste containing 5 wt% of RuO2 at 900℃ is the most obvious.

주제어

표/그림 (12)

그림 Fig. 1. Print mask patterns of conductor (a) and NTC thick film (b).
표 Table 1 Composition of glass frit
그림 Fig. 2. Microstructure of glass frit powder.
그림 Fig. 3. Particle size distribution of glass frit.
그림 Fig. 4. Change of frit spreading ratio of frit according to reaction temperature.
그림 Fig. 5. Surface microstructure according to the amount of frit added in the NTC thick film thermistor sintered at various temperatures.
그림 Fig. 6. The microstructure of the interface between the NTC thick film thermistor and the substrate according to the amount of frit added to the NTC thick film sintered at various temperatures.
$Fig. 7. X-ray diffraction patterns according to the amount of frit added of the NTC thick film thermistor sintered at various temperatures.$ 그림 Fig. 7. X-ray diffraction patterns according to the amount of frit added of the NTC thick film thermistor sintered at various temperatures.
그림 Fig. 8. Resistance to temperature change of thick film NTC thermistor sintered at various temperatures. (a) 800℃, (b) 850℃, (c) 900℃.
표 Table 2 B constant of thick film NTC thermistor sintered at various sintering temperatures
그림 Fig. 9. Resistance to temperature changes of thick film NTC thermistors with added RuO₂ sintered at various temperatures. (a) 800℃, (b) 850℃, (c) 900℃.
그림 Fig. 10. Change of B constant according to RuO₂ addition amount of thick film NTC thermistor sintered at various temperatures.

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저자의 다른 논문 :

표제어: PCR

동의어: Packet Collision Rate

용어 설명 출처 목록 (6)

용어 설명: PCR은 세균 특이성이 있는 primer를 이용하여 적은 수의 세균이 있을지라도 쉽게 검출할 수 있는 유용한 방법이며, 이를 이용하여 구강 내 치면세균막이나 타액에서 직접 세균을 검출할 수 있게 되었다[8].

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