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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.36 no.4, 2023년, pp.385 - 390
유지연 (극동대학교 에너지IT학과) , 김동현 (극동대학교 에너지IT학과) , 이동현 (극동대학교 에너지IT학과) , 강이구 (극동대학교 에너지IT학과)
In this paper, the 1,700 V level SiC-based power MOSFET device widely used in electric vehicles and new energy industries was designed, that is, a single trench gate power MOSFET structure and a double trench gate power MOSFET structure were proposed to analyze electrical characteristics while chang...
K. Sano and S. Kurihara, Phys. C, 352, 223 (2001). [DOI:?https://doi.org/10.1016/S0921-4534(00)01730-5]
M. C. Shin, H. S. Chung, B. S. Ahn, H. F. Cui, S. Y. Kim, and E. G.?Kang, J. Nanosci. Nanotechnol., 19, 1670, (2019). [DOI:?https://doi.org/10.1166/jnn.2019.16207]
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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