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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.36 no.4, 2023년, pp.413 - 417
이건희 (광운대학교 전자재료공학과) , 문수영 (광운대학교 전자재료공학과) , 이형진 (광운대학교 전자재료공학과) , 신명철 (광운대학교 전자재료공학과) , 김예진 (광운대학교 전자재료공학과) , 전가연 (광운대학교 전자재료공학과) , 오종민 (광운대학교 전자재료공학과) , 신원호 (광운대학교 전자재료공학과) , 김민경 (광운대학교 전자재료공학과) , 박철환 (광운대학교 화학공학과) , 구상모 (광운대학교 전자재료공학과)
Gallium Oxide (Ga2O3) is preferred as a material for next generation power semiconductors. The Ga2O3 should solve the disadvantages of low thermal resistance characteristics and difficulty in forming an inversion layer through p-type ion implantation. However, Ga2O3 is difficult to inject p-type ion...
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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