최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기Electronics letters, v.32 no.12, 1996년, pp.1106 - 1108
Sullivan, P.J. (Dept. of Electr. & Comput. Eng., California Univ., San Diego, La Jolla, CA, USA) , Xavier, B.A. , Costa, D. , Ku, W.H.
The first reported integrated silicon MOSFET distributed amplifier is presented. A three stage distributed amplifier was fabricated on a standard 0.8 μm silicon CMOS foundry process and packaged in a SSO-24 plastic surface mount package. The required inductance needed for distributed amplification is realised by the parasitic inductance of the bond wires and lead frame inductance inside the plastic surface mount package. The distributed amplifier has a unity gain cutoff frequency of 4.7 GHz, a gain of 5 dB and an input referred third order intercept point of +15 dBm.
Wong, T.T.Y.: ‘Fundamentals of distributed amplification’, (Artech House, Inc. Norwood MA 1993)
0020-7217 Schar 34 721 1973 10.1080/00207217308938490
0018-9480 Ayasli 30 976 1982 10.1109/TMTT.1982.1131186
0018-9480 Aitchison 33 460 1985 10.1109/TMTT.1985.1133100
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.