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[해외논문] A study of dislocations in InGaN/GaN multiple-quantum-well structure grown on (112̄0) sapphire substrate

Journal of crystal growth, v.223 no.1/2, 2001년, pp.61 - 68  

Bai, J. (Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Tokushima, 2-1 Minaji-josanjima, Tokushima 770-8506, Japan) ,  Wang, T. (Satellite Venture Business Laboratory, University of Tokushima, Minaji-josanjima, Tokushima 770-8506, Japan) ,  Izumi, Y. (Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Tokushima, 2-1 Minaji-josanjima, Tokushima 770-8506, Japan) ,  Sakai, S. (Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Tokushima, 2-1 Minaji-josanjima, Tokushima 770-8506, Japan)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

AbstractTransmission electron microscope (TEM) and X-ray diffraction (XRD) measurements performed on an InGaN/GaN multiple-quantum-well (MQW) structure deposited on (112̄0) and (0001) sapphire substrates have been investigated. The grown MQW deposited on (112̄0) sapphire substrate are ...

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참고문헌 (14)

  1. Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 Nakamura 36 L1568 1997 10.1143/JJAP.36.L1568 

  2. Phys. Rev. B Narukawa 55 R1938 1997 10.1103/PhysRevB.55.R1938 

  3. Phys. Rev. B Statake 57 R2041 1998 10.1103/PhysRevB.57.R2041 

  4. Appl. Phys. Lett. Perlin 70 2993 1997 10.1063/1.118767 

  5. Appl. Phys. Lett. Sing 70 1089 1997 10.1063/1.118493 

  6. Appl. Phys. Lett. El-Masry 72 40 1998 10.1063/1.120639 

  7. Appl. Phys. Lett. Sun 70 2978 1997 10.1063/1.118762 

  8. Jpn. J. Appl. Phys. Sugahara 37 1195 1998 10.1143/JJAP.37.L1195 

  9. Appl. Phys. Lett. Wu 72 692 1998 10.1063/1.120844 

  10. J. Bai, T. Wang, S. Sakai, J. Appl. Phys., submitted for publication. 

  11. Appl. Phys. Lett. Wu 68 1371 1996 10.1063/1.116083 

  12. Mater. Lett. Mahanty 41 67 1999 10.1016/S0167-577X(99)00105-6 

  13. 10.1143/JJAP.37.L291 M. Hao, T. Sugahra, Hisao Sato, Y. Morishima, Y. Naoi, L.T. Romano, S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 291. 

  14. 10.1063/1.122229 Ig-Hyeon Kim, Hyeong-Soo Park, Yong-Jo Park, Taeil Kim, Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 1634. 

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