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Structural characteristics of α-Ga2O3 films grown on sapphire by halide vapor phase epitaxy
Materials science in semiconductor processing, v.123, 2021년, pp.105534 -
Kim, Soo Hyeon (Division of Material Analysis and Research, Korea Basic Science Institute) , Yang, Mino (Seoul Center, Korea Basic Science Institute Seoul) , Lee, Hae-Yong (LumiGNtech Co. Ltd., Room 206, Business Incubator Bldg.) , Choi, Jong-Soon (Division of Material Analysis and Research, Korea Basic Science Institute) , Lee, Hyun Uk (Division of Material Analysis and Research, Korea Basic Science Institute) , Kim, Un Jeong (Imaging Device Laboratory, Samsung Advanced Institute of Technology) , Lee, Moonsang (Division of Material Analysis and Research, Korea Basic Science Institute)
Abstract
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Abstract While the importance of α-Ga2O3 crystals is increasingly gaining much interest, the structural behavior of halide vapor phase epitaxy (HVPE) α-Ga2O3 crystals in wet chemical etching has not been explored yet. In this study, we investigate the structural characterization of HVPE...
주제어
참고문헌 (15)
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J. Appl. Phys. Ahmadi 126 16 2019 10.1063/1.5123213 Materials issues and devices of α-and β-Ga2O3
-
Materials Today Physics Guo 11 2019 10.1016/j.mtphys.2019.100157 Review of Ga2O3-based optoelectronic devices
-
ACS Applied Nano Materials He 2 7 4095 2019 10.1021/acsanm.9b00527 α-Ga2O3 nanorod array-Cu2O microsphere p-n junctions for self-powered spectrum-distinguishable photodetectors
-
J. Alloys Compd. Cheng 2020 10.1016/j.jallcom.2020.154776 Heteroepitaxial growth of α-Ga2O3 thin films on a-, c-and r-plane sapphire substrates by low-cost mist-CVD method
-
J. Cryst. Growth Gottschalch 510 76 2019 10.1016/j.jcrysgro.2019.01.018 Heteroepitaxial growth of α-, β-, γ-and κ-Ga2O3 phases by metalorganic vapor phase epitaxy
-
J. Phys. Conf. Nikolaev 2019 10.1088/1742-6596/1400/5/055049 HVPE growth of α-and ε-Ga2O3 on patterned sapphire substrates
-
Jpn. J. Appl. Phys. Okumura 58 12 2019 10.7567/1347-4065/ab4f90 Dry and wet etching for β-Ga2O3 Schottky barrier diodes with mesa termination
-
Appl. Phys. Lett. Zhang 115 1 2019 10.1063/1.5093188 Anisotropic etching of β-Ga2O3 using hot phosphoric acid
-
Apl. Mater. Leach 7 2 2019 10.1063/1.5055680 Halide vapor phase epitaxial growth of β-Ga2O3 and α-Ga2O3 films
-
Apl. Mater. Oshima 7 2 2019 10.1063/1.5051058 Epitaxial lateral overgrowth of α-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy
-
Mater. Sci. Eng. R Rep. Norton 43 5-6 139 2004 10.1016/j.mser.2003.12.002 Synthesis and properties of epitaxial electronic oxide thin-film materials
-
Appl. Phys. Rev. Pearton 5 1 2018 10.1063/1.5006941 A review of Ga2O3 materials, processing, and devices
-
J. Mater. Sci. Champion 2 2 153 1967 10.1007/BF00549574 Etch pits in flux-grown corundum
-
J. Am. Ceram. Soc. Scheuplein 43 9 458 1960 10.1111/j.1151-2916.1960.tb13698.x Surface structure in corundum: I, etching of dislocations
-
J. Appl. Phys. Lu 104 12 2008 10.1063/1.3042230 Microstructure and origin of dislocation etch pits in GaN epilayers grown by metal organic chemical vapor deposition
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원문 URL 링크
- DOI : 10.1016/j.mssp.2020.105534
- Elsevier : 저널 > 논문
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