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Process Co-Optimization of CVD and CMP for Tungsten Metallization

ECS journal of solid state science and technology : jss, v.9 no.10, 2020년, pp.104004 -   

Pancharatnam, Shanti ,  Tseng, Wei-Tsu ,  Choi, Samuel ,  Johnson, Richard

초록이 없습니다.

참고문헌 (21)

  1. Burr, Geoffrey W., BrightSky, Matthew J., Sebastian, Abu, Cheng, Huai-Yu, Wu, Jau-Yi, Kim, Sangbum, Sosa, Norma E., Papandreou, Nikolaos, Lung, Hsiang-Lan, Pozidis, Haralampos, Eleftheriou, Evangelos, Lam, Chung H.. Recent Progress in Phase-Change Memory Technology. IEEE journal on emerging and selected topics in circuits and systems, vol.6, no.2, 146-162.

  2. Mutlu, Onur, Ghose, Saugata, Gómez-Luna, Juan, Ausavarungnirun, Rachata. Processing data where it makes sense: Enabling in-memory computation. Microprocessors and microsystems, vol.67, 28-41.

  3. 1991 10.1149/1.2085434 138 3460 0013-4651 J. Electrochem. Soc. Kaufman F. B. 

  4. 2002 10.1149/1.1518991 149 G648 0013-4651 J. Electrochem. Soc. Maynard R. K. 

  5. 2007 10.1149/1.2815962 155 D148 0013-4651 J. Electrochem. Soc. Kim S. H. 

  6. 2016 313 Proc. 27th Annu. ASMC Subramaniyan A. 

  7. Pancharatnam, S., Rodriguez, G., Wang, W., Karve, G., Wynne, J., Mendoza, B., DeVries, S., Pujari, R. N., Breton, M., Carr, A., White, L.. Study of TiN and TaN Underlayer Properties and Their Influence on W Growth. IEEE transactions on semiconductor manufacturing : a publication of the IEEE Components, Hybrids, and Manufacturing Technology Society, the IEEE Electron Devices Society, the IEEE Reliability Society,, vol.32, no.4, 374-380.

  8. 2016 108 Proc. 2016 IEEE Inter. Interconnect Technol. Conf./Adv. Metall. Conf. (IITC/AMC) Bakke J. 

  9. 2017 Bamnolker H. 

  10. 2015 2015 China Semicond. Technol. Inter. Conf Xu J. 

  11. Xu, Shaohui, Yao, Pan, Zhang, Jiandong, Huang, Renrui. The filling seams improvement and properties analyses of tungsten films. Microelectronic engineering, vol.226, 111285-.

  12. Stein, David J., Cecchi, Joseph L., Hetherington, Dale L.. Atomic force microscopy, lateral force microscopy, and transmission electron microscopy investigations and adhesion force measurements for elucidation of tungsten removal mechanisms. Journal of materials research, vol.14, no.9, 3695-3706.

  13. Seo, Yong-Jin, Lee, Woo-Sun. Effects of different oxidizers on the W-CMP performance. Materials science & engineering B, Solid-state materials for advanced technology, vol.118, no.1, 281-284.

  14. 2001 10.1149/1.1372223 148 G359 0013-4651 J. Electrochem. Soc. Paul E. 

  15. 2009 10.1149/1.3186032 156 D408 0013-4651 J. Electrochem. Soc. Yeruva S. B. 

  16. 2016 10.1149/2.0371606jss 5 P361 2162-8777 ECS J. Solid State Sci. Technol. Xu K. 

  17. 2015 25 Proc. 2015 Inter. Conf. Planarization/CMP Technol (ICPT) Tseng W.-T. 

  18. Kim, Hong Jin, Bohra, Girish, Yang, Hyucksoo, Ahn, Si-Gyung, Qin, Liqiao, Koli, Dinesh. Study of the cross contamination effect on post CMP in situ cleaning process. Microelectronic engineering, vol.136, 36-41.

  19. 2016 10.1149/2.0391609jss 5 P546 2162-8777 ECS J. Solid State Sci. Technol. Tseng W.-T. 

  20. 10.1109/IITC.2018.8430416 

  21. 2005 135 Proc. IEEE 2005 Inter. Interconnect Technol. Conf. (IITC) Yang C.-C. 

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