최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기Japanese journal of applied physics, v.60 no.3, 2021년, pp.034002 -
Wang, Haidong , Guo, Yufeng , Zhang, Jun , Zhang, Maolin , Chen, Jing
AbstractThe triple reduced surface field (T-RESURF) technique allows the drift region to achieve a much higher doping concentration while maintaining its breakdown voltage unaffected. Yet, as a result of the missing design guidance, the optimization of the T-RESURF effect is difficult to be realized...
Solid-State Electron. Sun 10.1016/j.sse.2003.12.033 48 799 2004
Solid-State Electron. Kim 10.1016/0038-1101(95)00090-G 39 95 1995
IEEE Electron Device Lett. Chung 10.1109/55.475565 17 22 1996
IEEE Trans. Electron Devices Colak 10.1109/T-ED.1981.20630 28 1455 1981
Superlattices Microstruct. Qiao 10.1016/j.spmi.2016.03.038 93 232 2016
Superlattices Microstruct. Chen 10.1016/j.spmi.2015.09.037 89 59 2016
IEEE Electron Device Lett. Zhang 10.1109/LED.2017.2751571 38 1555 2017
Superlattices Microstruct. Cao 10.1016/j.spmi.2017.06.035 111 221 2017
IEEE Trans. Electron Devices Wu 10.1109/TED.2015.2493879 62 4135 2015
Superlattices Microstruct. Huang 10.1016/j.spmi.2016.02.029 92 359 2016
Solid-State Electron. Baliga 10.1016/0038-1101(76)90152-0 19 739 1976
IEEE Trans. Electron Devices Wei 10.1109/TED.2016.2533022 63 1637 2016
Microelectron. Reliab. Cortes 10.1016/j.microrel.2011.12.011 52 503 2012
J. Semicond. Guo 10.1088/1674-4926/30/11/114006 30 2009
IEEE Trans. Electron Devices Udrea 10.1109/TED.2017.2658344 64 720 2017
IEEE Electron Device Lett. Mao 10.1109/LED.2016.2518303 37 242 2016
IEEE Trans. Electron Devices Luo 10.1109/TED.2016.2555327 63 2614 2016
IEEE Trans. Electron Devices Disney 10.1109/TED.2016.2631125 63 659 2017
Chin. Phys. B Zhang 10.1088/1674-1056/24/2/028502 24 2015
IEEE Trans. Electron Devices Qiao 10.1109/TED.2015.2448120 62 2933 2015
IEEE Trans. Electron Devices Mao 10.1109/TED.2017.2714703 64 3287 2017
IEEE Trans. Electron Devices Imam 10.1109/TED.2003.821383 51 141 2004
IEEE Trans. Electron Devices Zhang 10.1109/TED.2017.2786139 65 648 2018
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.