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NTIS 바로가기ECS meeting abstracts, v.MA2020-01 no.14, 2020년, pp.1391 - 1391
Jiang, Changcheng , Xiao, Xingyu , Ke, Xing , Wang, Yanliang , Li, Yuchen , Chen, Zhuofan , Wang, Yan , Zhang, Hai-Yang
The use of sacrificial dummy gate has been a standard process for HKMG in planar CMOS and subsequent FinFET technologies. However, the scaling down of FinFET design has led to a significant increase for the aspect ratio of gate structure. The profile of the dummy gate is of great importance for dev...
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