[논문]Fabrication and repair of GaN nanorods by plasma etching with self-assembled nickel nanomasks

Zhang, Shiying; Zhang, Lei; Zhong, Yueyao; Wang, Guodong; Xu, Qingjun

doi:10.1051/epjap/2021210002

Fabrication and repair of GaN nanorods by plasma etching with self-assembled nickel nanomasks

European physical journal, EPJ AP. Applied physics, v.93 no.3, 2021년, pp.30405 -

Zhang, Shiying , Zhang, Lei , Zhong, Yueyao , Wang, Guodong , Xu, Qingjun

Abstract ▼ AI-Helper

High crystal quality GaN nanorod arrays were fabricated by inductively coupled plasma (ICP) etching using self-organized nickel (Ni) nano-islands mask on GaN film and subsequent repaired process including annealing in ammonia and KOH etching. The Ni nano-islands have been formed by rapid thermal annealing, whose density, shape, and dimensions were regulated by annealing temperature and Ni layer thickness. The structural and optical properties of the nanorods obtained from GaN epitaxial layers were comparatively studied by high-resolution X-ray diffraction (HRXRD), Raman spectroscopy and photoluminescence (PL). The results indicate that damage induced by plasma can be successfully healed by annealing in NH3 at 900 °C. The average diameter of the as-etched nanorod was effectively reduced and the plasma etch damage was removed after a wet treatment process in a KOH solution. It was found that the diameter of the GaN nanorod was continuously reduced and the PL intensity first increased, then reduced and finally increased as the KOH etching time sequentially increased.

참고문헌 (66)

Science Schubert 308 1274 2005 10.1126/science.1108712

상세보기
J. Disp. Technol. Krames 3 160 2007 10.1109/JDT.2007.895339

상세보기
J. Appl. Phys. Huh 93 9383 2003 10.1063/1.1571962

상세보기
Nano Lett. Kim 4 1059 2004 10.1021/nl049615a

상세보기
J. Appl. Phys. Liao 113 054315 2013 10.1063/1.4790710

상세보기
Appl. Phys. Lett. Li 101 032103 2012 10.1063/1.4737395

상세보기
Nano Lett. Yeh 12 3257 2012 10.1021/nl301307a

상세보기
Phys. Status Solidi C Waag 8 2296 2011 10.1002/pssc.201000989

상세보기
Appl. Phys. Lett. Chang 100 261103 2012 10.1063/1.4731629

상세보기
Appl. Phys. Express Sekiguchi 1 124002 2008 10.1143/APEX.1.124002

상세보기
Nanotechnology Wierer 23 194007 2012 10.1088/0957-4484/23/19/194007

상세보기
Appl. Phys. Lett. Bugallo 98 233107 2011 10.1063/1.3596446

상세보기
Recent Pat. Nanotechnol. Pang 4 32 2010 10.2174/187221010790712129
Adv. Mater. Hong 23 3284 2011 10.1002/adma.201100806

상세보기
Nature Waltereit 406 865 2000 10.1038/35022529

상세보기
J. Appl. Phys. Le Boulbar 114 094302 2013 10.1063/1.4819440

상세보기
Appl. Phys. Lett. Ling 96 231101 2010 10.1063/1.3449557

상세보기
Solid State Commun. Lee 145 327 2008 10.1016/j.ssc.2007.12.004

상세보기
J. Am. Chem. Soc. Chen 123 2791 2001 10.1021/ja0040518

상세보기
Nano Lett. Kuykendall 3 1063 2003 10.1021/nl034422t

상세보기
Solid State Commun. Lin 149 1608 2009 10.1016/j.ssc.2009.06.035

상세보기
Jpn. J. Appl. Phys. Kikuchi 43 L1524 2004 10.1143/JJAP.43.L1524

상세보기
Appl. Phys. Lett. Kim 81 2193 2002 10.1063/1.1507617

상세보기
Science Han 277 1287 1997 10.1126/science.277.5330.1287

상세보기
J. Appl. Phys. Li 111 071101 2012 10.1063/1.3694674

상세보기
Jpn. J. Appl. Phys. Yu 41 L910 2002 10.1143/JJAP.41.L910
Nanotechnology Chen 17 1454 2006 10.1088/0957-4484/17/5/048

상세보기
Appl. Phys. Lett. Lin 90 181923 2007 10.1063/1.2736281

상세보기
Nanotechnology Chin 18 445201 2007 10.1088/0957-4484/18/44/445201

상세보기
Jpn. J. Appl. Phys. Chang 40 1242 2001 10.1143/JJAP.40.1242

상세보기
MRS Internet J. Nitride Semicond. Pearton 5 11 2000 10.1557/S1092578300000119

상세보기
Chem. Phys. Lett. Jian 368 416 2003 10.1016/S0009-2614(02)01909-7

상세보기
ACS Appl. Mater. Interfaces Yang 11 8453 2019 10.1021/acsami.8b22344

상세보기
Phys. Rev. Lett. Wen 76 652 1996 10.1103/PhysRevLett.76.652

상세보기
Surf. Sci. Tanner 486 167 2001 10.1016/S0039-6028(01)01032-9

상세보기
Appl. Phys. Lett. Aggarwal 78 1442 2001 10.1063/1.1352666

상세보기
Appl. Phys. Lett. Bower 77 2767 2000 10.1063/1.1319529

상세보기
Nanotechnology Carey 14 1223 2003 10.1088/0957-4484/14/11/011

상세보기
J. Appl. Phys. Keller 100 054314 2006 10.1063/1.2234812

상세보기
J. Vac. Sci. Technol., A Shul 18 1139 2000 10.1116/1.582313

상세보기
J. Appl. Phys. Juang 72 684 1992 10.1063/1.351853

상세보기
Appl. Phys. Lett. Pearton 55 1633 1989 10.1063/1.102221

상세보기
J. Appl. Phys. Ohtsuka 70 2361 1991 10.1063/1.349436

상세보기
Appl. Phys. Lett. Choi 77 1795 2000 10.1063/1.1311605

상세보기
J. Electron. Mater. Ping 27 261 1998 10.1007/s11664-998-0397-4

상세보기
Appl. Phys. Lett. Ning 91 103117 2007 10.1063/1.2780081

상세보기
Appl. Phys. Lett. Hartono 90 171917 2007 10.1063/1.2732826

상세보기
Appl. Phys. Lett. Heinke 77 2145 2000 10.1063/1.1314877

상세보기
Solid-State Electron. Chen 43 649 1999 10.1016/S0038-1101(98)00314-1

상세보기
J. Appl. Phys. Choi 92 4381 2002 10.1063/1.1509844

상세보기
Phys. Rev. B Mahan 68 073402 2003 10.1103/PhysRevB.68.073402

상세보기
Appl. Phys. Lett. Wang 74 818 1999 10.1063/1.123378

상세보기
J. Vac. Sci. Technol., A Tripathy 19 2522 2001 10.1116/1.1392400

상세보기
Appl. Phys. Lett. Jang 78 2015 2001 10.1063/1.1360784

상세보기
Phys. Status Solidi A Choi 188 393 2001 10.1002/1521-396X(200111)188:1<393::AID-PSSA393>3.0.CO;2-9

상세보기
Appl. Phys. Lett. He 77 3731 2000 10.1063/1.1329863

상세보기
Appl. Phys. Express Kodama 1 021104 2008 10.1143/APEX.1.021104

상세보기
Adv. Mater. Jung 25 4470 2013 10.1002/adma.201301640

상세보기
Mater. Sci. Eng., R Zhuang 48 1 2005 10.1016/j.mser.2004.11.002

상세보기
Appl. Phys. Lett. Gao 84 3322 2004 10.1063/1.1719281

상세보기
J. Appl. Phys. Li 90 4219 2001 10.1063/1.1402966

상세보기
Appl. Phys. Lett. Stocker 73 2654 1998 10.1063/1.122543

상세보기
Jpn. J. Appl. Phys. Itoh 45 3988 2006 10.1143/JJAP.45.3988

상세보기
J. Phys. D.: Appl. Phys. Wang 44 39510 2011
IEEEJ. Sel. Top. Quantum. Electron. Wu 15 1226 2009 10.1109/JSTQE.2009.2015583

상세보기
Nano Lett. Kuo 11 476 2011 10.1021/nl103243n

상세보기

내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 논문명, 저널/프로시딩명, 저자 , 발행년, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, 발행기관 관리번호, 논문명, 대등논문명, 저자 , 저널/프로시딩명, 발행기관, 발행년, 발행언어, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, ISBN, ISSN, 주제분야, 키워드, 초록(한글), 초록(영문), 저자(소속기관)
저장형식	Text(ASCII format) Excel format RefWorks Direct Export RIS format (for Reference Manager, ProCite, EndNote), Scholar's Aids, Mendeley
메일정보	받는사람 (필수) @ 보내는사람 (선택) @ 제목 내용 KISTI 검색결과 이메일 서비스
안내	총 건의 자료가 검색되었습니다. 다운받으실 자료의 인덱스를 입력하세요. (1-10,000) 검색결과의 순서대로 최대 10,000건 까지 다운로드가 가능합니다. 데이타가 많을 경우 속도가 느려질 수 있습니다.(최대 2~3분 소요) 다운로드 파일은 UTF-8 형태로 저장됩니다. 파일의 내용이 제대로 보이지 않을실 때는 웹브라우저 상단의 보기 -> 인코딩 -> 자동선택 여부를 확인하십시오. ~ Text(ASCII format) Excel format

연합인증

Fabrication and repair of GaN nanorods by plasma etching with self-assembled nickel nanomasks

Abstract ▼ AI-Helper

참고문헌 (66)

이 논문을 인용한 문헌

관련 콘텐츠

원문 URL 링크

이 논문과 함께 이용한 콘텐츠

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

선택된 텍스트