[논문]Energy distribution of interface state density in AlN/n-GaAs heterostructures formed by laser chemical vapor deposition

doi:10.1016/0038-1101(93)90151-F

[해외논문] Energy distribution of interface state density in AlN/n-GaAs heterostructures formed by laser chemical vapor deposition

Solid-state electronics, v.36 no.2, 1993년, pp.279 - 284

Li, Xin (Semiconductor Science and Technology Laboratories, Department of Physics, Macquarie University, N.S.W. 2109, Australia) , Tansley, T.L. (Semiconductor Science and Technology Laboratories, Department of Physics, Macquarie University, N.S.W. 2109, Australia) , Chin, V.W.L. (Semiconductor Science and Technology Laboratories, Department of Physics, Macquarie University, N.S.W. 2109, Australia)

Abstract ▼ AI-Helper

AbstractAlN/n-GaAs heterointerface formed by the Laser Chemical Vapor Deposition techniques have been studied by the quasistatic-low-frequency and Terman's-high-frequency methods. The results compare favourably with those obtained from high-low frequency, conductance and DLTS methods. All of these methods give essentially the same results with interface trap densities in the range of 1012–1013 eV−1 cm−2 with a “U”-shaped energy distribution having a minimum at about Ec − 0.9 eV. The distribution is analyzed in terms of exponential density-of-state tails derived from conduction and valence band edges in the Disorder Induced Gap State (DIGS) model. The surface Fermi level is pinned at Ec − 0.83 eV by the requirement that depletion and interface charges are equal and opposite, and the charge distribution profile makes this pinned value particularly stable. The surface potential Vs can be moved at most 0.35 eV either side of the pinned level before breakdown occurs in the AlN dielectric film.

참고문헌 (38)

Mater. Sci. Rep. Meiners 3 139 1988 10.1016/S0920-2307(88)80008-2

상세보기
Solid-St. Electron. Becke 8 813 1965 10.1016/0038-1101(65)90074-2

상세보기
Thin Solid Films Yokoyama 56 81 1979 10.1016/0040-6090(79)90054-3

상세보기
Thin Solid Films Tansley 164 441 1988 10.1016/0040-6090(88)90174-5

상세보기
J. appl. Phys. Yamashita 50 896 1979 10.1063/1.326007

상세보기
Inst. Phys. Conf. Ser. Mizuta 83 153 1986
Japan J. appl. Phys. Akimoto 27 L1401 1988 10.1143/JJAP.27.L1401

상세보기
Appl. Phys. Lett. Mochizuki 55 1318 1989 10.1063/1.101642

상세보기
J. Phys. Chem. Solids Slack 48 641 1987 10.1016/0022-3697(87)90153-3

상세보기
Xinjiao 442 1985 35th Electronic Components Conf.
Appl. Phys. Lett. Yoshiada 26 461 1975 10.1063/1.88210

상세보기
J. Vac. Sci. Technol. Yoshiada 16 990 1979 10.1116/1.570166

상세보기
Appl. Phys. Lett. Harper 43 547 1983 10.1063/1.94414

상세보기
Japan J. appl. Phys. Morita 20 L173 1981 10.1143/JJAP.20.L173

상세보기
Appl. Phys. Lett. Okamura 40 689 1982 10.1063/1.93236

상세보기
Japan J. appl. Phys. Hasegawa 26 1555 1987 10.1143/JJAP.26.1555

상세보기
Hasegawa 937 1988 Solid State Devices
Thin Solid Films Tansley 163 255 1988 10.1016/0040-6090(88)90432-4

상세보기
J. appl. Phys. Li 68 5369 1990 10.1063/1.347035

상세보기
Alexiev 1990
Williams 1984
Product Data Sheet, Alfa-Morton Thiokol. Inc., Woburn, Mass., U.S.A.
J. appl. Phys. Demiryont 59 3235 1986 10.1063/1.336905

상세보기
Appl. Opt. Demiryont 25 1311 1986 10.1364/AO.25.001311

상세보기
J. Vac. Sci. Technol. Foley A5 1708 1987 10.1116/1.574558

상세보기
Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Hatwar 121 557 1988 10.1557/PROC-121-557

상세보기
Solid-St. Electron. Kuhn 13 873 1970 10.1016/0038-1101(70)90073-0

상세보기
Xin Li, T.L. Tansley, S. Butcher and D. Alexiev, In preparation
Solid-St. Electron. Tanaka 23 1093 1980 10.1016/0038-1101(80)90193-8

상세보기
Solid-St. Electron. Terman 5 285 1962 10.1016/0038-1101(62)90111-9

상세보기
Sze 1981
Hasegawa 126 1985 Proc. Symp. on Dielectric Films on Compound Semiconductors
Thin Solid Films Koshiga 56 39 1979 10.1016/0040-6090(79)90050-6

상세보기
J. Vac. Sci. Technol. Spicer 16 1422 1979 10.1116/1.570215

상세보기
Phys. Rev. Heine 138 1689 1965 10.1103/PhysRev.138.A1689

상세보기
J. Phys. C Tejedor 11 L19 1978 10.1088/0022-3719/11/1/005

상세보기
Surf. Sci. Freeouf 168 518 1986 10.1016/0039-6028(86)90881-2

상세보기
Surf. Sci. Hasegawa 98 597 1980 10.1016/0039-6028(80)90539-7

상세보기

내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 논문명, 저널/프로시딩명, 저자 , 발행년, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, 발행기관 관리번호, 논문명, 대등논문명, 저자 , 저널/프로시딩명, 발행기관, 발행년, 발행언어, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, ISBN, ISSN, 주제분야, 키워드, 초록(한글), 초록(영문), 저자(소속기관)
저장형식	Text(ASCII format) Excel format RefWorks Direct Export RIS format (for Reference Manager, ProCite, EndNote), Scholar's Aids, Mendeley
메일정보	받는사람 (필수) @ 보내는사람 (선택) @ 제목 내용 KISTI 검색결과 이메일 서비스
안내	총 건의 자료가 검색되었습니다. 다운받으실 자료의 인덱스를 입력하세요. (1-10,000) 검색결과의 순서대로 최대 10,000건 까지 다운로드가 가능합니다. 데이타가 많을 경우 속도가 느려질 수 있습니다.(최대 2~3분 소요) 다운로드 파일은 UTF-8 형태로 저장됩니다. 파일의 내용이 제대로 보이지 않을실 때는 웹브라우저 상단의 보기 -> 인코딩 -> 자동선택 여부를 확인하십시오. ~ Text(ASCII format) Excel format

연합인증

[해외논문] Energy distribution of interface state density in AlN/n-GaAs heterostructures formed by laser chemical vapor deposition

Abstract ▼ AI-Helper

참고문헌 (38)

이 논문을 인용한 문헌

관련 콘텐츠

원문 URL 링크

이 논문과 함께 이용한 콘텐츠

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

선택된 텍스트