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Solid state communications, v.10 no.12, 1972년, pp.1277 - 1280
Adam, G. (LETI) , Duchene, J. (LETI)
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Abstract Threshold switching in a polycrystalline VO2 thin film was studied by pulse operation. By varying the geometrical dimensions of the device, we have investigated the influence of device's electrical capacitance on the switching event. This capacitance discharge produces in fact a transient t...
Résumé La commutation de seuil en régime d'impulsions est étudiée sur des dispositifs à couches minces de VO2. En modifiant la géométrie du dispositif, nous modifions la capacité parasite et la décharge de cette capacité provoque un phénomène de destruction de la couche mince entre les électrodes. Nous supposons que l'augmentation transitoire de température à la commutation est suffisante pour fondre localement le matériau actif. Le régime de destruction est analysé en fonction de la tension de seuil de commutation pour une géométrie donnée des électrodes.
ADAM G. and DUCHENE J., to be published in IEEE transactions on Electron Devices.
J.A.P. Guntersdorfer 42 2566 1971
Canadian J. of Physics Armitage 49 1662 1971 10.1139/p71-195
Solid State Commun. Johnson 9 1397 1971 10.1016/0038-1098(71)90404-2
Appl. Phys. Lett. Weirauch 16 72 1970 10.1063/1.1653105
J. Non-Crystalline Solids Slacker 2 371 1970 10.1016/0022-3093(70)90152-3
Phys. Status Solidi Duchene 8 459 1971 10.1002/pssa.2210080214
Berglund 1079 1971 Proc. IEEE
Thin Solid Films Klein 7 149 1971 10.1016/0040-6090(71)90067-8
IEEE Trans. on Electron Devices Duchene ED-18 1151 1971 10.1109/T-ED.1971.17347
ADAM G. and DUCHENE J., to be published.
Appl. Phys. Lett. Duchene 19 115 1971 10.1063/1.1653835
J. Non-Crystalline Solids Croitoru 4 493 1970 10.1016/0022-3093(70)90084-0
IEEE Trans. on Electron Devices Berglund ED-17 137 1970 10.1109/T-ED.1970.16939
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