[논문]Resistivity, mobility and impurity levels in GaAs, Ge, and Si at 300°K

doi:10.1016/0038-1101(68)90012-9

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[해외논문] Resistivity, mobility and impurity levels in GaAs, Ge, and Si at 300°K

Solid-state electronics, v.11 no.6, 1968년, pp.599 - 602

Sze, S.M. (Bell Telephone Laboratories, Incorporated, Murray Hill, New Jersey, USA) , Irvin, J.C. (Bell Telephone Laboratories, Incorporated, Murray Hill, New Jersey, USA)

Abstract ▼ AI-Helper

Abstract The resistivity and mobility data of GaAs at 300°K have been analyzed by least-square method and plotted as a function of the impurity concentration. The measured impurity levels in GaAs have been presented in graphical form for the most accurate and up-to-date values. For convenient...

Abstract

Résumé Les données de mobilité et de résistivité de AsGa à 300°K ont été analysées par la méthode du moindre carré et tracées en fonction de la concentration d'impuretés. Les niveaux d'impuretés mesurés dans le AsGa ont été présentés en forme graphique pour les valeurs les plus récentes et les plus exactes. Pour une référence convenable, les résultats publiés pour le germanium et le silicium sont aussi présentés.

참고문헌 (11)

1967 Inventory List of III-V Intermetallics
1967 High Purity III-V Semiconductor Compounds
Phys. Rev. Moore 160 618 1967 10.1103/PhysRev.160.618

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Bell Syst. Tech. J. Cuttriss 40 509 1961 10.1002/j.1538-7305.1961.tb01627.x

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Phys. Rev. Prince 92 681 1953 10.1103/PhysRev.92.681

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Bell Syst. Tech. J. Irvin 41 387 1962 10.1002/j.1538-7305.1962.tb02415.x

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J. Phys. Chem. Solids Wolfstirn 16 279 1960 10.1016/0022-3697(60)90157-8

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Neuberger 1967 Gallium Arsenide Data Sheets
Proc. Instn Radio Engrs Conwell 46 1281 1958
Neuberger 1965 Germanium Data Sheets
Neuberger 1964 Silicon Data Sheets

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